超辐射发光二极管的应用

超辐射发光二极管(superlumineseent diode简称SLD)具有光谱宽、功率大等优点.作为一种特殊光源,SLD已经被广泛应用.简要介绍了SLD的主要特征,主要表征参数和发展现状,详细阐述了SLD在干涉式光纤陀螺仪、光学相干断层成像技术、波分复用技术、光时域反射仪、可调谐外腔激光器、光纤传感器和光纤测试等领域中的应用.     

薄膜和量子点的外延生长(英文)

首先简短地综述了人们关于外延薄膜材料层状(layer-by-layer)生长机制的认识;给出了作者关于自组装量子点外延生长过程的评价和观点,强调了量子点自组装生长过程的复杂性和非线性性质。在对已经发表过的实验数据进一步分析的基础上,作者对一个量子点自组装生长形成所需要的时间作了一个估算,说明这是一个非常快的过程(<10-4s)。最后,作者提出了一个理解量子点自组装生长过程机制的模型。     

InAs量子点双区共腔双稳激光器

本文介绍了一种新型的双区结构的InAs量子点激光器,实现了波长1.24μm室温连续激射,同时在对可饱和吸收区施加反向偏压或开路的条件下观察到了明显的光学双稳现象,其回滞宽度优于已知所报道的结果。此外,还发现减小反向偏压或增大吸收区长度能有效增加回滞宽度。应用一个改进的阈值电流模型,揭示了可饱和吸收区内量子点吸收和电吸收两种机制对光学双稳的影响,并对所观察到的实验结果进行了解释。     

王占国:建立国家级公共研发平台需体制创新

半导体照明是近十来年发展起来的一个新兴产业，由于其重要的经济和社会意义，已成为国际上新一轮高技术竞争的一个焦点。世界市场的争夺战已经在全球打响。目前国内企业刚刚起步，与国外的技术差距还比较大，高层次的研发人才薄弱，力量比较分散，加之资金投入的不足，靠单个企业进行技术工艺提升和高端产品的技术突破难度很大。在这种情况下，建立国家研发中心这样的公共研发平台，集中全国的产、学、研优势力量，进行协同攻关，实现重点突破形成有国际竞争力的中     

Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的LPE生长与性质研究

在GaSb衬底上用LPE法生长了晶格匹配的AlGaAsSb外延层。用室温光致发光和X射线双晶衍射分别测量了材料的禁带宽度和晶格常数,并与用内插法计算的结果进行了比较。用C-V和van der Pauw法测量了样品的电学参数。用激光喇曼散射和低温光致发光研究了材料的光学性质,观察到了类GaSb的LO模和类AlSb的LO模以及LO声子与等离子激元的耦合模L_-;对x=0.2,y=0.025的样品,由低温到室温的变温光致发光测量确定的禁带宽度的温度系数为-3.2×10~(-4)eV/K。此外对于晶格失配,P型的原因以及PL谱峰的展宽等问题进行了讨论。     

双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池

采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜.高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission Electron Microscopy,HRT...     

全息曝光形成连续工作的波长8.5微米分布反馈量子级联激光器

我们制作完成了波长8.5 µm附近的分布反馈量子级联激光器。使用全息曝光的方法完成了一级光栅的制备。通过在后腔面镀高反膜使器件能够完成从93K到210K连续工作并获得稳定的动态单模发射,边模抑制比20dB,调谐系数-0.277cm-1/K。80K时的输出功率超过100mW。     

Holographic fabricated continuous wave operation of distributed feedback quantum cascade lasers atλ≈8.5μm

The fabrication and characterization of distributed feedback（DFB） quantum cascade lasers emitting atλ≈8.5μm are reported.The first-order DFB grating structure was defined using the holographic lithography technique.Reliable dynamic single-mode emission with a side-mode suppression ratio of 20 dB and a tuning coefficient of-0.277 cm^-1/K from 93 to 210 K is obtained in continuous wave mode by using high-reflectivity coating on the rear facet.The output power is over 100 mW at a temperature of 80 K.     

Porous waveguide facilitated low divergence quantum cascade laser

A quantum cascade laser with a porous waveguide structure emitting at 4.5μm is reported.A branchlike porous structure filled with metal material was fabricated on both sides of the laser ridge by an electrochemical etching process.In contrast to the common ridge waveguide laser,devices with a porous structure give rather better beam quality.Utilizing this porous structure as a high-order mode absorber,the device exhibited fundamental transverse mode emission with a nearly diffraction limited far-field beam divergence angle of 4.9°.