锂离子电池组在线均衡系统设计

分析锂离子电池组不一致性产生的原因,阐述了电池组均衡的意义。在分析现有均衡电路拓扑结构的基础上,提出一种3 A电流充电均衡电路,完成了电池组在线均衡系统硬件电路设计。以电池组容量利用最大化为均衡目标,提出了电池组在线均衡控制策略。最后搭建电池组均衡测试平台实验验证了在线均衡系统及控制策略的可行性和可靠性。     

Active multi-mode-interferometer broadband superluminescent diodes

We report a new quantum dot superluminescent diode with a new device structure. In this device, a multi-mode-interferometer configuration and a J-bend structure were monolithically integrated. Owing to the multi-mode-interferometer structure, the superluminescent diode exhibits 60% increase in output power and 43% reduction in the differential resistance compared with the uniform waveguide width superluminescent diode fabricated from the same wafer. Our device produces an emission spectrum as wide as 103.7 nm with an output power of 2.5 mW at 600 mA continue-wave injection current. This broadband emission spectrum makes the axial resolution of the optical coherence tomography system employing the superluminescent diode to 6 μ m in theory, which is high enough for most tissue imaging.     

7.8μm二级分布反馈量子级联激光器

报道了基于应变补偿的InP基In0.53+xGa0.47－xAs/In0.52－yAl0.48+yAs分布反馈量子级联激光器．采用二级光栅作为反馈,激射工作波长为7.8μm,在1%占空比,5kHz频率的工作条件下,在93～173K的温度范围内,单模发射光谱边模抑制比均超过20dB,调谐系数dλ/dT=0.5125nm/K．在93K时,峰值功率为30mW,直到153K时,峰值光功率仍达到12mW．     

量子级联红外探测器

半导体基中远红外探测器在成像、传感、国家安全以及国防领域具有广泛的应用背景.目前,在这个领域最主流的技术之一是量子阱红外探测器( QWIPs).传统的量子阱红外探测器往往存在较大的暗电流和较低的工作温度等限制.量子级联探测器( QCDs)是一种新型的光伏型量子阱红外探测器.其工作原理基于电子吸收光子后在量子阱的子带间跃...     

车用动力锂电池组的测量与均衡方法分析

分析目前多种动力锂电池组的测量方法和均衡方案,采用LTC6802进行单体电池电压的测量与均衡,该芯片内部集成了串联锂电池组单体电压测量和均衡的功能,最后提出了一种与充电机配合的均衡方法,这种使用集成芯片采集电池组单体电压和均衡的方案,在实际应用中具有测量速度快,测量精度高,均衡方式灵活,功能配置方便,体积小巧,电路设计...     

粉末烧结铝镍钴永磁合金的质量控制

分析了粉末烧结铝镍钴（AlNiCo）永磁合金的主要缺陷及对产品质量的影响;根据多年的生产经验,针对具体缺陷提出了改善方案。粉末烧结AlNiCo永磁合金中主要缺陷包括气孔、变形、夹杂脏化等。从理论和实际生产的角度分析了造成“脏化”的原因,针对不同类型的“脏化”提出了不同的解决方案。     

湿法氧化Al0.85Ga0.15As时SiO2层的保护作用

本文研究了有无氧化硅保护层时Al0.85Ga0.15As层的高温湿法氧化。实验结果表明：氧化硅层对Al0.85Ga0.15As层的高温侧向湿法氧化速率基本无影响;被氧化区域SEM图像的衬度和有氧化硅保护层样品As拉曼峰的缺乏归因于被氧化区域中不存在氧化反应产物As,这有利于提高氧化层的热稳定性;有SiO2保护层样品的发光强度比无SiO2保护层样品的发光强度强的多,且具有SiO2保护层样品的发光峰位和半高全宽与氧化前的样品基本一致,而无SiO2保护层样品的发光峰位红移,半高宽展宽,这是由于氧化硅层阻止了GaAs盖层的氧化。     

Distributed feedback quantum cascade lasers operating in continuous-wave mode at λ≈7.6μm

正Distributed feedback(DFB) quantum cascade lasers(QCLs) in continuous-wave(CW) mode emitting atλ≈7.6μm are presented.Holographic lithography was used to fabricate the first-order distributed feedback grating. For a high-reflectivity-coated QCL with 14.5-μm-wide and 3-mm-long cavity,CW output powers of 300 mW at 85 K and still 10 mW at 270 K are obtained.Single-mode emission with a side-mode suppression ratio(SMSR) of about 30 dB and a wide tuning range of ~300 nm in the temperature range from 85 to 280 K is observed.     

半导体信息功能材料与器件的研究新进展

首先简要地介绍了作为现代信息社会基础的半导体材料和器件极其重要的地位,进而同顾了近年来半导体光电信息功能材料,包括半导体微电子、光电子材料,宽带隙半导体材料,自旋电子材料和有机光电子材料等的研究进展,最后对半导体信息功能材料的发展趋势做了评述.     

大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器

利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As/Ga As量子点激光器 :室温连续输出功率大于 3.5W,室温阈值电流密度 2 1 8A/cm2 ,0 .61 W室温连续工作寿命超过 3760小时