真空微电子管的研究

综合了已有的真空微电子器件理论的研究成果，提出了真空微电子三极管优化模型，并且进行了初步计算，得到了真空微电子三极管优化模型的理论特性，同时，利用独创的无版光刻工艺制作了真空微电子三极管，进行了测试，并且与结果进行了比较。     

用变温光电法测量MIS太阳电池势垒高度

我们发展了一种变温光电测试方法,用这种方法可以测量类如MIS隧道二极管结构器件的势垒高度、表面态密度等。对浅结MINP太阳电池的表面势垒高度也可进行测量。太阳电池的各参数主要由能带结构和界面态来决定,浅结MINP太阳电池(其结深一般为0.2～0.3μm)的表面空间耗尽层宽度(一般为0.1～0.3μm)与结深基本上相同。使     

真空微电子器件硅锥阴极的工艺研究

本文介绍了利用半导体硅材料制作的真空微电子器件的核心部件,场致发射硅锥阴极,的工艺研究及实验结果。提出了两步腐蚀的工艺方案,制成了形状理想的锥体阴极。     

自然地表红外辐射特性统计分析

利用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ（Ｍ－Ｃ）方法，模拟计算了自然地表红外辐射的统计特性．根据地表能量热平衡方程，选取短波吸收率、长波发射率、风速以及热传导率（对光裸地表而言）和气孔阻力（对植被型地表而言）为独立的随机变量，并假设它们均服从正态分布；给出了自然地表温度的概率分布，讨论了这些随机变量的空间起伏和环境条件对植被红外辐射统计特性的影响．研究表明，在这些随机变量中，短波吸收率和风速对自然地表红外辐射统计特性的影响最大．     

丝网印刷碳纳米管阴极场发射点开启场强的分布统计

由于碳纳米管阴极场发射点数量巨大，分布无规律，无法单独测量各个场发射点的开启阈值，所以一直没有效的实验方法获得碳纳米管阴极中场发射点开启阈值的分布规律。本文采用丝网印刷碳纳米管点阵作为阴极，通过不同电压下该阴极场发射发光亮点的统计，间接地获得了丝网印刷碳纳米管阴极中场发射点开启阈值的分布规律。在此基础上，通过过压老炼的方法，有效地压缩了碳纳米管阴极场发射开启阈值的分布，显著提高了碳纳米管阴极场发射的均匀性。     

GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析

Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式光电阴极的分辨力是第３ 代微光像增强器的重要参数之一。从简化的二维扩散方程推导了 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式阴极的调制传递函数（ Ｆｍ ,ｔ） ,计算了２ μｍ 厚 Ｇａ Ａｓ 阴极层的 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射阴极的理论分辨力特性曲线,并讨论了它与若干参数的关系。据此得出在设计 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式光电阴极时应主要考虑最大量子效率,分辨力的损失并不限制系统的性能。     

纳米电子技术

微电子技术引发了本世纪的信息革命。纳米科学技术将成为二十一世纪信息时代的核心和国际科学界和工程技术界关注的热点。     

催化剂组分对制取单壁碳纳米管的影响

采用温控电弧炉,以FeS,Ni,Mg的混和粉末作为催化剂,起弧电压为32V,放电时间为10min;研究了催化剂组成与成分对制取单壁碳纳米管的影响,确定了优化参数。在环境温度为600℃时,起弧电流为100A,催化剂FeS/Ni/Mg的组成和成分含量分别为2∶1∶2(%),5%,氦气气氛,气氛真空度为5.7×104Pa,单壁碳纳米管的产量和纯度都分别达到了12g/h和70%上,其管径为1.24～1.36nm。     

ZnO纳米锥光致发光性及印刷ZnO纳米锥场发射性能研究

利用物理热蒸发法制备大规模的蒲公英状的ZnO纳米锥,利用荧光光谱仪对ZnO纳米锥进行了光致发光性能测试.针对现有的丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜需要各种后处理工艺后才能改善其场发射特性的问题,提出了一种不需任何后处理丝网印刷ZnO纳米锥的浆料配制工艺.用该工艺制备的丝网印刷ZnO纳米锥的场发射特性测试表明,ZnO纳米锥与制浆剂质量比为3∶5的薄膜的开启场强最低为2.25V/μm(电流密度为1μA/cm2),在4.6V/μm场强下,阳极荧光粉的发光点亮度高且分布均匀.说明该方法成本低,工艺简单,无需任何后处理,在ZnO纳米锥场发射显示器的制作中有很好的实际应用价值.     

光纤支撑墙碳纳米管场发射显示器的研制

针对现有的碳纳米管场发射显示器(CNT-FED)制造技术中存在的工艺复杂、成本过高的问题,利用通信光纤,通过烧结炉热处理的方法制作出了一种直径为125 μm的石英玻璃光纤支撑墙,并将其切为30 mm、50 mm 2种长度.根据设计结果,用自制的简易支撑墙定位装置,按10 mm等间距交错位排列该支撑墙,并在同一线上相邻光纤间留8 mm间隙.结合阴、阳极丝网印刷工艺,设计制作了一种显示面积为118 mm×123 mm、像素点数为64×64和可矩阵寻址的二极结构纤维支撑墙CNT-FED,并实现了动态显示.