脉冲激光沉积技术制备超导铌薄膜及其特性研究

采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅衬底上制备超导Nb薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨X射线光电子能谱(XPS)、综合物性测量系统(PPMS)等测试分析手段,分别考察了不同激光能量、靶基间距、衬底温度对Nb薄膜晶体结构、表面形貌和电学性能的影响。结果表明,Nb薄膜在(110)晶向择优生长,并且随着激光能量的增加,薄膜的结晶质量逐渐提高;合适的衬底温度和靶基间距有利于提高Nb薄膜的结晶性能;在激光能量280 mJ、靶基间距5cm、加热盘温度650℃时制备所得Nb薄膜在(110)晶面半峰宽(FWHM)为0.39°,超导转变温度(Tc)为8.6K,且Nb薄膜具有良好的结晶性能和超导特性。     

从废弃镍氢电池负极板中回收稀土金属

通过废弃镍氢电池负极板在稀硫酸中的浸出实验,考察了稀硫酸浓度、稀硫酸体积与废弃镍氢电池负极板质量比(液固比)、浸出时间、搅拌转速等因素对稀土金属(RE)浸出率的影响.通过正交实验确定的最佳浸出条件和浸出率.基于RE的硫酸盐和无水硫酸钠生成RE复盐沉淀的原理,向稀硫酸浸出废弃镍氢电池负极板后得到的硫酸盐溶液中加入无水硫酸钠,得到RE复盐沉淀,通过正交实验确定的最佳沉淀条件与RE回收率.用x射线衍射仪对RE复盐进行了表征.     

ULSI铜互连线技术中的电镀工艺

通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法,成功地将工业镀铜技术应用于ULSI铜互连线技术中,实现了对高宽比为1μm∶0.6μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充．方阻测试表明,所镀铜膜的电阻率为2.0μΩ*cm,X射线衍射分析结果显示出的Cu（111）的致密结构非常有利于互连线技术中高抗电迁移性要求．     

一种抗辐照功率MOSFET器件

报道了一种抗辐射功率MOSFET,通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比,其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平,并深入研究了单粒子烧毁、单粒子栅穿以及总剂量辐照的机理,提出了大功率MOSFET抗总剂量及单粒子辐射的加固方法。     

浅谈堆载预压在软弱地基中应用技术

堆载预压法具有工程造价低、施工操作简单、环境污染小等特点,因此在建筑工程软弱地基处理中广泛应用。本文笔者将结合具体的建筑工程施工实例,检验探讨堆载预压法在软弱地基处理中的应用,希望能对类似工程起到借鉴作用。     

注塑工艺对长玻纤增强聚丙烯材料性能及外观的影响研究

通过熔融挤出浸渍方法,制备了30%纤维含量的长玻纤增强聚丙烯材料(PP-LGF30),研究了在不同注塑工艺条件下,PP-LGF30复合材料的力学性能变化规律,纤维保留长度,以及制品外观状态。结果表明,提高注塑温度,增大射咀口径,降低储料与射胶过程的速度与压力,可使PP-LGF30复合材料的拉伸强度与缺口冲击强度提高;增大射咀口径可提高纤维在制品中的保留长度;提高注塑温度,增大射胶速度与压力,可降低纤维外漏程度,改善制品的外观状态。     

表面修饰法制备大面积石墨烯

We develop a novel and convenient method to prepare large area single-layer and multi-layer graphene through surface modification with oxygen plasma.The obtained large area single-layer graphene is dozens of microns wide in the lateral dimension and characterized by optical microscopy,atomic force microscopy.Raman spectroscopy show multilayer graphene has less disorder density than single-layer graphene.X-ray photoelectron spectroscopy（XPS） analysis shows that hydroxyl groups are formed on the HOPG surface during oxygen plasma pre-treatment.Hydrogen bonds develop between hydroxyl groups on HOPG surface and silanol groups on hydroxylated SiO₂/Si substrate,which facilitate the transfer process.This study may provide a potential approach to develop graphene-based devices by using the large area lithographic printing process.     

磁存储器驱动电路界面平坦化研究

利用原子力显微镜（AFM）和扫描电镜（SEM）对磁存储器(MRAM)驱动电路与存储单元--磁性隧道结(MTJ)的连接界面的表面平坦化进行了研究. 原子力显微镜照片表明：磁控溅射沉积的金属铝膜的表面由尺寸约为300nm的颗粒组成，其表面粗糙度约为几十纳米的量级，用统计平均值（均方根值root mean square,RMS）描述约为10nm；在铝膜的表面沉积一层难溶金属Ti或Ta膜以后，可很好地改善过渡层金属表面的平坦化效果. 通过用化学机械平坦化设备(chemical mechanical planarization,CMP) 在小压力和低转速的条件下，可使过渡层金属表面的RMS值达到小于1nm的平坦化效果. 扫描电镜照片的结果也显示：利用光刻胶平坦化，然后通过调节反应离子刻蚀的条件，使刻蚀的过程中对氧化硅和光刻胶的刻蚀速率相等，去掉光刻胶，达到平坦化整个芯片表面的效果.     

SiO2/Ta界面反应及其对铜扩散的影响

利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处发生了热力学上有利的化学反应:37Ta+15SiO2=5Ta5Si3+6Ta2O5,界面处形成更稳定的化合物新相Ta5Si3、Ta2O5.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡.     

介绍一套性能优异的Hi—Fi级家庭影院器材

笔者自认为是有一定基础的发烧友,各种家庭影院器材虽琳琅满目,但深入分析,大致归纳为二类“发烧”玩法:一类为纯AV,这一类多采用3D系统,玩AV尚可,听Hi—Fi却实在不敢恭维。另一类是Hi—Fi型玩法。这类玩法的特点是器材搭配灵活,能充分兼顾Hi—Fi与AV,而且升级容易,是目前众多发烧友普遍采用的一种玩法。笔者经过对市场上多种器材的分析试听比较后,精心搭配了一套家庭影院系统。经邀请多位资深发烧友试听欣赏,无不为其声像合一,声场宏大的