一种低压CMOS衬底驱动共源共栅电流镜

基于PMOS衬底驱动技术设计了低压PMOS衬底驱动CMOS共源共栅电流镜电路(BDCCM),并讨论分析了其输入阻抗、输出阻抗和频率特性。BDCCM的最低输入压降要求只有0.4V,但是其输入输出线性度和频率带宽要比传统的共源共栅电流镜低,是低频低压CMOS模拟集成电路设计的新型高性能共源共栅电流镜。     

一种自偏置低压共源共栅带隙基准电路设计

随着CMOS工艺的发展,器件尺寸逐渐缩小,短沟道效应的影响日益突出。共源共栅电流源可以很好地抑制小尺寸效应,但其消耗的电压余度较大,偏置电路设计繁琐。因此介绍了一种采用自偏置低压共源共栅电流源的带隙基准电路结构,用两个电阻代替了偏置电路。仿真结果显示,该带隙基准电路的最低电源电压约为2.98V,相对于普通的共源共栅结构,降低了2个MOSFET阈值电压;工作在最低电源电压下,功耗约为270μW,相对于带偏置电路的结构,降低约75μW。仿真结果证明,该电路能够简化共源共栅电路的设计和调试,并减少低压共源共栅电路的功耗。     

基于自偏置电流镜的CMOS红外焦平面读出电路

针对高精度红外焦平面阵列应用设计了一种具有高注入效率、大动态范围、稳定的探测器偏压、小面积和低功耗的自偏置电流镜注入CMOS读出电路.所设计的电路结构包括一种由自偏置的宽摆幅PMOS共源共栅电流镜和NMOS电流镜构成的反馈结构读出单元电路和相关双采样电路.对所设计电路采用Chartered 0.35 μm CMOS工艺进行了流片.测试结果显示:电路线性度达到了99%,探测器两端偏压小于1mV.电路输入阻抗近似为0,单元电路面积为10μm×15μm,功耗小于0.4μW.电量存储能力3108电子.测试结果表明:电路功能和性能都达到了设计要求.     

高精度低噪声基准电压源的设计

利用反向带隙电压原理,采用基于CMOS阈值电压的自偏置共源共栅电流镜技术,设计了一种低压低噪声基准电压源.该电压基准源没有外加滤波电容的情况下,通过双极型晶体管大的输出阻抗特性,实现了更低的噪声输出,提高了输出电压的精度.Hspice仿真结果表明,在0.95V电源电压下,输出基准电压为233.9 mV,温度系数为7.6...     

共源共栅CMOS运算放大器的分析与设计

本文描述了一个共源共栅差分输入级、电流镜偏置输出级结构的两级CMOS运放,它对常规运放的电源电压抑制比、增益、输出驱动能力、噪声、失调等有显著的改善。文中对运放的工作原理及设计技术等进行了详细的叙述,并采用标准CMOS工艺进行了投片试制和采用SPICE进行了电路模拟。结果令人满意,达到了设计指标,证明了设计理论的正确性。该运放已成功地应用于开关电容滤波器芯片的制造。     

一种低压低功耗CMOS折叠-共源共栅运算放大器的设计

本文设计了一种低压低功耗CMOS折叠一共源共栅运算放大器.该运放的输入级采用折叠-共源共栅结构,可以优化输入共模范围,提高增益;由于采用AB类推挽输出级,实现了全摆幅输出,并且大大降低了功耗.采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,基于BSIM3V3 Spice模型,用Hspice对整个电路进行仿真,结果表明:与传统结构相比,此结构在保证增益、带宽等放大器重要指标的基础上,功耗有了显著的降低,非常适合于低压低功耗应用.目前,该放大器已应用于14位∑-△模/数转换电路的设计中.     

单片化低压低功耗Si CMOS运算放大器的实现

基于新型的折叠共栅共源PMOS差分输入级拓扑、轨至轨AB类低压CMOS推挽输出级模型、低压低功耗LV/LP技术特别考虑和EDA平台的实验设计与模拟仿真,并设计配置了先进的Si 2 mm P阱硅栅CMOS集成工艺技术。已经得到一种具有VT = 0.7 V、电源电压1.1~1.5 V、静态功耗典型值330 mW、75 dB开环增益和945 kHz单位增益带宽的LV/LP运算放大器。该运放可应用于ULSI库单元和诸多相关技术领域,其实践有助于Si CMOS低压低功耗集成电路技术的进一步开发与交流。     

低压Rail-to-Rail CMOS运算放大器的设计

基于0.5μm标准CMOS工艺,设计了一种带有恒跨导输入级的轨对轨(rail-to-rail)低压CMOS运算放大器.采用折叠式共源共栅差分电流镜放大器输入级和改进的CMOS AB类输出级,实现了电源满幅度的输入输出和恒输入跨导.用Cadence Spectre仿真器,对整个电路在3.3 V工作电压下进行仿真,其直流开环增益AV=70.6 dB,相位裕度PM=71°,单位增益带宽GB=1.37 MHz.芯片面积为0.7 mm×0.4 mm.实际测试结果与模拟结果基本一致.     

一种适用于微传感器读出电路的低噪声、低失调斩波放大器

提出一种适合微传感器读出电路的高精度折叠共源共栅放大器.基于斩波技术和动态元件匹配技术,降低了折叠共源共栅放大器的噪声和失调,采用低阻节点斩波的方法和低压共源共栅电流镜扩大了放大器可处理的输入信号带宽和输出电压摆幅.芯片在0.35μm 2P4M CMOS工艺下设计并流片,测试表明在3.3V的典型电源电压和100kHz的斩波频率下,斩波放大器具有小于93.7μV的输入等效失调电压典型值,19.6nV/Hz的输入等效噪声,开环增益达83.9dB,单位增益带宽为10MHz.     

一种适用于微传感器读出电路的低噪声、低失调斩波放大器

提出一种适合微传感器读出电路的高精度折叠共源共栅放大器.基于斩波技术和动态元件匹配技术,降低了折叠共源共栅放大器的噪声和失调,采用低阻节点斩波的方法和低压共源共栅电流镜扩大了放大器可处理的输入信号带宽和输出电压摆幅.芯片在0.35μm 2P4M CMOS工艺下设计并流片,测试表明在3.3V的典型电源电压和100kHz的斩波频率下,斩波放大器具有小于93.7μV的输入等效失调电压典型值,19.6nV/Hz的输入等效噪声,开环增益达83.9dB,单位增益带宽为10MHz.