SiO_2:Er和Si_xO_2:Er薄膜室温Er~(3+)1.54μm波长的电致发光

在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,蒸上电极 ,形成发光二极管 (LED)。室温下在大于 4V反偏电压下发射了来自 Er3+的 1 .5 4μm波长的红外光。测量了由 Si O2 :Er/n+ -Si样品和 Six O2 :Er/n+ -Si样品分别制成的两种 LED,其 Er3+1 .5 4μm波长的电致发光峰强度 ,后者明显比前者强。还发现电致发光强度与 Si O2 :Er/n+ -Si样品和 Six O2 :Er/n+ -Si样品的退火温度有一定依赖关系     

GaAs:Cr中的Cr~(4+)(3d~2)态的光激发电子顺磁共振研究

本文报道GaAs∶Cr中Cr~(4+)(3d~2)态的光激发电子顺磁共振(EPR)研究结果.实验表明,Cr_(4+)的EPR信号强度对温度关系在20-30K间达极大值.中子辐照能抑制Cr~(4+)的EPR信号,但对Cr~(2+)的EPR信号基本无影响.实验首次发现Cr~(4+)EPR信号在光照停止后先陡然增大然后逐渐下降,而不是光照停止后随即单调下降的现象.     

用深能级瞬态谱及瞬态电容研究靠近禁带中央能级的新方法

半导体中的深能级杂质缺陷在禁带中往往有好几个能级,如果其中有接近禁带中央的能级,它在载流子复合等问题中起重要作用.本文指出利用接近禁带中央的能级在深能级瞬态谱(DLTS)中的峰高与其它能级的峰高的比值或利用相应的瞬态电容的初始值的比值,可以求出接近禁带中央的那个能级的电子热发射率与空穴热发射率的比值C_n(T)/e_p(T),结合DLTS的率窗或瞬态电容的时间常数,可以同时确定该能级的e_n(T)及c_p(T),并可进而求出该能级在禁带中的位置、禁带宽度在绝对零度的外插值等参数.以掺金的硅为例应用上述方法,在较高的温度范围用DLTS,在较低的温度范围用瞬态电容,求得了金的受主能级的c_n(T)/c_p(T).c_n(T)、c_p(T)及其它参数,与文献所载的用其它方法求出的相近.文中还讨论了这种方法的误差以及这种方法在识别杂质缺陷方面的可能作用.     

富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究

以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅与总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜．所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟．通过Ｘ射线光电子能谱、光吸收和光致发光测量确定出：随着硅在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纯硅（纳米硅）的量在增加，纳米硅粒的平均光学带隙在减小；但不同富硅量的二氧化硅膜的光致发光谱峰都接近于１．９ｅＶ，随硅在溅射靶中面积比增加，发光峰有很小的红移，其红移量远小于纳米硅粒的平均光学带隙的减少量．     

GaN材料生长研究

用常压ＭＯＣＶＤ方法我们在蓝宝石，Ｓｉ衬底上，成功地制备出ＧａＮ单昌薄膜材料，取得了ＧａＮ材料的初步测试结果，纯度ＧａＮ为ｎ型，载流子浓度为１０＾＾１７－１０＾１８ｃｍ－＾－３，迁移率为２００－３５０ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ．双晶衍射半峰宽为７‘，室温ＰＬ光谱本征发光波长为３７０ｎｍ，并首次观察到掺ＺｎＧａＮ呈ｐ型电导。     

氢对Al/p-Si Schottky二极管的影响(英文)

Al-contact Schottky diodes were made on p-type, B-doped Si in which hydrogen had been introduced in three different ways: growing in hydrogen, boiling in water and exposuring to the plasma-hydrogen. These Schottky diodes were characterized with C-V, I-V and DLTS measurements, showing that hydrogen injection results in (i)neutralization of acceptors; (ii)tncrease of the diffusion potential in the depletion region and decrease of the forward current; (iii) inhibition of deep level centers near the Al/Si interface.     

用C-V法同时测量半导体中深中心和浅杂质的浓度分布

测量半导体深中心浓度分布和测量浅杂质浓度分布一样,是一个十分重要的问题.本文提出用C-V 法同时确定半导体中深中心和浅杂质浓度分布的方法,在深中心浓度和浅杂质浓度可比的情况下,它的结果尤为精确.文中讨论了测试原理和测试方法并以掺金硅N~+-P结二极管和汽相外延N型砷化镓肖脱基二极管为例进行了测量.     

γ辐照的半绝缘GaAs：Cr的电子顺磁共振研究

本文报道γ辐照的ＧａＡｓ：Ｃｒ的光激发电子顺磁共振（ＥＰＲ）研究结果．实验结果表明γ辐照不仅改变了其内硅谱线的光淬灭特性，同时还产生一条ｇ值为２．０８、线宽约３e－２Ｔ无光淬灭特性的新谱线，初步分析表明它可能来自于砷空位（ＶＡｓ）．     

多孔硅发光峰位波长为370nm的紫外光发射

对特定工艺制备的多孔硅进行干氧氧化处理，观察到光致发光峰位波长为３７０ｎｍ左右的紫外光发射．紫外光强度与高温氧化温度有关，当氧化温度为１０００℃时，多孔硅紫外光发射最强，而在１１５０℃温度下氧化５ｍｉｎ，多孔硅纳米硅粒消失后，紫外发射变得很弱．紫外光峰位与氧化温度无关，但在１０００℃氧化的多孔硅光致发光谱中出现附加的位干３６０ｎｍ的发光峰．如认为光激发主要发生在多孔硅的纳米硅粒中，而光发射主要发生在多孔硅中包裹纳米硅的ＳｉＯｘ层中的两种（或多种）发光中心上，则本文的实验能被很好解释．     

RF磁控溅射技术制备纳米硅

利用硅-SiO2复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅量不同的SiO2薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火。利用x射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析,结果表明三种样品都存在纳米硅粒子。使用高分辨率透射电子显微镜和电子衍射技术研究了退火后样品中纳米硅粒子析出和结晶情况,富硅量较大的两种SiO2薄膜都观测到纳米硅晶粒。统计结果表明:复合靶中硅组分从20%增加到30%,纳米硅晶粒的平均尺寸增加了15%、密度增加了2.5倍,而且随着退火温度从900℃增加到1100℃,纳米硅晶粒的平均尺寸和密度都明显增加。