全文获取类型
收费全文 | 9201篇 |
免费 | 1321篇 |
国内免费 | 1360篇 |
专业分类
电工技术 | 1294篇 |
综合类 | 1098篇 |
化学工业 | 176篇 |
金属工艺 | 152篇 |
机械仪表 | 646篇 |
建筑科学 | 151篇 |
矿业工程 | 83篇 |
能源动力 | 137篇 |
轻工业 | 72篇 |
水利工程 | 91篇 |
石油天然气 | 36篇 |
武器工业 | 95篇 |
无线电 | 1668篇 |
一般工业技术 | 516篇 |
冶金工业 | 302篇 |
原子能技术 | 145篇 |
自动化技术 | 5220篇 |
出版年
2024年 | 59篇 |
2023年 | 195篇 |
2022年 | 185篇 |
2021年 | 249篇 |
2020年 | 303篇 |
2019年 | 307篇 |
2018年 | 290篇 |
2017年 | 380篇 |
2016年 | 468篇 |
2015年 | 439篇 |
2014年 | 585篇 |
2013年 | 814篇 |
2012年 | 677篇 |
2011年 | 740篇 |
2010年 | 557篇 |
2009年 | 632篇 |
2008年 | 634篇 |
2007年 | 683篇 |
2006年 | 528篇 |
2005年 | 519篇 |
2004年 | 415篇 |
2003年 | 336篇 |
2002年 | 259篇 |
2001年 | 253篇 |
2000年 | 219篇 |
1999年 | 165篇 |
1998年 | 148篇 |
1997年 | 133篇 |
1996年 | 102篇 |
1995年 | 89篇 |
1994年 | 89篇 |
1993年 | 88篇 |
1992年 | 64篇 |
1991年 | 56篇 |
1990年 | 50篇 |
1989年 | 27篇 |
1988年 | 12篇 |
1987年 | 16篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 12篇 |
1984年 | 14篇 |
1983年 | 21篇 |
1982年 | 10篇 |
1981年 | 7篇 |
1980年 | 7篇 |
1979年 | 5篇 |
1965年 | 3篇 |
1964年 | 5篇 |
1962年 | 3篇 |
1958年 | 4篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 63 毫秒
21.
22.
本文提出励磁电流可自动控制的他励式双高调速系统设计方案。系统在提升特别是在下放重物时,具有较硬的机械性;在负载10-100%的变化范围内,可实现最大偏差Δnmax/nmin100%≤10%,调速范围D≥10;在满载运行条件下,可节约电能80%以上。 相似文献
23.
24.
25.
不确定控制系统的输出反馈镇定 总被引:4,自引:0,他引:4
本文研究具有匹配和非匹配不确定性系统的输出反馈镇定。在对不确定性的增长性作适当限制的条件下,利用本文引入输出反馈严格正实系统的概念,构造了保证团环系统在开球B上或在R^n上指数式稳定的光滑或解析输出反馈控制律。 相似文献
26.
27.
A Novel Segmentation and Feedback Model for Resolving Contention in Optical Burst Switching 总被引:2,自引:0,他引:2
A novel segmentation and feedback model (SFM) applied to resolve contention is proposed. Simulation and performance analyses show that the SFM effectively avoids contentions in optical burst switching (OBS). The long delay time of deflection routing and the immature technology of wavelength converters and optical buffers are not deployed in the SFM. The SFM does not only realize fast switching but also allows preemption by higher priority bursts. 相似文献
28.
29.
行激励级电路的设计是完全为行输出级服务的,它实质上是行输出级电路设计的一个重要而不可分割的组成部分。因此行激励级电路的设计,自然采用了从显象管偏转线圈和行输出管到激励变压器和行激励级的倒推设计法。 相似文献
30.
A. Kussmaul S. Vernon P. C. Colter R. Sudharsanan A. Mastrovito K. J. Linden N. H. Karam N. H. Karam S. C. Warnick M. A. Dahleh 《Journal of Electronic Materials》1997,26(10):1145-1153
We have used spectroscopic ellipsometry to perform real-time monitoring during metalorganic chemical vapor deposition growth
of AlGaAs (on GaAs) and InGaAs (on GaAs and InP). Optical constants for these materials were obtained up to growth temperatures
of 600 to 700°C. This information permits real-time extraction of composition and layer thickness from the raw ellipsometric
data at sample rates on the order of 0.5 Hz. We describe closed-loop control of composition and total layer thickness on AlGaAs-based
structures, including Bragg reflectors. In-situ data obtained on double-heterostructure quantum-well laser structures demonstrate that spectroscopic ellipsometry is an extremely
powerful monitoring and quality-control tool, giving important real-time information on complex structures that would be difficult
and time-consuming to obtain after growth. 相似文献