全文获取类型
收费全文 | 491552篇 |
免费 | 100694篇 |
国内免费 | 70200篇 |
专业分类
电工技术 | 55331篇 |
综合类 | 55841篇 |
化学工业 | 59121篇 |
金属工艺 | 46287篇 |
机械仪表 | 30603篇 |
建筑科学 | 37008篇 |
矿业工程 | 23888篇 |
能源动力 | 15473篇 |
轻工业 | 55077篇 |
水利工程 | 18228篇 |
石油天然气 | 21330篇 |
武器工业 | 7839篇 |
无线电 | 61531篇 |
一般工业技术 | 53347篇 |
冶金工业 | 17531篇 |
原子能技术 | 7193篇 |
自动化技术 | 96818篇 |
出版年
2024年 | 3152篇 |
2023年 | 8919篇 |
2022年 | 17087篇 |
2021年 | 21223篇 |
2020年 | 19130篇 |
2019年 | 23190篇 |
2018年 | 24782篇 |
2017年 | 27415篇 |
2016年 | 26173篇 |
2015年 | 30867篇 |
2014年 | 33678篇 |
2013年 | 36870篇 |
2012年 | 42372篇 |
2011年 | 39977篇 |
2010年 | 38234篇 |
2009年 | 34845篇 |
2008年 | 33907篇 |
2007年 | 33265篇 |
2006年 | 28610篇 |
2005年 | 24089篇 |
2004年 | 21410篇 |
2003年 | 14973篇 |
2002年 | 13937篇 |
2001年 | 12640篇 |
2000年 | 10650篇 |
1999年 | 6411篇 |
1998年 | 4363篇 |
1997年 | 3859篇 |
1996年 | 3613篇 |
1995年 | 3657篇 |
1994年 | 2985篇 |
1993年 | 2805篇 |
1992年 | 2749篇 |
1991年 | 2011篇 |
1990年 | 1604篇 |
1989年 | 1530篇 |
1988年 | 1140篇 |
1987年 | 422篇 |
1986年 | 361篇 |
1985年 | 259篇 |
1984年 | 193篇 |
1983年 | 167篇 |
1982年 | 171篇 |
1981年 | 207篇 |
1980年 | 204篇 |
1976年 | 228篇 |
1975年 | 212篇 |
1972年 | 236篇 |
1971年 | 131篇 |
1960年 | 205篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
92.
93.
We investigate the effect of dopant random fluctuation on threshold voltage and drain current variation in a two-gate nanoscale transistor. We used a quantum-corrected technology computer aided design simulation to run the simulation (10000 randomizations). With this simulation, we could study the effects of varying the dimensions (length and width), and thicknesses of oxide and dopant factors of a transistor on the threshold voltage and drain current in subthreshold region (off) and overthreshold (on). It was found that in the subthreshold region the variability of the drain current and threshold voltage is relatively fixed while in the overthreshold region the variability of the threshold voltage and drain current decreases remarkably, despite the slight reduction of gate voltage diffusion (compared with that of the subthreshold). These results have been interpreted by using previously reported models for threshold current variability, load displacement, and simple analytical calculations. Scaling analysis shows that the variability of the characteristics of this semiconductor increases as the effects of the short channel increases. Therefore, with a slight increase of length and a reduction of width, oxide thickness, and dopant factor, we could correct the effect of the short channel. 相似文献
94.
为检查工程质量,查找输水系统可能存在的问题并消除隐患,保障电站安全运行,福建仙游抽水蓄能电站在投产发电前,要对输水发电系统进行充水试验与放空排水试验,在试验过程中监测输水系统的应力、应变与渗漏水情况。本文以尾水系统为例,介绍了试验所应具备的工程条件、工作程序及技术要求、试验成果分析和存在问题处理等。试验表明,仙游抽水蓄能电站尾水系统设计合理,施工质量优良,结构可靠,可供同类工程参考与借鉴。 相似文献
95.
为提高电压跌落条件下双馈风电机组的运行稳定性,介绍了crowbar与chopper共同配合作用的低电压穿越技术,并从提高crowbar阻值整定上限这一角度通过理论分析与仿真验证说明了crowbar与chopper配合作用的优势。提出低电压穿越过程中机侧变流器的无扰切换控制方法,通过仿真验证了这种方法可以大大减少crowbar投切次数与低穿过渡时间,且控制简单可行。 相似文献
96.
97.
通过制备不同晶相结构〔单斜相(m-ZrO_2)、四方相(t-ZrO_2)和无定型(a-ZrO_2)〕ZrO_2载体,再通过沉积沉淀法制得Cu/m-ZrO_2、Cu/t-ZrO_2和Cu/a-ZrO_2催化剂,分别用于催化二乙醇胺脱氢合成亚氨基二乙酸反应。采用XRD、氮气物理吸附脱附、XPS、H_2-TPR、CO_2-TPD对催化剂的结构进行了表征。结果表明,Cu/m-ZrO_2催化剂界面更加有利于Cu~+/Cu~0稳定存在,具有更多的碱性位点,且抗氧化性较好。在二乙醇胺脱氢反应中,Cu/m-ZrO_2催化剂性能最好,反应时间为2.5 h,亚氨基二乙酸收率为97.64%。 相似文献
98.
99.
随着对管道安全问题和降本增效理念的逐步重视,管道清管操作已成为全世界油气管道运行中必不可少的作业规程,清管器的运行速度是需要重点控制的参数之一,当其处于合理区间内时(原油管道1~5m/s,天然气管道2~7m/s),清管效果最佳。本文基于对管道清管数学模型的研究,首先论述了不同的被动控制方法,认为该方法较为灵活,应用广泛,对不同入口条件下清管器速度的准确计算是能否控制清管器速度处于合理区间的关键;然后对不同的主动控制方法进行了研究,研究表明:射流清管器速度控制的核心是旁通率的优选,其依赖于压降系数、皮碗与管壁间摩擦力的准确计算,建立简便可靠的摩擦力工程计算模型将有助于射流清管技术应用的进一步推广;最终本文对清管器智能调速技术进行综述和展望,指出发展稳定可靠的国产智能调速技术是未来重点研究方向。 相似文献
100.
精准预测生物氧化预处理中的进气量对提高黄金提取率和节能降耗具有重要意义。以气体管流连续性方程和运动方程为控制方程,采用Preissmann隐格式法作为差分方法。同时,根据集合卡尔曼滤波(Ensemble Kalman filter,EnKF)算法原理,构造进气量、压强的状态空间模型。结果表明,基于气体管流控制方程建立的进气量模型预测结果与实际进气量观测值具有较好的一致性;与传统静态预测方法相比,EnKF同化方法引入实时观测值和模型参数的更新,有效提高了进气量的预测精度,其平均绝对误差、平均相对误差和均方根误差有明显的降低。可见,基于气体管流控制方程建立的预测模型结合EnKF同化方法是提高生物氧化槽进气量预测精度的有效手段。 相似文献