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71.
面积坐标法构造含转角自由度的四结点膜元   总被引:3,自引:2,他引:1  
以四边形面积坐标作为工具,构造了两个含转角自由度的广义协调四边形单元AQ4和lAQ4。它们通过强式分片检验,与同类单元相比,具有很高的计算精度,能消除梯形闭锁现象,有很强的抗网格畸变的能力。  相似文献   
72.
珠江河口区水环境整体数学模型研究   总被引:15,自引:4,他引:11  
根据珠江河口区的特点,建立了珠江河口区水流,泥沙及含氟度的整体联解数学模型,探讨了联解的计算模式;利用珠江三角洲和河口区水流泥沙、含氟度连续条件,把珠江三角洲网河区一维水沙、含氟度输移数学模型和河口区二维水沙、含氟度输移数学模型进行联解。同时采用最新的地形资料并选用洪、中、枯水及大、中、小潮等多种水文组合条件对该模型进行分区验证和整体验证,模型验证成果满足精度要求。  相似文献   
73.
微机械热对流倾角仪温度补偿技术研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
王娟  徐淑静  徐爱东 《微纳电子技术》2006,43(8):393-396,404
介绍了微机械热对流倾角仪的工作原理和结构设计,利用有限元分析软件,计算了在不同倾斜状态下二维密闭腔中点热源引起的对流场和温度场,提出了环境温度对热对流倾角仪影响的模型。根据仿真结果,在电路中增加了加热丝恒定温度控制电路,建立了基于软件的环境温度补偿算法,实现了对温度影响的补偿。经测试,环境温度从-40℃变化到60℃时,倾角仪0°输入的温度稳定性为0.07°,10°输入的温度稳定性为0.02°。  相似文献   
74.
红外干扰技术的发展趋势   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍了红外干扰技术的发展历程以及装备的研制、改进情况,指出了在现代战争中发展红外干扰技术的优势和重要性,重点探讨了几种红外干扰的技术性能及其特点,最后论述了红外干扰技术的发展现状与趋势.  相似文献   
75.
超稠油的生产工艺非常复杂,影响油井效益的因素相对较多,因此对油井的评价就要评价各类有限资源投入的利用效果,查明积极因素和消极因素及其对经济指标的影响程度,促进经营管理的改善,寻求有效利用有限人力、物力、财力等资源的途径,实现资源的优化配置。本文通过使用DEA模型可对单井效益进行评价,对单井效益进行排队,对规模效益进行分类,对生产各投入因素进行投影分析,研究弱DEA、非DEA有效的原因,寻求对油井优化成本、提高效益的改进方案。  相似文献   
76.
嵌入式GPS车载系统定位数据压缩算法的实现   总被引:2,自引:0,他引:2  
徐广君  王海 《信息技术》2006,30(4):43-46
根据嵌入式系统的特征,分析数据压缩模型工作原理,结合GPS定位数据的格式和特点,创造性地提出了嵌入式GPS定位数据的实时压缩的新算法,并通过模拟仿真得到验证,效果显著。  相似文献   
77.
介绍了具有相同音频、视频编码方式的MPEG - 2节目流如何合并成一个节目流。合并后的文件播放流畅并且时间显示正确 ,它包括PATPMT表的重写 ,系统头部分相关字段的更改 ,PCR值的修改 ,解码时间标签 (DTS)和显示时间标签 (PTS)的重新确定 ,传送速率的修改以及添加相应的空包  相似文献   
78.
提出一种基于CMOS技术的静态双沿顺序脉冲发生器结构。他是由以基于CMOS二选一选择器的电平型触发器构成的记忆单元和一个与门阵列组成的转译单元构成的。与门阵列的转译单元使顺序脉冲发生器在时钟上升沿和下降沿处均能输出移位脉冲,从而形成双沿触发的功能。仿真验证其功能正确,且根据分析该结构不仅能够节省芯片面积,还可以大大减小芯片的功耗。  相似文献   
79.
针对川西新场气田JS12气藏开展了多参数的综合评价研究,多参数包括储层参数、裂缝参数、储层分类厚度参数。首先,开展了储层参数及裂缝参数的计算,以岩心分析结果为依据,建立了孔隙度、渗透率、含水饱和度计算模型。利用铸体薄片进行了微裂缝识别,对样品的裂缝参数和测井曲线进行相关分析,建立了测井计算裂缝参数的数学模型;其次,对储层进行聚类分析,通过聚类将储层分为三类;最后,将计算的裂缝参数、储层分类中的Ⅰ类储层厚度、孔渗饱等参数进行正态化处理,拟和测试的无阻流量与这些参数建立多元回归计算模型,即综合含气指标的数学计算模型。以综合含气指标为主要依据,进行储层综合分类和评价,指出了有利的含气区域和可供挖潜井的建议。该方法在指导气藏开发中获得了良好效果。  相似文献   
80.
新结构MOSFET   总被引:1,自引:0,他引:1  
林钢  徐秋霞 《微电子学》2003,33(6):527-530,533
和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET,包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小,这些新结构器件将大有前途。  相似文献   
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