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931.
采用纯度分别为99.94%和99.2%的稀土金属Gd,配制了Gd5Si1.9Ge2.1和Gd5Si1.72Ge2.28两组合金,研究杂质对Gd5(SixGe1-x)4合金磁熵变的影响原因。粉末衍射结构分析表明,所研究的合金中都有Gd5Si2Ge2相,而采用低纯Gd配制的Gd5(SixGe1-x)4合金中还出现了明显的Gd5(Si,Ge)3相。磁性测量表明,杂质不改变合金中主相的居里温度,即没有改变合金中主相磁性原了的相互作用,但由于低温反铁磁性Gd5(Si,Ge)3相对室温Gd5Si2Ge2相的磁熵变没有贡献,导致Gd5(Si,Ge1-x)4合金在室温附近的磁熵变下降。 相似文献
932.
用XRD法研究了退火Fe73.5Cu1Mo3Si14.5B8合金中α-Fe(Si)晶化相的有序化过程,结果表明,Fe73.5Cu1Mo3Si14.5B8非晶合金经460℃×1h退火后,α-Fe(Si)晶化相是具有DO3结构的有序相,有序畴为球形,直径为6.1nm,它随退火温度的升高而长大,在560℃退火后达14.0nm,与α-Fe(Si)晶粒的尺寸相当。此时,α-Fe(Si)的有序度为0.78。800℃×1h退火后,α-Fe(Si)的DO8超点阵线条消失。 相似文献
933.
934.
采用熔盐法研究了Ba(Sn0.1Ti0.9)O3铁电体粉体的制备工艺和粉体性质。探讨了在熔盐催化下,合成温度对Ba(Sn0.1Ti0.9)O3反应完全程度及粉体形态的影响。结果表明,当反应温度达到900℃时,在熔盐环境下即可合成单相固体Ba(Sn0.1Ti0.9)O3,随着反应温度提高,粉体尺寸变化不大,但当温度超过950℃时出现晶粒异常长大趋势。烧结陶瓷的形貌和介电性质显示陶瓷粉体烧结活性好且介电性质优良。 相似文献
935.
通过对原料、触媒及合成工艺的研究,采用国产DS-029B型六面顶压机在4.2—5.3GPa,1350。1470℃的范围内,从hBN-单质触媒体系中合成出近乎完美的黑色八面体和截角八面体立方氮化硼单晶体。确定了该种形态的CBN晶体的生长区域。CBN晶体的尺寸在100—400μm,峰值粒度为125—150μm。对所得的晶体进行考察,发现这种CBN晶体结晶形貌发育比较完整、棱角尖锐、晶粒饱满,并且有较高的抗压强度。上述结果表明所用的单质触媒具有使CBN晶体均匀生长的能力,是一种合成CBN晶体的有效触媒,该种CBN晶体具有较好的破碎强度。 相似文献
936.
以工业污泥为原料,分别利用双水解和通人二氧化碳气体的方法制备Al(OH)3(胶体),在1100℃煅烧后制得α-Al2O3粉体。并通过场发射扫描电镜(FESEM)、能量发射能谱(EDS)以及X衍射仪(XRD)研究污泥原料、Al(OH),(胶体)和α-Al2O3粉体的形貌、成分和结构。结果表明:两种方法中,双水解的方法制备α—Al2O3工艺简单?产物杂质少、产量高。EDS分析结果显示:氧化铝平均纯度达98%。 相似文献
937.
分析了模具企业生产实践过程中的流程控制的规律、特征,建立了面向模具企业的工作流管理系统,实现工作流管理系统与ERP系统以及其它业务系统的集成应用,从而建立面对模具企业的企业资源计划ERP系统。 相似文献
938.
939.
采用亚音速火焰喷涂技术,在C11300(T3)基体表面分别喷碳化钨弥散型钴基和NiCrBSi2种类型的自熔性合金。采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等测试方法研究基体与喷涂层之间的界面结合状况、显微组织和喷涂层的物相结构。试验结果表明,基体与喷涂层界面结合状况良好,且存在相互扩散现象,界面处基体组织细化。喷涂过程中碳化钨发生少量热分解和脱碳反应,生成W2C;涂层MCrBSi中有大量均匀分布的点状CrB生成。随着合金粉末中碳化钨含量的增加,涂层的硬度和耐高温性能也明显提高。 相似文献
940.