晶界工程对于改善304奥氏体不锈钢焊接热影响区耐晶间腐蚀性能的影响

通过拉伸变形5%及1100℃退火30 min的晶界工程(GBE)处理工艺,将304奥氏体不锈钢低Σ重合位置点阵(CSL)晶界比例提高到75%(Palumbo-Aust标准)以上,形成大尺寸的"互有Σ3n取向关系晶粒的团簇"显微组织.采用钨极气体保护焊焊接样品,对焊接后样品的HAZ区域进行显微组织表征和耐腐蚀性能测试.结果表明,GBE处理过的304奥氏体不锈钢具有较好的晶界网络稳定性,HAZ区域内仍具有高比例低ΣCSL晶界,并且晶粒尺寸并未明显变大.在晶间腐蚀浸泡实验和电化学动电位再活化法(EPR)测试中,GBE处理的样品HAZ敏化区都表现出了更好的耐腐蚀性能,表明晶界工程可以有效改善304奥氏体不锈钢焊接热影响区耐晶间腐蚀性能.     

基于蓝宝石纳米图形衬底上氮化镓生长的研究

利用两步生长法在蓝宝石纳米图形衬底（NPSS）上生长得到高质量的氮化镓薄膜。通过XRD和SEM对薄膜质量的表征和研究发现,为得到高质量的氮化镓（GaN）薄膜,在NPSS上生长时得到的最优缓冲层厚度为15nm,而在微米级尺寸的图形衬底（MPSS）上得到的最优缓冲层厚度远大于15nm。同时,在NPSS上生长氮化镓薄膜的过程中观察到一个有趣的现象,即GaN在NPSS上生长的初始阶段,氮化镓晶粒主要在图形之间的平面区域生长,极少量的GaN在衬底图形的侧面上聚集生长。这一有趣的现象明显不同于GaN在MPSS上的生长过程。接着,又在NPSS上生长了GaN基LED结构,并对其光电性能进行了研究。     

砷化镓激光器脊型波导的制备

本文主要研究了用湿法腐蚀的方法制备砷化镓激光器脊型波导,具体研究了砷化镓（GaAs）、铟镓磷（ InGaP）、铝镓铟磷（AlGaInP）材料的腐蚀。本文还成功地配制了能同时腐蚀铟镓磷和铝镓铟磷材料的腐蚀液。我们还分析了腐蚀时间和腐蚀浓度对脊型形状和脊型深度的影响。最后,在合适的条件下,本文得到了合适的脊型深度和光滑的脊型表面,而且得到的脊型的陡直度很小。这些结果表明这些腐蚀液将有用于激光器的制备。     

基于FPGA+DM36X的IP摄像机平台

针对目前安防监控设备动态范围较低的问题,文中提出了基于FPGA和DM36X的高动态范围网络摄像机方案。该方案采用高动态图像传感器进行图像采集,并以FPGA和DM36X作为图像处理的核心。FPGA负责对高动态图像进行增强处理,弥补了DM36X对高动态图像处理的不足,并结合DM36X在视频图像编码及传输上的优势,最终实现1 280×720每秒30帧的高动态范围视频图像的采集、处理和传输。     

原位氧化工艺制备Ag-92SnO2In2O3电接触材料研究

以Ag-65SnIn-8熔炼雾化粉体为原料,采用原位氧化工艺制备了Ag-60SnO₂In₂O₃中间体粉体,与雾化纯银粉配比成Ag-92SnO₂In₂O₃材料,通过混粉-等静压-烧结-热压-挤压技术制备Ag-92SnO₂In₂O₃带材,再通过固相复合工艺制备所需要的Ag-92SnO₂In₂O₃/Cu/Fe电接点材料。相对比常规氧化工艺制备的Ag-60SnO₂In₂O₃中间体粉体制备的Ag-92SnO₂In₂O₃/Cu/Fe电接点材料,原位氧化工艺制备的Ag-92SnO₂In₂O₃/Cu/Fe电接点材料电阻率可达2.1μΩ.cm以下,硬度可达85~110HV;产品应用于380V,65A,功率因数0.7的电动机负载电路的热保护器中,电器寿命满足5000次分断要求,替代AgCdO/Cu/Fe电接点材料,实现环保,无镉化切换。     

电触点感应钎焊及控制

本文求解了适用于电触点感应钎焊的电磁场及热场耦合方程,获得了二维电触点感应钎焊的理论解,并建立了电触点感应钎焊的有限元模型,二者对比分析,验证了有限元方法分析电触点感应钎焊的可行性。数值结果表明：焊接区域的温度在靠近电触点边界的位置最高,越靠近电触点中心位置的温度越低。线圈增加铁氧体后,电触点中心位置与电触点边界位置的焊膏熔化情况更为接近,一定程度上改善了焊接面温度的不均匀分布。另外,线圈改进前后,焊接时间均随着焊接电流的增大而减少。相同焊接电流参数下,使用了缠绕有铁氧体的感应线圈只需花费更少的时间就可达到所需温升,这大大提高了电触点组件的焊接效率。因此,我们可通过在感应线圈中间增加铁氧体来改善感应钎焊温度不均匀分布,以及缩短焊接时间,从而提高电触头感应钎焊的焊接质量和焊接效率,这对电触点材料的焊接有一定的指导意义。     

溶胶-凝胶法制备YAG颗粒及在电接触材料中的应用

以硝酸钇(Y(NO₃)₃6H₂O)、硝酸铝(Al(NO₃)₃9H₂O)为主要原料,六次甲基四胺作为催化剂,采用溶胶-凝胶法合成Y₃Al₅O₁₂(YAG)纳米颗粒,并以YAG颗粒为第二相增强材料,通过粉末冶金工艺制备Ag/YAG电接触复合材料;采用X-射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),傅里叶红外光谱(FT-IR)、硬度计、电导率仪等方法对其进行表征。结果表明：在水浴温度为50℃的条件下成功采用sol-gel法合成YAG纳米颗粒,物相纯度高;随着催化剂六次甲基四胺加入量的增加,YAG粉末颗粒粘连在一起,并出现大孔;以YAG为第二相增强材料制备的Ag/YAG电接触复合片材电阻率较低,维氏硬度大于80。     

网孔结构La2Sn2O7粉体的制备及其在Ag-电接触材料的制备及性能研究

以五水四氯化锡和硝酸镧为原料,采用化学共沉淀法在烧结温度920℃条件下合成了锡酸镧粉体。通过高能球磨法+成型烧结工艺制得Ag-La₂Sn₂O₇电接触复合材料。重点考察了胶凝剂浓度、烧结工艺对La₂Sn₂O₇粉体形貌及物相的影响,并对Ag- La₂Sn₂O₇电接触材料的物理性能进行了分析。研究结果表明：以碳酸氢铵为胶凝剂,于烧结温度920℃,2h条件下获得具有网孔结构的La₂Sn₂O₇粉体;于成型压力1200MPa,烧结温度900℃,6h条件下制得的Ag-La₂Sn₂O₇电接触材料表现出较佳的电阻率和硬度值。经过热挤压工艺,Ag-La₂Sn₂O₇电接触材料发生了大塑性变形,颗粒在热挤压过程中发生流动变形,形成类纤维状结构的排列分布状态,表现出更低的电阻率。     

Mn1-xZnxFe2O4 (0≤x≤1)纳米粉体的模板辅助溶胶凝胶法制备及其磁性能研究

通过模板辅助溶胶-凝胶法制备了一系列的Mn_1-xZn_xFe₂O₄(0≤x≤1,步长为0.2)纳米粉体。利用XRD和VSM对材料的物相和磁性能进行了表征,主要研究了Mn_1-xZn_xFe₂O₄分子式中Zn含量的变化对样品的微观结构和磁性能的影响。实验结果表明,具有不同Zn含量的Mn_1-xZn_xFe₂O₄样品均为尖晶石结构;随着Zn含量的增加,样品的晶面间距d、平均晶粒尺寸D、饱和磁化强度M_s和居里温度T_c都呈现出下降的趋势,而样品的矫顽力H_c则呈现出先升高后降低的趋势。分析认为,M_s的下降可以用Yafet-Kittel倾角理论解释,T_c的降低归因于晶格中反铁磁性耦合的降低,而H_c的变化则主要是由于材料的磁晶各向异性常数K₁的变化引起的。     

煅烧条件对溶胶凝胶法制备Mn-Zn铁氧体的组成及性能的影响

通过模板辅助溶胶凝胶法在不同的烧结气氛和烧结温度下制备出了一系列Mn-Zn铁氧体纳米粉体。利用XRD、TEM、VSM和阻抗分析仪等对材料的相组成、形貌和电磁性能进行了表征。实验结果表明,仅有在573K预烧1h后在氮气气氛中煅烧的样品具有尖晶石结构且颗粒大小均匀;这为制备具有尖晶石结构的Mn-Zn铁氧体纳米粉体提供了一条新的途径。同时文中探讨了了Mn-Zn铁氧体在不同煅烧气氛中的反应机理。此外,煅烧温度是影响尖晶石结构的Mn-Zn铁氧体材料性能的一个重要因素,随着煅烧温度的升高,晶粒尺寸逐渐变大,M_s的单调升高,H_c先升高后降低,T_c单调降低;随着频率的升高,介电常数呈现先升高后降低趋势,而介电损耗则呈先急速升高而后缓慢下降的趋势。