半导体信息功能材料与器件的研究新进展

首先简要地介绍了作为现代信息社会基础的半导体材料和器件极其重要的地位,进而同顾了近年来半导体光电信息功能材料,包括半导体微电子、光电子材料,宽带隙半导体材料,自旋电子材料和有机光电子材料等的研究进展,最后对半导体信息功能材料的发展趋势做了评述.     

大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器

利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As/Ga As量子点激光器 :室温连续输出功率大于 3.5W,室温阈值电流密度 2 1 8A/cm2 ,0 .61 W室温连续工作寿命超过 3760小时     

Research and Development of Electronic and Optoelectronic Materials in China

A review on the research and development of electronic and optoelectronic materials in China, including the main scientific activities in this field, is presented. The state-of-the-arts and prospects of the electronic and optoelectronic materials in China are briefly introduced, such as those of silicon crystals, compound semiconductors, synthetic crystals, especially nonlinear optical crystals and rare-earth permanent magnets materials, etc. , with a greater emphasis on Chinese scientist's contributions to the frontier area of nanomaterials and nanostructures in the past few years. A new concept of the trip chemistry proposed by Dr. Liu Zhongfan from Peking University has also been described. Finally the possible research grants and the national policy to support the scientific research have been discussed.     

松辽盆地北部葡萄花油层事件沉积

在松辽盆地北部长垣以西葡萄花油层下部发现了风暴岩和浊积岩事件沉积,两者均属于较深水低密度沉积。根据岩性、岩相和沉积构造特征,风暴岩从下向上可依次划分为液化泥岩、含砾泥岩、泥砾岩、密集砾岩、湖相泥岩、滑塌变形6个岩相段;与之对应的形成过程依次为:液化、混杂悬浮、冲刷、牵引、稳定、滑塌变形6个阶段。浊积岩由6期事件形成,下部为不完整的鲍玛序列,分别由A、B2段构成;最后一期相对较完整分别由A、B、C、E段构成。风暴岩及浊积岩均形成于坡折带发育区的低水位体系域,两者具备相似的成因背景,其形成过程具内在的因果关系,松辽盆地长垣以西地区深水低密度部分浊积岩是由风暴作用机制触发而形成的。     

在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异

运用金属有机气相外延设备 ,在蓝宝石衬底两个相反取向的 c面上同时生长六方相氮化镓薄膜 .对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、透射电子显微镜的分析和研究 .发现这两个薄膜有许多不同之处     

ZnO∶Tb纳米晶的制备、结构与发光性质

采用乙醇溶液中水解醋酸盐的方法合成了一种稀土掺杂的半导体纳米材料——掺铽的ZnO纳米晶,并对其结构与发光性质进行了研究,结果表明掺铽的ZnO纳米晶为六方纤锌矿结构,纳米颗粒表面有醋酸根络合物使颗粒之间互相分散,ZnO纳米基质与发光中心之间存在能量传递,引起稀土铽的特征发光．     

MOCVD生长的InGaN合金的性质

对使用 MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型 In Ga N样品进行了光致发光 (PL)、霍耳 (Hall)及扫描电镜 (SEM)测量 .结果表明 :适当的生长温度 (75 0℃ )提高了样品中 In的含量和 PL 强度。当 / 族比率大约 5 0 0 0时 ,75 0℃生长的样品背景载流子浓度约为 2 .2 1× 10 1 8cm- 3,In含量约为 11.5 4% .其室温 394nm的带边峰 ,半高宽约为 116 me V,束缚能约为 32 .4m e V,可能与束缚激子发光相关 .该样品禁带宽度随温度变化的温度系数 α (d E/ d T)约为 0 .5 6× 10 - 3e V/ K.较高温度 (80 0℃和 90 0℃ )生长的样品 In含量较低 ,PL 强度较弱 ,且在样     

MOCVD生长的InGaN合金的性质

对使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型InGaN样品进行了光致发光(PL)、霍耳(Hall)及扫描电镜(SEM)测量．结果表明:适当的生长温度(750℃)提高了样品中In的含量和PL强度。当Ⅴ/Ⅲ族比率大约5000时,750℃生长的样品背景载流子浓度约为2.21×1018cm-3,In含量约为11.54%．其室温394nm的带边峰,半高宽约为116meV,束缚能约为32.4meV,可能与束缚激子发光相关．该样品禁带宽度随温度变化的温度系数α(dE/dT)约为0.56×10-3eV/K．较高温度(800℃和900℃)生长的样品In含量较低,PL强度较弱,且在样品表面析出了金属In滴．     

在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异

运用金属有机气相外延设备,在蓝宝石衬底两个相反取向的c面上同时生长六方相氮化镓薄膜．对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、透射电子显微镜的分析和研究．发现这两个薄膜有许多不同之处．     

制备几种典型复合纳米线的相关实验及其分析

近年来,复合纳米线的制备成为低维纳米结构研究的一个热点.综述了几种典型复合纳米线的生长方法,分析了它们的生长机制,以及影响它们生长的各种因素.希望通过这几个制备复合纳米线的实验的分析与研究能对相关实验研究工作提供一些参考.