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针对深亚微米工艺下瞬态故障引发的软错误可能成为芯片失效的重要原因,提出一种容软错误的BIST结构--FT-CBILBO.该结构对并发内建逻辑块观察器进行改进,通过对多输入特征寄存器进行功能复用,构建双模冗余的容错微结构,并且能有效地降低开销;在触发器输出端插入C单元,可有效地针对单事件翻转进行防护,阻塞瞬态故障引发的软错误.在UMC 0.18μm工艺下的实验结果表明,FT-CBILBO面积开销为28.37%~33.29%,性能开销为4.99%~18.20%. 相似文献
92.
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三维集成电路(3D IC)带来了诸多的益处,譬如高带宽,低功耗,外形尺寸小。基于硅通孔的三维集成得到了行业的广泛采用。然而,硅通孔的制造过程引入了新的缺陷机制。一个失效的硅通孔会使整个芯片失效,会极大地增加成本。增加冗余硅通孔修复失效硅通孔可能是最有效的提高良率的方法,但是却带来了面积成本。提出了一种基于链式的信号转移冗余方案,输入端从下一分组选择信号硅通孔传输信号。在基于概率模型下,提出的冗余结构良率可以达到99%,同时可以减少冗余TSV的数目。 相似文献
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以还原型辅酶Q0(氢醌,Ⅳ)为母环,杂多酸为催化剂,与末端羟基取代的异戊二烯单元—(E)-1-苯磺酰基-2-甲基-4-羟基-2-丁烯(Ⅲ)进行偶联反应,溴苄酚羟基保护,制得6-(4-苯磺酰基-3-甲基-2-丁烯)-基-2,3-二甲氧基-5-甲基氢醌双苄醚(Ⅴ),收率75.0%,Ⅴ再与茄尼基溴(Ⅵ)偶联后制得接砜产物(Ⅶ),收率45.0%,Ⅶ经钠还原脱除苯磺酰基、硝酸铈铵氧化制得辅酶Q10(Ⅰ),收率30%。中间体与产物经测熔点、1HNMR和FTIR分析鉴定和确证结构。 相似文献
96.
三维(3-Dimensional,3D)电路由于其更高的密度、更高的传输速率及低功耗的优点逐渐受到人们的重视和研究,而硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技术是三维电路中互联上下层不同模块的主要方法之一。然而由于制造工艺水平的限制,在芯片制作完成后会出现一些失效TSV,这些失效TSV会导致由其互联的模块失效甚至整个芯片的失效。提出了一种多链式的硅通孔容错方案,通过将多个TSV划分为一个TSV链,多个TSV链复用冗余TSV的方法修复失效TSV。通过相关实验显示,该方案在整体修复率达到90%以上的情况下可以较大地减少冗余TSV增加的个数和面积开销。 相似文献
97.
为了减少三维IP(Intellectual Property)核绑定前和绑定后的测试总时间,提出了一种测试外壳扫描链优化方法。方法首先将三维IP核的所有扫描元素投影到一个平面上,用BFD算法将扫描元素分配到各条测试外壳扫描链,以减少绑定后的测试时间。再用提出的AL(Allocate Layer)算法将扫描元素分配到各层电路中,使得绑定前各条测试外壳扫描链的长度也能够平衡,以减少绑定前的测试时间和TSVs数量,并且AL算法能够使得各层电路所含的扫描元素总长度也尽可能的相等。实验结果表明,与国际上已有的方法相比,所提方法绑定前和绑定后的测试总时间减少了3.17%~38.18%,并且三维IP核各层电路所含的扫描元素总长度更加均衡。 相似文献
98.
利用一个和扫描链等长的扫描移位寄存器,对传统扫描链进行改造,提出了一种新型的选择触发的扫描链结构。它有效地降低了传统扫描链扫描移位过程中的动态功耗,并提高了扫描时钟频率,同时它所需要的测试数据为原始测试向量集的差分向量序列集合,编码压缩差分序列中连续“0”的测试数据后,在解压测试时不需要分离的CSR(Cyclical Scan Register,循环扫描移位寄存器)。在ISCAS’89基准电路上进行的实验表明,该方法与传统的串行扫描技术相比,能有效地降低扫描移位过程中的平均功耗。 相似文献
99.
基于参数化特征造型的水泵导叶CAD系统研制 总被引:2,自引:0,他引:2
详细分析了导叶参数化模型的建立过程和特征造型的实现方法,论述了在MDT平台上,借助于AutoCAD的二次开发工具ARX研制的集导叶水力模型计算、工程图绘制、三维实体造型等内容于一体的水泵导叶CAD系统,并通过运行实例证明了参数化特征造型技术应用于导叶CAD系统的可行性,对于提高导叶的设计质量和效率具有实际意义。 相似文献
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