G83区低含水油井清防垢技术研究

G83区2008年以来检泵作业共计发现结垢井136口,各层系均有分布,主要集中在低含水油井,油井结垢导致的上修为该区井筒主要矛盾之一。本文通过研究G83区低含水油井结垢机理,分析得出地层产出液主要因矿化度高及成垢离子在采出过程中受压力变化影响生成碳酸盐垢的特点,结合现有治理措施存在的问题,通过优化加药,实施清垢措施,取得较好的效果,并由此总结得出较合理的清防垢治理技术,用以指导该区低含水结垢井治理工作。     

抽水蓄能电站巴氏合金上导轴瓦损坏原因分析

由于冷却油供油路中出油不均匀,使得油槽中存在大量漩涡或空气,造成轴瓦上半部分的油膜无法形成或形成不均匀,从而在运行过程中产生了油膜压力波动。同时,由于轴瓦轴向摆动的灵活性较差,轴瓦上半部分与滑转子间隙较小,轴瓦只有上半部分与滑转子接触,致使轴瓦表面单位面积受力过大。上述两种原因造成的瓦面上半部分应力幅值增加,使轴瓦产生了疲劳破坏。为此,利用光学显微镜和直读光谱仪对轴瓦巴氏合金的组织和成分进行了分析,在此基础上,提出了适宜的改进措施。实践表明,轴瓦金相组织中再无区域性偏析、聚集和组织分层现象出现,Cu6Sn5分布均匀,Sn Sb未发生区域性偏析,组织形貌与两种硬相Sn Sb和Cu6Sn5的总量符合要求。通过对轴瓦衬垫结构进行改进,使得轴瓦摆动的灵活性加大,轴瓦和滑转子之间形成了稳定的油膜,从而使轴瓦受力均匀,运行平稳。     

页岩气勘探开发对地球物理技术的需求

近几年来,伴随着建设低碳经济的需要和对清洁能源需求的增长,页岩气产业发展迅速升温,特别是北美页岩气的发展已经改变了现今能源供应格局。我国页岩气资源潜力巨大,开发前景广阔,已经引起人们的高度重视。我国页岩气勘探开发仍处于起步阶段,特别是地球物理技术在页岩气勘探开发中究竟具有什么样的作用,还存在一些困惑。本文通过页岩气地球物理技术的需求分析和对未来发展的展望,明确指出地球物理技术作为页岩气储层评价和增产改造的关键技术,将在页岩气勘探开发中发挥重要的作用。     

珠江口盆地东部T23层序界面的特征及生物定年

以二维、三维地震和钻测井等资料为基础,参考古生物资料,对珠江口盆地东部陆丰、惠州、西江、恩平、白云凹陷以及东沙隆起和番禺低隆起中T<'2><,3>的层序界面进行分析,共识别出4种界面类型,分别为削截型、下切峡谷型、顶超型、上超型,并结合地震属性分析,揭示了下切峡谷型的分布特征.通过地震剖面横向的对比和分析,使T<'2>...     

Hg1-xCdx Te晶体生长及太赫兹性能研究

利用移动加热区方法(THM)生长了不同Cd组分的Hg1-xCdxTe晶体,通过傅立叶光谱仪和太赫兹时域光谱系统,研究了不同Cd组分Hg1-xCdxTe晶体在红外波段和太赫兹波段的透射光谱.当Cd组分小于0.279时,Hg1-xCdxTe材料在0.2～1.5 THz波段透过率接近0.在0.9 THz附近观察到Hg1-xC...     

利用迁移率谱技术研究p型碲镉汞材料

窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于p材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μe/μh≈102),更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法准确有效地给出p型材料的电学参数.通过变温变磁场的霍尔测试对p型HgCdTe材料的磁输运特性进行了测试,结合...     

30%毒氟磷可湿性粉剂对环境生物的毒性与安全性评价

[目的]为顺利实现30%毒氟磷可湿性粉剂在今后农业生产中的广泛推广,参照《化学农药环境安全评价试验准则》的规定,进行了30%毒氟磷可湿性粉剂对环境有益生物鱼、蜂、鸟、蚕的急性毒性测定,并对其进行环境安全性评价。[结果]30%毒氟磷可湿性粉剂对鱼96 h的LC50值为12.4 mg/L,对蜂48 h的LC50>5 000 mg/L,对鸟7 d的LD50>450 mg/kg体质量,对2龄家蚕胃杀毒性LC50>5 000 mg/kg桑叶。[结论]30%毒氟磷可湿性粉剂对鱼类、蜂类、鸟类、家蚕均为低毒,实际风险为零。     

审时度势 创新发展——访固纬电子(苏州)有限公司产品经理蔡光跃先生

10月金秋,在苏州电博会上,本刊市场部经理李向阳见到了固纬电子(苏州)有限公司产品经理蔡光跃先生,互相交流,以下即是对话一部分。(以下简称李和蔡)     

ICPCVD-SiN_x对GaN/AlGaN基紫外探测器的钝化效果的研究

采用ICPCVD-SiNx薄膜对GaN/A1GaN基紫外探测器进行钝化,从薄膜绝缘特性、钝化效果两方面,对ICPCVD-SiNx、磁控溅射-SiOx、PECVD-SiOx和PECVD-SiNx四种钝化膜进行对比.制作了钝化膜/GaN MIS器件,通过测试MIS器件漏电流密度和薄膜击穿电场的大小表征薄膜绝缘性能,结果表明ICPCVD-SiNx对应的MIS器件的漏电特性最好,外加偏压为100 V时,其漏电流密度保持在1×10-7 A/cm2以下,薄膜击穿电场大于3.3 MV/cm.采用不同钝化方法制作了p-i-n型AlGaN基紫外探测器,通过计算钝化前后器件暗电流的变化,表征不同钝化方法的钝化效果.结果表明ICPCVD-SiNx钝化的器件,其暗电流比其他钝化方法的器件小近两个数量级,在-5V偏压下暗电流密度为7.52 A/cm2.     

CdZnTe衬底对碲镉汞气相外延表面形貌的影响

利用气相外延技术在CdZnTe衬底上生长Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过在不同晶向、不同极性、不同晶向偏离角度CdZnTe衬底上的外延结果发现,CdZnTe衬底对外延形貌的影响非常大。(111)面衬底上外延形貌明显优于(211)面衬底的外延形貌。对于同是<111>CdZnTe晶向的衬底,(111)Cd面CdZnTe衬底上的外延形貌明显优于(111)Te面。对于(111)Cd面CdZnTe衬底,当晶向偏离角度不同时,其外延形貌也有差异,晶向偏离角越小表面形貌越好。