ZnO：Al透明导电膜的制备及其性能的研究

利用脉冲激光法制备了ＺｎＯ：Ａｌ透明导电膜。通过膜进行霍尔系数测量及ＳＥＭ、ＸＲＤ测试分析，详细研究了靶材中的化学配比（掺杂比）对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明：掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出：掺杂比从０．７５％增至１．５％过程中，膜的载流子浓度、透光率（在波长大于５００ｎｍ的范围）和光隙能相应增大。在氧分压强为０Ｐａ（不充氧）、掺杂比为１．５％左右时沉     

基片温度对直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积的ITO膜性能…

使用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积了ＩＴＯ透明导电膜，通过膜的霍尔系数测量及ＸＲＤ，ＳＥＭ分析，详细研究了沉积时的基片温度对透光率和电阻率的影响。结果表明；基片温度影响膜的载流子浓度，霍尔迁移率以及膜的结晶程度。当基片温度为１５０℃附近时所沉积的膜具有较高的载流子浓度和迁移率，因而电阻率最低，而且结晶良好，具有高的透光率。     

低温氧等离子体对有机薄膜改性的研究

在氧等离子体中对聚乙烯醇，海藻酸钠，聚乙烯和地苯二甲酸乙二醇脂等有同薄膜有面处理。研究了处理时间，放电电流和气压对膜的亲水性的影响。     

HT—6B托卡马克真空室的放电清洗

本文叙述了在HT-6B托卡马克装置上,采用脉冲放电清洗去除真空室壁表面杂质的初步实验结果。用四极质谱计来测量放电前后杂质的变化。实验结果表明,脉冲放电清洗是去除轻杂质的有效方法。     

在有机玻璃基底上制备ITO透明导电膜

使用直流辉光和微波电子回旋共振两种等离子体辅助反应蒸发法在有机玻璃基底上制备了透明导电ＩＴＯ膜。在实验中详细地研究了氧分压对膜的透光率和方阻的影响。由于等离子体对膜料的活化和对基片表面的轰击效应．降低了沉积温度。     

阿魏酸酯酶和木聚糖酶协同降解麦糟

橘青霉以麦糟为唯一碳源培养时,阿魏酸酯酶的最佳发酵时间为60 h,其酶活力可达40.8 mU/mL。在pH值为5.0、45℃、料液比1∶30(g∶mL)条件下,取47.5 U/mL的木聚糖酶粗酶液15 mL,加入1.0 g麦糟的乙醇不溶物,反应12 h后,加入40.8 U/mL的阿魏酸酯酶粗酶液15 mL再反应12 h,阿魏酸和低聚木糖释放率分别为54.1%和161 mg/g(麦糟的乙醇不溶物)。实验结果还表明,阿魏酸酯酶与木聚糖酶存在协同作用,能极大提高麦糟中阿魏酸及低聚木糖的释放率,有利于麦糟的降解。     

微波功率对a-C:F薄膜结构和光学性质的影响

用苯 (C6H6)和四氟甲烷 (CF4 )混合气体作源气体 ,用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术制备了含氟非晶碳膜 (a C :F)。着重讨论了输入的微波功率对成膜结构和性质的影响。我们对沉积的膜作了膜厚、扫描电子显微表面形貌 (SEM)、紫外 -可见光透射谱 (UV -VIS)、傅立叶红外变换 (FTIR)等的测量。结果表明随着微波功率的增加沉积速率一直在上升 ;同时膜中缺陷增多 ;从FTIR的结果我们发现膜中主要以C -F、CF2 和F -芳基成键 ;通过UV -VIS吸收谱的测量的结果我们求出了折射率和光学带隙 ;并且将光学带隙和膜中的sp2 碳浓度建立关系     

The Structure and I-V Property of a-C:F Thin Film

1. IntroductionWith the development of ultralarge-scale integration (ULSI), multilevel interconnections have be-come increasingly important. Interconnection delaycaused by parasitic caPacitance has attracted moreattention than gate delay. Low- die le ct riccon st antmaterials are required to reduce this delay and improve the swiching performance [1~41.An a-C:F thin film can be used as an ideal in-terlayer dielectric material fOr its low dielectric con-stant, good elecrtic proPerty, good ga…     

ZnO:Al透明导电膜的制备及其性能的研究

利用脉冲激光法制备了 Zn O:Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出 :掺杂比从0 .75%增至 1 .5%过程中 ,膜的载流子浓度、透光率 (在波长大于 50 0 nm的范围 )和光隙能相应增大。在氧分压强为 0 Pa(不充氧 )、掺杂比为 1 .5%左右时沉积的膜 ,其电阻率达到最小 ,其值为 7.1× 1 0 -4 Ω cm,且在可见光区其透光率超过了 90 %。     

掺杂比和氧分压对脉冲激光沉积ZnO:Al膜性能影响的研究

利用脉冲激光法制备了ＺｎＯ：Ａｌ透明导电膜，通过对膜进行霍尔系数测量及ＳＥＭ、ＸＲＤ测试分析，详细研究了靶材中的化学配比（掺杂比）对膜的透射比和电阻率的影响。结果表明：掺杂比、氧分压强曩响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出。掺杂比从０．７５％增至１．５Ｒ过程中膜的载汉子浓度、透射比（在波长大于５００ｎｍ的范围）和光隙能相应增大，在氧分压强为０Ｐａ、掺杂比为１．５％左右时沉积的膜，其