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121.
本文介绍用闭路非线性近似法设计多层增透膜,使膜系最佳化程序简单而迅速。理论 入射角为θ_0的P偏振(TE波)入射辐射,多层膜系的反射公式为 相似文献
122.
由于材料的自发辐射寿命短(3.2μs),所以Ti:Al_2O_3激光器的研制主要受激光泵浦的限制。Esterowitz等人报导了Ti:Al_2O_3的效果良好的闪光灯泵浦:用染料包围激光棒聚变闪光灯的近紫外光为与钛吸收带重叠的兰绿光,提高了效率(图1),本文叙述了显著提高闪光灯泵浦效率并较好地表征闪光灯泵浦特性的成功尝试。 相似文献
123.
为了提高药品包装用聚乙烯(PE)薄膜的阻隔性能,利用射频等离子体增强化学气相沉积技术,以氧气(O2)和六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为氧化性气体和硅源单体,在PE薄膜表面沉积一层纳米厚度的柔性SiOx涂层。采用傅里叶变换红外吸收光谱、原子力显微镜和气体透过率测试仪对SiOx涂层的化学结构成分、表面微观形貌和气体阻隔性能进行表征。结果表明:SiOx涂层的化学结构和表面形貌对其阻隔性能有显著的影响。沉积工艺参数对SiOx涂层的阻隔性能起到了至关重要的作用。经过参数优化后制备的SiOx涂层可以有效地提高PE薄膜对氧气的阻隔性能,当射频功率为50 W,氧气和六甲基二硅氧烷的比例为2∶1,沉积气压为20Pa时制备的SiOx涂层的透氧值可从原膜的3 000mL/(m2·d)降低到30mL/(m2·d),对氧气的阻隔率可以提高100倍。 相似文献
124.
通过硬度测试、SEM、TEM及EBSD研究变形量、退火温度及时间对冷轧Zr-1Sn-0.3Nb-0.3Fe-0.1Cr合金再结晶行为及动力学的影响。结果表明,该合金的再结晶速率随着退火温度的升高及冷轧变形量的增加而加快。退火过程中再结晶晶粒在位错缠结的高储能处优先形核长大。板材织构由?1010?//RD的基面织构转变为?1120?//RD的基面织构。再结晶晶粒形成较多的30°取向差。同时,通过JMAK方程拟合出合金再结晶动力学参数及30%、50%和70%变形量条件下的再结晶图,获得其再结晶激活能分别为240、249和180 k J/mol。 相似文献
125.
126.
介绍了以乙酸甲酯和甲醇为原料合成年产20 kt乙酐和20 kt乙酸的过程,并且介绍了在以LiI为促进剂的铑-碘均相催化剂作用下、170~199℃的温度范围及5.0 MPa压力条件下,管式环流反应器在乙酸/乙酐合成中的应用。分析了反应器内流体的流动特点和羰基合成的反应过程,建立了数学模型。计算得到了反应器内反应物料转化率、各组分浓度、温度和冷却水温度等各种参数沿物料流动方向的分布,同时对反应器进行了热稳定性分析。计算结果表明,当系统在操作过程中转化率偏离定常态0.000 1,温度偏离定常态0.000 1℃时,转化率和温度能分别在4×10-6s和8×10-6s内回到定常态,整个反应体系是稳定的。 相似文献
127.
宏孔硅阵列(MSA)在光子晶体、硅微通道板、MEMS 器件等领域应用前景广阔,引起人们广泛关注。为制备理想的MSA结构,本文开展了MSA光电化学方法腐蚀实验,重点研究了腐蚀电流密度对宏孔形貌的影响。给出了n型硅抛光片背面光照情况下在氢氟酸溶液中的电流-电压扫描曲线,讨论了临界电流密度JPS的意义和MSA稳定生长的基本电流密度条件。提出了一种间接地测量JPS与腐蚀时间关系的方法,并根据JPS的测量结果调整腐蚀电流,实现了理想的MSA等径生长,制备出孔深度为295m,长径比为98的MSA结构。 相似文献
128.
从高压圈投料的氨碳比、水碳比、反应温度、压力等工艺条件的优化控制出发,采取相应措施,减少氨在中、低压系统的放空损失,促进氨的回收再利用,从而达到降低氨耗的目的。 相似文献
129.
130.