高分子电致变色和电致发光材料应用技术的进展

介绍了导电高分子材料在电致变色和电致发光方面的应用，综合报道了该科学技术领域国内外的进展状况以及存在的问题，并对电致变色和电致发光机理、材料制备与器件的制作等研究现状作了评述。     

发刊词

纳米科技是20世纪80年代发展起来的前沿交叉学科。它利用现代化的微观测试技术和手段,将人类认识自然、改造自然的工作带入到一个全新的领域——介观世界。在这片全新的领域中,有许多新的规律和现象有待发现,有许多新的技术和器件有待研发,无论从纳米技术的基础研究还是从应用开发来看,该领域都充满了巨大的创新机会和广阔的市场空间。     

硅锥场发阴极电热状态的数值模拟

用有限差分法求解相互耦合的电流连续方程导热方程，对硅锥阴极的电热状态进行了数值模拟。模拟中采用了与温度、电场相关电导率模型。模拟的表明，锥体顶端的电位变化比较突出，在较小的电流下其内部电场即可以达到临界场强，使载流子漂移速度开始饱和，并表现出饱和的发射特性。在尖锥顶端内部电场达到监界场强直至发生碰撞电离时，温升不显。     

Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统制备及退火气氛对其热稳定性的影响

采用磁控溅射法在n型〈111〉晶向的Si衬底上形成了Zr-Si-N薄膜及Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统.将Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统样品分别在真空及H2/N2(体积比为1∶9)气氛中800℃退火1h.对Zr-Si-N 薄膜和退火后的金属化系统样品进行X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜、薄层电阻率及俄歇电子能谱测试与分析.结果表明,Zr-Si-N阻挡层是以ZrN晶体与非晶相Si3N4或其他Si-N化合物的复合结构形式存在.经过两种气氛退火后的样品均没有发生阻挡层失效,但与真空退火相比,H2/N2退火气氛由于不存在残余O2的作用而表现出较低的Cu膜薄层电阻率及较好的Cu/Zr-Si-N/Si界面状态.     

真空微电子二极管及微位移传感器的研究

首次用电荷模拟法计算了真空微电子二极管及真空微电子微位移传感器的场致发射阴极与阳极问的电场分布,进而计算了真空微电子二极管的电流一电压特性和微位移传感器的电流—位移(即阴、阳极间距)的关系曲线。模拟了两种结构的场致发射阴极:圆锥形和劈形。并用测试精度可达4 nm的水槽法模拟实验对计算结果进行了验证,理论计算与实验结果符合地很好。     

快速乘法器中高速4-2压缩器的设计

文章给出了两种优化的4－2压缩器电路结构，一种是选用不同结构的异或门电路对传统的异或门4－2压缩器结构进行优化，另一种是通过单值到双值逻辑的转换用传输门搭建的4－2压缩器电路。基于0.35μm和0.25μm CMOS模型参数的SPICE模拟。对两种4－2压缩器电路的最大延迟，功耗和面积进行了比较。结果表明，和库综合的4－2压缩相比，文章的设计对提高乘法器速度减小面积是有效的。     

根据已知C—V特性确定超突变结变容管设计参数的方法

本文根据新的超突变结电容电压方程，采用数值筛选方法，可方便、快速地确定出已知C－V曲线变容管的几个主要设计参数。     

碳纳米管及其应用

综述了碳纳米管材料当前的研究状况、独特性质及其应用潜力,对碳纳米管材料的制备技术进行了简单介绍,详细说明了碳纳米管场致发射显示器的工作原理和制作技术、方法,讨论了碳纳米管材料在各种应用领域中的巨大应用前景,包括高强度复合材料、微机械、信息存储、纳米电子器件、平板场致发射显示器以及碳纳米管微操作等。利用碳纳米管材料制作的平板显示器具有优越的视觉性能,而且可以极大地降低生产成本。     

电热激励微谐振器及谐振式传感器

硅微谐振式传感器具有灵敏度和分辨率高、准数字信号输出、抗干扰能力强的优点,在精确测量领域具有独特的优势。其中,电热激励/压敏电阻拾振的微谐振器与工业IC技术兼容,可将敏感元件与信号调理电路集成在一块芯片上构成功能强大的智能传感器。着重论述了电热激励/压敏电阻拾振的硅微谐振器的几种典型结构及其制造技术,并在此基础上阐述了以该谐振器为敏感元件开发的质量流量、气体、压力、温度和接近传感器等多种谐振式传感器。     

微机械传感器的现状与发展

概述国内外目前已实现的微机械传感器，特别是微机械谐振式传感器的类型、工作原理性能和发展方向。