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21.
电流叠加型CMOS基准电压源 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了一种CMOS基准电压源,该电路由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度系数形成温度补偿,产生低温度系数的基准电压。与传统的带隙基准比较而言,不需要三极管;另外,通过结构的改进,变成正负温度系数电流叠加型的基准电压源,可以按需要任意调节输出基准电压的值,而且可以同时提供多个基准电压。电流叠加型基准电压源电路已经在3μmCMOS工艺线上实现,基准电压源输出中心值在2.2 V左右,温度系数为80 ppm/℃。 相似文献
22.
中、高压变频器产量越来越多,但试验手段大多比较落后,一般采用带电机空转的方法。本文介绍了一个高压变频器试验平台,通过该平台可以对电压等级在3kV~10kV、功率在5000kW以下的变频器进行实载试验。 相似文献
23.
通过分析数字集成芯片多输出中电源电压瞬间下降的原因,对常规驱动电路结构进行改进。改进后单输出电路的峰值电流降为原来的2/3,再通过优化版图的电源布线,能有效防止电源电压下降,使芯片正常稳定地工作。 相似文献
24.
超级电容在手机电源中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
超级电容又称法拉电容,是指其容量为法拉级的电容。文章介绍了应用超级电容作为手机电池的总体思路并重点介绍了其充电电路、升压电路和控制电路的设计。该电池具有充电快、寿命长、免维护并且环保等特点。 相似文献
25.
26.
27.
一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源 总被引:12,自引:5,他引:7
文章设计了一种适用于CMOS工艺的带隙基准电压源电路,该电路采用工作在亚阈值区的电路结构,并采用高增益反馈回路,使其具有低功耗、低电压、高电源电压抑制比和较低温度系数等特点。 相似文献
28.
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
29.
本电源是基于高频高压交流母线具有多组输出的直流电源,它具有高达200kHz的开关频率,后级的整流电路由于高频交流母线的存在,使得变压器和电感的设计变得简单,滤波电容的选择也更容易。本电源由PFC电路提供400V的高压直流输入,再由MOSFET组成全桥逆变电路,在固定额率的PWM发生电路和IR2110 MOSFET驱动电路作用下,只加—个谐振电感就可实现开关管的零电压开通,可在大大降低开关损耗和噪声的同时实现直流交流的变换。整流部分采用倍流整流电路以提高原边电压的利用率,可输出低压大电流。由于采用肖特基管,—方面可使得二板管的损耗可以接受,另外—方面还避免了采用同步整流电路所面临的电路结构复杂和驱动困难。 相似文献
30.