微波法制取二氧化锡粉体材料

以SnCl_2·2H_2O为主要原料,用微波加热法制备SnO_2粉体。用粒度仪对制备的粉体进行了表征。结果表明:微波加热可使原料反应生成粉体颗粒,其反应物浓度、pH值、微波加热功率及反应时间都对粒径产生影响。在反应功率为400W;pH值为2～3;反应时间为20min;反应浓度为0.35×10~(-2)mol/L时,可以制备出SnO_2粉体。     

微波干燥原理及其应用

介绍了微波干燥的原理和主要特点及其应用的现状,并且给出了微波干燥经济核算的计算方法。     

（Ba1-xSrx）（Zn1/3Nb2/3）O3微波介质陶瓷温度系数的异常

研究了（Ba1-xSrx）（Zn1/3Nb2/3）O3微波介质陶瓷温度系数的非线性变化以及异常的原因。根据CM公式，随着系统中Sr（Zn1/3Nb2/3）O3的增多，τc的异常是由于氧八面体的畸变导致的相转变（对称性降低）所造成的（晶体结构由无序立方相向有序赝立方相的连续变化）。相转变的发生相应影响了极化以及极化模式，这是造成τc异常的根本原因。     

二厘米微波衰减标准装置不确定度的验证

采用传递比较法对二厘米微波衰减标准装置不确定度进行了验证。测量标准装置的重复性以组内实验标准偏差sn(A)定量表征，测量标准装置的稳定性用组间实验标准偏差sm定量表征。     

HUBER＋SUHNER推出QN和QMA系列快锁连接器

全球著名的通讯传送产品制造商HUBER＋SUHNER推出了可应用于3G的新型快锁连接器QN和QMA系列，该系列连接器符合新的QLF标准，便于快速、灵活地安装，其广泛应用于射频，微波和数据通信领域，在为客户控制总成本上有着独到的优势。     

第八届全国激光科学技术青年学术交流会在福州召开

第八届全国激光科学技术青年学术交流会于11月14日至17日在福州举行。来自全国从事强激光、惯性约束聚变（ICF）和高功率微波的科技工作者会聚一堂，交流在近两年来科技攻关中辛勤研究刻苦努力取得的科研成果、学术心得和经验体会，切磋技术问题，引发思想碰撞，启发创新思想，参会人员共计181人，是历届参加人数最多的一次，其中青年代表118人，     

微波电路互联与制造技术

介绍微波电路CAD与优化、微波集成电路及其制造、微波互联材料与工艺、微波MEMS等微波电路互联与制造新工艺、新技术的国内外研究和发展动态。     

非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT

Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采…     

2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管

研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。     

回顾我区模拟微波网络技术的发展历程展望未来的微波数字化技术

微波通信资源具有无限的前景，本文通过最新数字微波传输技术的发展动向，对我区网络建设以及模拟微波的升级改造作了深入思考。同时根据社会发展的需求，阐述了未来网络的安全策略以及网络速率的划分方法。