带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。     

二氯乙烷生产流程中脱水塔的模拟

采用PRO／II模拟软件．对聚氯乙烯生产中的二氯乙烷精制过程中脱水塔的相平衡数据进行了模拟比较．确定采用SRKM方程较优。对脱水精馏塔进行了模拟计算，模拟结果与工厂数据吻合较好．为操作条件优化和工艺改进提供了途径。     

化工原理教学内容改革的点滴思考

本文对化工原理课程的框架结构、部分需要改革的教学内容、问题的分类作了叙述。笔者从目前化学工业所涉及的一些新技术、新设备出发,探索了化工原理中基本物性、基本理论、基本内容的改革和更新,为新教材的编写提供了依据。     

少学时化工原理课程教学改革初探

我们对本校少学时化工原理课程教学实施了课程教学改革。实践证明,教改取得了较好的效果。     

Ultra high-speed InP/InGaAs SHBTs with ft and fmax of 185 GHz

An InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistor (SHBT) with high maximum oscillation frequency (f_max) and high cutoff frequency (f_t) is reported. Efforts have been made to maximize f_max and f_t simultaneously including optimizing the epitaxial structure, base–collector mesa over-etching and base surface preparation. The measured f_t and f_max both reached 185 GHz with an emitter size of 1 × 20 μ m², which is the highest f_max for SHBTs in mainland China. The device is suitable for ultra-high speed digital circuits and low power analog applications.     

Ultra high-speed InP/InGaAs SHBTs with ft and fmax of 185 GHz

An InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistor(SHBT) with high maximum oscillation frequency (f_(max)) and high cutoff frequency(f_t) is reported.Efforts have been made to maximize f_(max) and f_t simultaneously including optimizing the epitaxial structure,base-collector mesa over-etching and base surface preparation.The measured f_t and f_(max) both reached 185 GHz with an emitter size of 1×20μm~2,which is the highest f_(max) for SHBTs in mainland China.The device is suitable for ultra-high spee...     

气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,以四溴化碳(CBr4)作为碳杂质源,系统研究了InP衬底上碳掺杂p型InGaAs材料的外延生长及其特性,在AsH3压力5.33×104Pa,生长温度500℃条件下获得了空穴浓度高达1×1020/cm3、室温迁移率为45cm2/Vs的重碳掺杂p型In0.53Ga0.47As材料。研究了CBr4和AsH3束流强度以及生长温度等生长条件对碳掺杂InGaAs外延层组份、空穴浓度和迁移率的影响,并对不同生长条件下的氢钝化效应进行了分析。     

变频调速系统控制策略的研究

变频调速技术作为高新技术、基础技术和节能技术,已经渗透到经济领域所有技术部门中。控制方式是决定变频调速系统性能的关键所在。本文列举了3种比较常见的控制模式（U／f控制模式、矢量控制模式和直接转矩控制模式）,并分析了它们各自的特点。随着电力电子器件和微电子技术的迅速发展,控制方式也必将随之发展。     

基于稀疏重构的判别分析

为了解决现有判别分析算法对残缺和遮挡等外部干扰比较敏感的问题,从局部稀疏表示的角度,提出一种基于稀疏重构的判别分析(SDA)降维算法。该算法首先利用稀疏表示完成各个类内局部稀疏重构,然后通过非所在类内的样本均值完成各样本的类间局部稀疏重构,最后在降维过程中保持类间和类内的稀疏重构信息之比。在AR和UMIST人脸库人脸数据集上的实验结果表明,与基于图优化的Fisher分析(GbFA)算法和基于重构判别分析(RDA)算法相比,该算法提高了基于近邻分类的最高识别准确率2%~10%。