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1.
Feng Wenran Li Zhen Chen Yingying Chen Jinyang Lang Haoze Wan Jianghong Gao Yan Dong Haitao 《Journal of Materials Science》2022,57(3):1881-1889
Journal of Materials Science - Although chalcogenide materials continue to generate considerable interest due to great potentials for various optoelectronic devices, annealing for a long time in... 相似文献
2.
Zhao Jiandong Lei Wei Li Zijian Zhao Dongfeng Han Mingmin Hou Xiaoqing 《Multimedia Tools and Applications》2022,81(4):4753-4780
Multimedia Tools and Applications - The crowding in bus is an important factor affecting passenger satisfaction and bus dispatching level. However, how to use video images to detect crowding... 相似文献
3.
Mobile Networks and Applications - Inverse kinematics is an important basic theory in walking control of biped robot. This study focuses on the parameter setting using the improved algorithm in... 相似文献
5.
Xiao Zhu Chen Yanxun Jiang Hongbo Hu Zhenzhen Lui John C. S. Min Geyong Dustdar Schahram 《Wireless Networks》2022,28(7):3305-3322
Wireless Networks - Unmanned aerial vehicles (UAV) have been widely used in various fields because of their high mobility and portability. At the same time, due to the rapid development of... 相似文献
6.
采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。 相似文献
7.