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91.
SARS流行预测分析 总被引:3,自引:1,他引:2
表面上突如其来的SARS本质上却有极规律的内在发展演化机制,遵从初始缓慢增长、加速、减速和稳定终止四个阶段总体道路,自然和社会生活领域众多事件演化都符合这一规律,因而可以运用广义的Logistic生长模型进行描述。基于先期流行的广东SARS感染病例数据,以及尚未结束的北京、全国2003年SARS流行统计数据,借助于最优化分析技术,运用广义的Logistic生长模型对该事件演化特征参量进行了辨识;在此基础上,又借助于广义生长模型的特例——Gompertz函数进行了演化过程的预测,并与其他生长模型结果进行了比较。研究表明,生长模型模拟结果均与实际数据有很好的一致性,可以用来预测事件的发生演化过程,此次SARS事件堪称生长模型的经典实例。 相似文献
92.
93.
本采用固相外延法在SIMOX衬底上生长了β-FeSi2薄膜,采用X射线衍射(XRD),卢瑟辐背散射(RBS)以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构,Raman谱表征说明它与直接在硅片上生长的薄膜具有类似的晶格振动特性。 相似文献
94.
本文基于热力学平衡计算,首次给出以DMZn和H2Se为源,MOVPE生长ZnSe的相图.文中讨论了ZnSe单一凝聚相区的范围,以及可能出现ZnSe(s)+Zn(s)或ZnSe(s)+Se(l)两种双凝聚相区的条件. 相似文献
95.
96.
97.
快速凝固条件下单晶镍基高温合金中MC型碳化物的形态及生长机制 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了快速凝固条件下,MC型碳化物的生长形态规律及生长机制。结果表明,随着冷却速度的提高,碳化物的形态和成分都有明显改变,从枝晶形的(Ti,Al)C经花形的(Ti,Al,Ta)C至块形的(Ti,Ta)C。其生长机制为小平面侧向生长及随机分叉。 相似文献
98.
99.
形成SOI结构的ELO技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了在常压外延系统中,利用 SiCl_4/H_2/Br_2体系在SiO_2上外延横向生长(ELO)单晶硅技术.比较了Br_2和HCl对硅的腐蚀速率,发现前者对娃的腐蚀速率约比后者慢一个数量级,指出Br_2的引入有着重要意义.给出了Br_2和H_2对Si和SiO_2的腐蚀速率曲线,讨论了外延横向生长速率对SOI结构的材料表面形貌的影响.在该 SOI膜上制造了 MOS/SOI器件,其N沟最大电子迁移率为360cm~2/V.s(沟道掺杂浓度为 1×10~(16)/cm~3),源-漏截止电流为 9.4×10~(-10)A/μm. 相似文献
100.