高压功率集成电路的混合模拟

提出了高压功率器件统一网络模型 ,并在 SPICE3和 PISCES2 B的基础上 ,利用两级牛顿迭代法 ,开发了高压功率集成电路的电路——器件混合模拟软件 .利用该软件对一个高压 LD-MOS开关电路进行了混合模拟 .通过该种模式的模拟 ,能直接分析器件参数对电路性能的影响 ,为高压功率集成电路的设计提供了方便 .     

深亚微米非均匀掺杂MOSFET的衬偏效应及开启电压模型

本文根据MOS器件沟道区离子注入引起的衬底杂质非均匀分布情况，提出了一个简单的衬底杂质分布的近似．并以此导出了非均匀掺杂下开启电压的衬偏效应模型．模型中采用了一个双曲函数解决了在不同掺杂区域的边界处，电流（或开启电压）对衬偏VBS的导数的不连续问题，并可通过调整参数δ计及实际器件中衬底掺杂的缓变过程．本文还给出一个与村偏相关的短沟道效应公式，准确地反应了深亚微米器件衬偏效应减小的现象．模型计算的结果与数值模拟的结果十分一致．     

RF模型综述

文章主要讨论了RF模型的现状和应用前景。首先说明了RF模型的一般要求，然后对其中的核心问题和目前关注的焦点进行了分析，如寄生元件尤其是栅电阻和衬底电阻网络的建模、非准静态效应的建模和高频噪声的建模等。同时，还简单介绍了目前通用的简单模型。最后，提出了改进RF模型的方向和策略。     

响应表面法在工艺综合中的应用

通过实例,介绍多分区响应表面法的优点及其给工艺综合带来的好处,并用其构建的响应表面模型分析工艺窗口带来的影响.     

半导体器件与工艺综合

利用器件与工艺综合的思想,开发出自顶向下的新的器件和工艺设计方法,实现了该设计方法的MOSPAD软件,并利用MOSPAD系统做出了一定的综合结果. 做出了关于器件与工艺综合的两个实例,即对FIB器件的器件综合和对阱形成工艺模块进行的工艺综合,并证明了自顶向下的器件与工艺综合思想的可行性.     

差异演化的实验研究

首先基于一些实例研究了差异演化(DE)的参数选择问题；然后在分析DE特点的基础上，将缩放因子F由固定数值设为随机函数，实现了一个简化的DE版本(SDE)，该方法不仅减少了需调整的参数，而且对CR的参数选择更为宽松．与已有文献中遗传算法的带约束型数值优化问题的实验结果对比，表明SDE能在较少的计算次数内获得较好的结果。     

一种防止浮点遗传算法早熟收敛的父代选择策略

通过对浮点遗传算法早熟收敛现象的分析，提出了一种新的父代选择策略，既使用当前代的子代个体作为下代的父代个体，可使交叉算子持续地探索和开发新空间。引入对个体的代数保护策略，即在它发生变异前保证有足够的演化，可以避免对新空间不成熟的开发。通过与其它父代选择策略的对比，并通过实验和GENOCOP系统比较，表明本方法能得到较好的结果。     

应用遗传算法实现MOS器件综合

研究了将遗传算法应用于器件综合问题,针对参数化的器件空间设计了相应的适应度函数和遗传算子,可用来得到器件的可行设计空间及研究参数对器件性能的影响.对FIBMOS器件的综合设计研究结果显示了本方法的有效性.     

并行遗传算法在半导体器件综合中的应用

将并行遗传算法应用于器件综合,研究了基于孤岛模式的遗传算法的实现,并分析了算法参数,尤其是迁移间隔,对演化性能的影响.并行遗传算法可以利用多个计算机的计算能力,在较少的演化代数里获得所需要的结果.     

一种考虑可测性的算子调度算法

高层次综合已成为当前设计流程中的一个的热点,而算子调度是高层次综合中的一个关键步骤。文章基于传统的力量引导调度算法,通过在每次调度决策时引入可测性考虑,使最终设计的可测性得到提高。另外还建立了一个新的算子分布概率模型,可以有效地处理多周期算子的调度。对几个基本测试电路的实验表明了此算法的有效性。