用GPC法测定磺酸盐原料油的分子量及其分布

用凝胶渗透色谱法(GPC)能快速准确测定石油磺酸盐原料油的分子量及其分布,并对其准确性和精度进行了考察,为合理选用磺酸盐原料油提供了理论依据。     

双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量

采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"A"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6峰值电流跨导约为3×10-4 S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.     

氯磺化聚乙烯与过氧乙烯防腐涂料在钢结构上防腐功效的比较

对两种涂料在钢结构上防腐的性能进行了比较，并得出氯磺化聚乙烯涂料优于过氯乙烯涂料。     

聚苯乙烯／高密度聚乙烯两次共混的研究（Ⅰ）——第一次反应共混条件对共混物

在有机过氧化物引发剂的作用下，让聚苯乙烯（ＰＳ）和高密度聚乙烯（ＨＤＰＥ）在ＨＡＡＫＥ流变仪的密炼室中进行反应共混，以使聚乙烯增韧聚苯乙烯。设计并采用一种两次共混的方法。研究了引发剂的种类及浓度、苯乙烯单体、第一次共混温度、转子转速、第一次共混时聚苯乙烯与高密度聚乙烯的比例等因素对共混物性能的影响。     

RTD与HBT单片集成研究

设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程,得到了较好的负阻特性,其开启电压1V左右,峰谷比大于2∶1。同时建立了负阻逻辑单元的模型,通过Pspice模拟结果表明与实际逻辑单元特性吻合良好。     

浅埋深小煤柱巷道锚杆支护技术研究

以枣泉煤矿12203工作面措施巷留6m和10m小煤柱巷道为实例,介绍了12203工作面措施巷的地质与生产条件,对小煤柱巷道支护技术进行了简单分析,提出了高预应力锚杆支护配合注浆加固的综合支护方案,试验效果显著,巷道变形得到有效控制,为类似条件下小煤柱巷道支护和加固提供了科学依据。     

GaN基发光二极管研究进展

GaN基发光二极管(LED)作为目前固态照明和显示等应用中最核心的器件,在完全发挥材料性能的道路上还存在着一些困难.针对蓝光LED内量子效率低和白光LED应用中缺乏简易制备方法的现状,本研究组做出了有意义的富有创新性的工作:提出的宽窄耦合量子阱结构的LED使得蓝光LED的内量子效率得到了很大的提高;通过生长一个用于调节量子阱中的应变和局域化的InGaN插入层,制备出了同一发光层出射白光的单芯片白光LED.     

超晶格界面的电子反向及引起的光电流特性

测量了GaAs/AlGaAs超晶格在T＝77K时的光电流谱,发现在波数～↑υ=1589cm^-1存在一个强电流峰,理论分析认为,该电流峰与超晶格界面的电子反射有关,据此算出的电流峰位置与实验观测结果一致。     

循环冷却水处理初探暨天津乙烯循环冷却水处理阶段性处理结果

阐述了冷却水处理的技术过程,提出了在换热器原始状态差的情况下的处理方法,天津乙类循环冷却水系统运行三年的效果评价。     

Zr掺杂的SnO_2瓷的压敏和介电性质

目前电子陶瓷工艺普遍采用ZrO2球作为磨介。为了弄清ZrO2球磨损对压敏瓷性能的作用,系统研究了ZrO2对(Co,Nb)掺杂SnO2瓷的压敏和介电性质的影响。当ZrO2的含量(摩尔分数)从0.00增加到1.00%时,(Co,Nb)掺杂的SnO2压敏电阻的击穿电压从345 V/mm增大到485 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 590减小到1 120。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Zr的含量对势垒高度的影响较小。SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压增高和介电常数迅速减小的主要原因。对Zr掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。