基于新型局域电化学沉积技术的MOEMS微结构制备方法

提出了一种基于新型微电极且沉积过程可自动控制的局域电化学沉积技术, 实现了高纵横比的铜微结构的制备。将新型微电极作为阳极固定在微步进电机上, 铜片作为阴极固定在电解液池底, 电解液池中装有0.5 M/L硫酸铜配比0.38 M/L硫酸的电解液。用观察电阻值的方法调整好初始间隙后, 在两电极间加一偏压, 用控制程序控制微步进电机匀速运动, 使微电极与阴极之间的微小间隙基本保持不变, 沉积生长铜微柱。铜微柱的纵横比可达7.2∶1, 直径可小至120 μm。实验结果表明, 该技术设备简单、易操作, 可实现三维微结构高效率、低成本的制备, 进一步研究必将在微光机电系统（MOEMS）及其它微纳系统领域得到广泛应用。     

彩色夜视成像处理算法的新进展

彩色夜视成像技术是当前国内外重点发展的关键技术之一,介绍了彩色夜视成像处理算法的分类、特点及其研究进展,分析了国外一些彩色夜视系统,并重点介绍了笔者在自然感彩色夜视算法及自然感彩色夜视成像系统方面的研究进展。     

微光成型法实体模型固化过程的仿真

微光成型法在微小机械结构制造中的应用,能有效地提高设计的成功率。根据三维实体模型离散后的平面实体的特征,分别生成轮廓扫描和内部充填的行栅式扫描所需的CNC指令代码,再根据这些代码和微光成型法的基本成型原理,利用图形接口软件OpenGL和编程软件VC,实现了平面实体固化成形和立体层叠固化成型过程的仿真。从而可以检验数据处理和成型工艺参数设置的正确性,避免成型加工时可能出现的错误。该方法已在微光成型系统中得到了应用。     

MOEMS在光通信网络中的应用

主要介绍了微光机电系统(MOEMS)在光通信领域中的应用，重点介绍了MOEMS光开关等器件应用在光通信网络中的原理及优势，并对微光机电系统技术在光网络通信中的应用前景作了展望。     

微型可编程相位光栅的理论特性研究

本文提出了一种基于微光机电系统（MOEMS）的新型可编程相位光栅技术，并对其工作原理和理论特性进行了分析和研究，同时给出部分数值仿真结果，并得出了一些重要的结论。     

晶格匹配InAlN/GaN HEMT沟道温度评估方法研究

首先分别利用直流电学法、脉冲电学法和微区拉曼光谱法测量了晶格匹配InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度,然后评估了各类评估方法的准确性。结果表明:直流电学法获得的温度值远低于拉曼光谱法,严重低估了HEMT工作时的沟道温度;脉冲电学法获得的温度值有所提升,但受限于水平空间分辨率,平均了源极-漏极之间的温度;微区拉曼光谱法能够准确获得沟道最高温度,但测量过程复杂,不适合评估封装器件。最后,提出了一种基于微光显微镜(EMMI)技术的微光电学法,获得了沟道温度的三角分布关系,得到了与拉曼光谱法一致的实验结果。该评估方法适合于实际生产。     

晶格匹配InAlN/GaN HEMTs栅极电流击穿行为研究

相较于传统AlGaN/GaN HEMTs,采用晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结可有效消除逆压电效应引发的器件可靠性问题,而且沟道二维电子气密度更高,更适合射频微波通信应用。然而,In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN HEMTs的外延片材料往往存在较高的位错密度,大幅度降低了器件的击穿场强。结合栅极偏压步进应力和微光显微技术,研究晶格匹配InAlN/GaN HEMTs的栅极电流击穿过程与机制,结果发现过激Fowler-Nordheim(FN)电流是器件击穿的主要原因。来自栅极的电子在高电场作用下发生FN隧穿成为高能热电子,它们会在异质结界面释放能量,导致该处形成大量新结构缺陷,同时InAlN材料本身固有可导缺陷密度相对较高,故当缺陷密度增加并达到某一临界值时,便会立刻发生瞬态静电释放,即电流热击穿。