多轴特种车上装转动惯量测试及计算

特种车辆上装质量特性参数的准确性是车辆振动分析的重要基础,转动惯量数值是决定车辆承载结构边缘振动加速度的关键量.将多体振动理论应用于多轴特种车的振动分析,研究了上装体振动加速度与惯性矩间的关系,推导出上装体转动惯量的测试计算方法.根据多轴特种车的特点,设计了试验测试方式和试验数据处理算法,以及算法的验证方法.     

玻璃和聚酰亚胺衬底上磁控溅射沉积的ZnO:Al透明导电膜的结构、电学和光学性能(英文)

利用射频磁控溅射方法在玻璃和聚酰亚胺膜(PI)衬底上沉积了氧化铝质量分数为2%的掺铝氧化锌透明导电薄膜(ZnO∶Al)。系统地研究了不同衬底材料对薄膜的结构、电学以及光学性能的影响。分析表明,衬底材料对薄膜的结晶性和电学性能有较大的影响,对可见光透射率却影响不大。X射线衍射(XRD)分析得出所有的ZnO∶Al具有良好的c轴择优取向性,在可见光区(400～800nm)两种衬底上的薄膜都达到了85%的透射率。玻璃衬底上的薄膜呈现出更强的(002)衍射峰及相对更小的半峰全宽(FWHM),薄膜电阻率达到了2.352×10-4Ω.cm。电镜分析表明,相对于PI上的ZnO∶Al膜,玻璃上ZnO∶Al膜表面有更致密的微观结构及更大的晶粒尺寸。PI衬底上的ZnO∶Al膜也有相对较好的电、光学性能,其中电阻率达到了6.336×10-4Ω.cm,而且由于PI衬底柔性可弯曲,使得它适于在柔性太阳电池和柔性液晶显示中做窗口层材料及透明导电电极。玻璃上的ZnO∶Al膜则可应用在平板显示和太阳电池技术中。     

Photoluminescence properties and chemical bond variations of SiN x :H films with silicon quantum dots

Hydrogenated silicon nitride(SiNx :H) thin films are deposited on p-type silicon substrates by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) using a gas mixture of ammonia and silane at 230 °C.The chemical compositions and optical properties of these films,which are dealt at different annealing temperatures,are investigated by Fourier transform infrared(FTIR) absorption spectroscopy and photoluminescence(PL) spectroscopy,respectively.It is shown that the FTIR presents an asymmetric Si-N stretching mode,whose magnitude is enhanced and position is shifted towards higher frequencies gradually with the increase of the annealing temperature.Meanwhile,it is found that the PL peak shows red shift with its magnitude decreasing,and disappears at 1100 °C.The FTIR and PL spectra characteristics suggest that the light emission is attributed to the quantum confinement effect of the carriers inside silicon quantum dots embedded in SiNx : H thin films.     

磷酸二氢钾盐对热致液晶聚合物的合成与性能影响研究

以对羟基苯甲酸、联苯二酚、对苯二甲酸、间苯二甲酸为单体,分别以醋酸酐和乙酸镁为酰化剂和催化剂,并在合成过程中添加0.000%～0.030%(基于单体总质量)磷酸二氢钾盐(KH2PO4),采用预聚合-固相聚合工艺制备热致液晶聚合物(TLCP)。研究了KH2PO4添加量对预聚合、固相聚合工艺以及所得树脂热性能、色泽和力学性能的影响。结果表明:磷酸二氢钾对预聚合与固相聚合有催化作用,TLCP树脂的熔融温度随磷酸二氢钾添加量的增加而提高,当添加0.025%的KH2PO4合成的树脂色泽以及力学综合性能最优。     

PEB-g-MAN的合成与表征

用悬浮接枝共聚法合成了乙烯-1-丁烯共聚物(PEB)与甲基丙烯酸甲酯(MMA)-丙烯腈(AN)的接枝共聚物(PEB-g-MAN)。用不同性质的溶剂以抽提法将接枝共聚产物所含组分逐步分离,用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)分析了各组分聚合物的归属。研究了AN/(MMA+AN)投料质量比(fAN)对接枝共聚反应行为及产物各组分含量的影响。用凝胶渗透色谱法(GPC)对各组分相对分子质量及其分布进行了表征。结果发现,接枝共聚体系存在PEB与MMA-AN接枝共聚、PEB与MMA接枝均聚、MMA与AN共聚和MMA均聚等基元反应。     

MOS隧道结的光发射

介绍了一种新型的半导体电致发光器件并讨论了提高其发射效率所采取的措施     

用激光俣成线性热敏电阻瓷料

采用ＣＯ２激光合成陶瓷材料工艺合成出Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３线性热敏电阻材料，该材料在－２０－２３０℃范围内具有良好线性，讨论了激光合成工艺参数如激光功率、作用时间等对合成材料性能的影响，分析了合成材料的导电机理。     

真空溅射制备PZT铁电薄膜

采用射频溅射法制备了ＰＺＴ铁电薄膜材料，测量了薄膜材料的介电常数和电滞回线，分析了薄膜的成分。ＸＲＤ分析结果表明，溅射形成的ＰＺＴ薄膜的结构和铁电性能强烈依赖于成膜工艺中的衬底温度。薄膜的居里点为２５０℃左右，靶的组成以Ｐｂ１．１０（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３为宜。     

Sol-Gel法制备BST铁电薄膜及其性能分析

用Sol-Gel法制备出表面致密,界面清晰的BST铁电薄膜。分析了BST薄膜的J-V特性,由于使用了不同的上下电极,导致J-V曲线的不对称,且在外延生长的Pt电极上制备的BST薄膜有较低的漏电流。分别在大气和干燥气氛下测量了BST薄膜的介电特性,分析结果表明:湿度对BST薄膜的介电特性有很大的影响,为了得到正确的介电特性,其测量必须在真空或干燥气氛下进行。     

提高家用热水器电磁阀抗蚀性的途径

家用热水器的电磁阀长期与煤气接触，易受煤气中氯离子和硫离子等杂质的腐蚀。采用磁射频反应溅射技术，对电磁阀的表面进行了真空渗氮处理，并在表面沉积性能优良的氮化铝（ＡｌＮ）钝化膜，试验表明，该方法可提高电磁阀的抗蚀性。