客户关系管理辨析

从管理策略的视角对客户关系管理的涵义、内容、与营销、电子商务、供应链管理和流程再造的关系以及企业实施的成熟度等方面进行了辨析，认为客户关系管理是企业生存法则的回归。     

基于数字签名方案的口令鉴别方案

本文在广义ＥｌＧａｍａｌ型签名方案上建立了许多口令鉴别方案，并且提出了文［１］的三个改进方案。利用这些方案，计算机系统不仅能监测和控制口令的使用，而且可以抗击许多对口令的伪造攻击。     

一种连续波多站发射机及频谱分析

介绍了一种连续波多站发射机的新方案，从理论上对该机的发射频谱进行了分析，并与实际结果进行比较。理论和实际都证明该方案具有很好的交调抑制、谐波抑制和杂波抑制、相噪低等诸多优点。     

缓冲层对氮化镓二维生长的影响

报道了在射频等离子体（RF-Plasma)辅助的分子束外延（MBE）技术中，使用白宝石（0001）衬底，采用低温缓冲层工艺外延氮化镓（GaN)。通过原子力显微镜（AFM）的表面形貌比较及X射线双晶衍射（XRD）ω扫描摇摆曲线的分析，讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系，确立了缓冲层的三维成核，准二维生长的生长机理，并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长，进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。     

碎丝埋弧焊在大型立式储罐中的应用

大型储罐底板焊接及变形控制是保证储罐整体施工质量的关键环节,采用碎丝填充的焊接方法可以防止变形,同时可以有效地避免应力集中,提高施工质量。文章介绍了碎丝埋弧焊的原理、工艺参数和焊接方法。实践证明,填充碎丝不仅是一种减小底板焊接变形的手段,同时可以充分利用焊接热能,节约焊接时间和焊剂用量,经济效益好,是一种值得推广的技术。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

(Cd,Co,Nb)掺杂的SnO2压敏材料的电学性质

研究了Cd对(Co，Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响。组分为97．65％SnO2 O．75％Co2O3 0．10％Nb2O5 1．50％CdO的压敏电阻具有最大非线性系数(a=22．2)和最高的势垒(ψB=0．761eV)．当CdO的摩尔分数从0增加到3％时，(Co，Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从366V／mm增大到556V／mm，1kHz时的相对介电常数从1429减小到1108。晶界势垒高度测量揭示，SnO2的晶粒尺寸的减小是击穿电压增高和介电常数减小的主要原因。对Cd掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。     

产品设计方案的多目标决策分析及其智能支持系统

用模糊多目标决策方法对产品设计方案进行决策分析并设计出相应的智能计算机支持系统，实例证明这一方法在实际应用中是有效的和可靠的。     

新型埽工--笼埽在黄河控导工程中的应用

介绍了新型埽工——笼埽的结构形式、施工方法，其优点为：(1)克服传统埽工施工工序复杂、速度慢、效率低的缺点；(2)笼埽可工厂化生产，减少现场作业工序和作业面后移；(3)充分利用大型施工机械进行大体积单个笼埽结合机械化施工，作埽速度快、强度高；(4)减少柳料用量，利于环境保护．结合在兰考蔡集控导工程水中进占工程中的应用，从施工准备、机械配合与人员安排及施工流程等方面对笼埽施工技术作进一步说明，并总结了施工注意事项．最后，进行了效益评价并提出了扩大技术应用范围和进行水槽实验的完善思路．     

发射极δ掺杂的InGaAs/InPDHBT的特性分析

设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和.