涂胶设备背面冲洗功能的开发与研制

本文根据涂胶设备在加工制品过程中所遇到的制品背面沾污问题，提出改进措施，并根据设备的具体情况，增加了涂胶设备的背面冲洗功能。使制品在涂胶过程中，及时地对制品背面进行冲洗，从而保证了制品背面的洁净度，对提高产品质量和提高产品的成品率有非常重要的意义，同时对开发一些技术要求较高的新品也有深远的影响。     

正交异性矩形薄板的稳定性分析

本文求得了正交异性矩形薄板屈曲位移函数微分方程的一般解。可用以求解任意边界矩形板的稳定问题。以两邻边简支，另两边自由的正方形板为例进行了计算。     

一种确定化学调剖处理半径的新方法

针对目前化学调剖处理半径的确定方法存在误差大,无法满足现场需要的问题,利用平板可视模型,模拟研究了调剖剂在非均质油藏中的渗流特性以及调剖剂的分布形态,得到了处理半径与最终采收率增幅的关系。研究表明,处理半径为0.18~0.24井距时采收率增加幅度达到最大。在新疆L油田开展了现场试验,处理半径按0.2倍井距设计,取得了比较好的效果。研究结果对注水井调剖具有一定指导作用。     

超临界CO2萃取技术及成套装备

介绍了超临界CO2 萃取这一新兴分离技术在工业化装置的工艺流程、化工过程、设备及过程控制系统等方面的内容     

汉白玉废料制备球形纳米碳酸钙的研究

将汉白玉废料通过高温煅烧分解得到氧化钙,再用氯化铵循环液溶解氧化钙制得碱性氯化钙溶液,除去其中的Mg、Fe等杂质得到氯化钙精制溶液,利用化学方法合成得到碳酸钙粉体.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及激光粒度分析仪、白度仪对碳酸钙产品的晶相组成、形貌、粒度分布、白度及化学组成进行了分析,所得产品为纯度达98.5%以上、白度达97%以上、平均粒度为80nm左右的球形纳米级碳酸钙.并对碳化反应速率及合成球形纳米碳酸钙的影响因素进行了分析.实验中循环使用NH4Cl,氨的排放量小,减少了环境污染.     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

松辽盆地北部西斜坡区稠油成因与油源关系

松辽盆地北部西斜坡区分布的稠油资源是油气勘探的潜在领域。油藏流体地球化学分析表明，该地区稠油形成主要与厌氧细菌的生物降解作用有关。稠油的高温气相色谱分析，可以把稠油划分为2种成因类型、5个亚类。生物降解成因类型包括严重降解稠油、中等降解稠油和轻度降解稠油3个亚类；混合成因类型包括降解原油与原油蒸馏轻烃混合形成的稠油和降解原油与未降解原油混合形成的稠油2个亚类。生物标志化合物参数揭示的油岩关系表明，稠油来自斜坡东部的齐家—古龙凹陷的成熟烃源岩和该地区的未熟—低熟烃源岩，优越的油源条件为该地区稠油勘探展示了广阔前景。     

塔里木河流域源流及干流水均衡分析

通过对塔里木河流域源流及干流的径流变化和水均衡分析 ,表明塔里木河源流来水基本稳定 ,由于源流灌区引水以及渗漏蒸发等损失加剧 ,干流水量存在减少趋势 ,并加剧了水量的时间分配不均 ,不利于干流农业的可持续发展和生态环境的维护与改善     

一种新型谐振腔增强型光调制器结构的研究

提出了一种新型谐振腔增强型(RCE)光调制器结构,它由一个对称型谐振腔增强型光调制器和一个高反镜所构成.利用传输矩阵法对该器件的插入损耗及临界吸收厚度进行了模拟分析,并同传统谐振腔增强型光调制器的相关性能进行了比较.分析结果表明,这种结构解决了传统谐振腔增强型光调制器的临界吸收厚度与插入损耗之间相互制约的矛盾,可同时获得低临界吸收厚度和低插入损耗.     

mc-Si:H/c-Si solar cell prepared by PECVD

Hetero-junction solar cells with an mc-Si:H window layer were achieved. The open voltage is increased while short current is decreased with increasing the mc-Si:H layer's thickness of emitter layer. The highest of V oc of 597 mV has obtained. When fixed the thickness of 30 nm, changing the N type from amorphous silicon layer to micro-crystalline layer, the efficiency of the hetero-junction solar cells is increased. Although the hydrogen etching before deposition enables the c-Si substrates to become rough by AFM images, it enhances the formation of epitaxial-like micro-crystalline silicon and better parameters of solar cell can be obtained by implying this process. The best result of efficiency is 13.86% with the V oc of 549.8 mV, J sc of 32.19 mA·cm-2 and the cell's area of 1cm2.