新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究

应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大     

新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征

采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.     

新型AXQ1-200A直流内燃弧焊机

针对目前国内内燃弧焊机结构复杂、控制损耗大、效率低等状况,研发了一种新型AXQ1-200 A直流内燃弧焊机.详细介绍了新型AXQ1-200 A直流内燃弧焊机的原理、结构特点及技术参数.该设备整机轻巧,移动方便,操作维护简便,既可提供用于野外手工电弧焊接的直流焊接电源,又可提供DC 220 V/3 000 W的辅助电源.     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

基于光纤Bragg光栅的滤波技术

介绍了国际上最新的基于光纤Bragg光栅的光纤滤波技术发展情况，详细阐述了分布反馈式光纤Bragg光栅滤波器、多波长选择光纤Bragg光栅滤波器、应用光纤Bragg光栅的Michelson干涉型（MI）滤波器以及光纤Bragg光栅滤波耦合器的理论难点、基本原理及其应用。     

谐振腔帘栅打火引起的故障及处理

随着广电事业的飞速发展,广播电视正成为人们生活中重要的一部分.保证广播电视设备的优质运行是每个广播电视工程技术人员的首责.在日常的维护与检修过程中有许许多多的宝贵经验值得加以总结.下面本人以北京广播器材厂生产的CSD-IV/V-1A型分米波1kW彩色电视发射机的一次故障为实例加以分析并解决.以供同行作为参考.     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

HDY系列逆变式恒电位仪

ＨＤＹ系列逆变式恒电位仪由石油大学石仪科技实业发展公司研制成功 ,选用绝缘栅双极晶体管 (ＩＧ ＢＴ)作为主开关器件 ,采用脉宽调制的控制方式 ,可广泛应用于长距离输油、输气管道 ,大型储油罐等地下金属结构外加电流的防腐蚀保护。该仪器于2 0 0 0年 4月通过山东省科委组织的鉴定 ,认为其研究成果填补了国内空白 ,在同类产品中属国内领先水平。这种产品是磁放大器式、晶闸管式等传统恒电位仪理想的更新换代产品。1 基本工作原理ＨＤＹ系列逆变式恒电位仪的原理如图 1所示 ,单相或三相交流经整流器变为直流电压Ｅ ,Ｅ经逆变器又变为 2 0…     

新型半导体器件—联栅晶体管（GAT）

联栅晶体管（ＧＡＴ）是一种介于双极型晶体管和结型场效应晶体管之间的电流控制型电力电子器件。本文介绍了ＧＡＴ的结构、特点及其应用。     

高压偏移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ＾６０－γ辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系。结果表明：；击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、票移区长度、场板长度以及漏区结构有关。另外，γ辐照志致导通电阻增加。结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制。对实验现象给出了比较圆满的解释。结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用。