排序方式: 共有190条查询结果,搜索用时 31 毫秒
41.
Based on a 5 MSBs(most-significant-bits)-plus-5 LSBs(least-significant-bits) C-R hybrid D/A conversion and low-offset pseudo-differential comparison approach,with capacitor array axially symmetric layout topology and resistor string low gradient mismatch placement method,an 8-channel 10-bit 200-kS/s SAR ADC(successive-approximation -register analog-to-digital converter) IP core for a touch screen SoC(system-on-chip) is implemented in a 0.18μm 1P5M CMOS logic process.Design considerations for the touch sc... 相似文献
42.
43.
44.
基于新型的低压与温度成正比(PTAT)基准源和PMOS衬底驱动低压运算放大器技术,采用分段温度计译码结构设计了一种1.5V8位100MS/s电流舵D/A转换器,工艺为TSMC0.25μm2P5MCMOS。当采样频率为100MHz,输出频率为20MHz时,SFDR为69.5dB,D/A转换器的微分非线性误差(DNL)和积分非线性误差(INL)的典型值分别为0.32LSB和0.52LSB。整个D/A转换器的版图面积为0.75mm×0.85mm,非常适合SOC的嵌入式应用。 相似文献
45.
在高精度逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)中,电容阵列是SAR ADC的核心之一。电容阵列中的电容失配问题是导致转换精度降低的一个重要原因。为了尽可能改善这一问题,设计了一种6+6+6分段电容阵列,并且基于这种阵列设计了权重迭代算法的前台数字校准。该方法不需要额外的电容阵列,利用自身的电容阵列与比较器量化出电容失配,计算出每一位输出码的权重校准系数,用来对正常量化出的输出码进行编码,实现校准功能。仿真结果表明,引入电容失配的18 bit SAR ADC经过该算法校准后,信噪比(SNR)从77.6 dB提升到107.6 dB,无杂散动态范围(SFDR)从89.8 dB提升到125.6 dB,有效位数(ENOB)从12.54 bit提升到17.54 bit。在SMIC 0.18μm工艺下,该校准算法对高精度SAR ADC的动态性能具有较大提升。 相似文献
46.
针对传统片上系统设计同步时钟引起的功耗大、IP核可重用性差等缺点,提出一种可用于多核片上系统和片上网络的快速延时无关同异步转换接口电路.接口由采用门限门的环形FIFO实现,移除了同步时钟,实现了数据从同步时钟模块到异步模块的高速传输,支持多种数据传输协议并保证数据在传输中延时无关.基于0.18μm标准CMOS工艺的Spice模型,对3级环形FIFO所构成的传输接口电路进行了仿真,传输接口的延时为613ps,每响应一个传输请求的平均能耗为3.05pJ?req,可满足多核片上系统和片上网络芯片速度高、功耗低、鲁棒性强和重用性好的设计要求. 相似文献
47.
48.
49.
介绍了一种低功耗、高精度、高稳定性可编程定时器专用集成电路的设计,对其中的稳定性电路、低功耗问题进行了研究和分析。该电路的静态工作电流为7.8微安。 相似文献
50.
为了满足当今对低压低功耗电路的需求,设计了一种工作在0.5V电源电压环境的全差分运算放大器.电路使用了由衬底驱动的输入级和工作在亚阈值区的输出级,并利用交叉耦合输入晶体管的结构产生负跨导来提高增益.采用0.18μm的CMOS工艺,阈值电压约为0.5V的器件模型.Hspice仿真结果表明:直流增益为60dB,单位增益带宽为5.4MHz,功耗为138μW. 相似文献