全文获取类型
收费全文 | 974篇 |
免费 | 145篇 |
国内免费 | 73篇 |
专业分类
电工技术 | 34篇 |
综合类 | 72篇 |
化学工业 | 104篇 |
金属工艺 | 56篇 |
机械仪表 | 54篇 |
建筑科学 | 15篇 |
矿业工程 | 4篇 |
能源动力 | 5篇 |
轻工业 | 191篇 |
石油天然气 | 3篇 |
武器工业 | 14篇 |
无线电 | 436篇 |
一般工业技术 | 153篇 |
冶金工业 | 13篇 |
原子能技术 | 5篇 |
自动化技术 | 33篇 |
出版年
2024年 | 7篇 |
2023年 | 21篇 |
2022年 | 20篇 |
2021年 | 28篇 |
2020年 | 24篇 |
2019年 | 34篇 |
2018年 | 16篇 |
2017年 | 26篇 |
2016年 | 27篇 |
2015年 | 29篇 |
2014年 | 51篇 |
2013年 | 48篇 |
2012年 | 53篇 |
2011年 | 48篇 |
2010年 | 50篇 |
2009年 | 47篇 |
2008年 | 53篇 |
2007年 | 46篇 |
2006年 | 53篇 |
2005年 | 54篇 |
2004年 | 50篇 |
2003年 | 59篇 |
2002年 | 38篇 |
2001年 | 34篇 |
2000年 | 51篇 |
1999年 | 34篇 |
1998年 | 24篇 |
1997年 | 21篇 |
1996年 | 21篇 |
1995年 | 23篇 |
1994年 | 24篇 |
1993年 | 17篇 |
1992年 | 10篇 |
1991年 | 19篇 |
1990年 | 14篇 |
1989年 | 11篇 |
1988年 | 3篇 |
1987年 | 3篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有1192条查询结果,搜索用时 312 毫秒
41.
主要介绍了V500型CO2激光机的结构、原理以及加工电子陶瓷基片的相关技术,利用激光加工α-96%Al2O3陶瓷基板,是满足厚膜混合集成电路等产品生产和科研需要的主要方法之一。 相似文献
42.
生丝匀度自动检验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
陈庆官 《苏州大学学报(工科版)》1987,(3)
本文简要介绍了生丝匀度自动检测仪的检测原理和设备;述了对测量数据的处理方法;分析了处理结果和人工目光检验的相关程度;提出了适合于生丝匀度自动检测的方法——去掉渐变影响的标准偏差法。 相似文献
43.
利用Gd/Ce镶嵌复合靶、采用反应射频磁控溅射技术制备了Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,重点探讨了基片温度对薄膜物相结构、沉积速率及生长形貌的影响.分析结果表明,不同温度下制备的薄膜中,立方面心结构GDC固溶体相占主导,同时存在少量体心立方结构Gd2O3中间相;GDC薄膜的生长取向随基片温度而变化,200℃时,无择优取向,500℃时薄膜呈现(220)织构,700℃则为(111)择优取向;薄膜沉积速率随基片温度呈阶段性规律变化,(220)方向择优生长越显著,沉积速率越高,薄膜粗糙度越大;AFM分析表明,薄膜为岛状生长,随温度升高,表面生长岛尺寸增大,岛密度变小. 相似文献
44.
45.
本文拟将铜版原纸的定量、厚度、全幅水份的均一性和纤维组织的均匀性都归于“匀度”范畴讨论,对影响铜版纸原纸定量、厚度、全幅水份均一性和纤维组织均匀性的工艺过程、设备、操作等因素及均一性对加工运行性能的影响提出了有关的改进途径和办法,并做了一些展望。 相似文献
47.
NiCr薄膜电阻TCR的影响因素 总被引:1,自引:0,他引:1
影响NiCr薄膜电阻TCR的因素很多,我们分别从溅射淀积工艺和热处理工艺来研究和探讨NiCr薄膜电阻TCR与溅射时的真空度、溅射速率、基片温度、薄膜厚度及热处理温度和时间等因素的关系,从而为提高NiCr薄膜电阻的稳定性和降低其TCR值提供有益的条件。 相似文献
48.
以Li2O-Al2O3-SiO2-K2O-Na2O为玻璃系统,研究了热处理对制备主晶相为偏硅酸锂(Li2O·SiO2)的微晶玻璃空穴基片载体材料的影响和试验优化,通过正交实验设计分析了热处理制度对玻璃基片中曝光区域的结晶程度和结晶点阵的扩散程度的影响规律,优化后的处理参数为曝光时间120min,核化温度580 ℃,核化时间90min,晶化温度610 ℃,晶化时间50min. 相似文献
49.
本简要介绍厚膜混合集成电路的制造过程,由于它的制造特点使其性能稳定可靠,应用领域广泛。其制造工艺适于大批量自动化生产,具有工艺简单、投资省、见效快等优点。 相似文献
50.