二辛基硫醚在贵金属元素分析上的应用 Ⅰ.地质样品中痕量银的中子活化分析

本文研究了二辛基硫醚的萃取性能并将其用于地质样品中痕量银的中子活化分析(NAA)。将地质样品于反应堆(中子通量为(4-7)×10~(13)n/cm~2·s)中照射200h,冷却一个月以上,用HF-HNO_3-HClO_4分解样品,于1N HNO_3介质中用0.2M二辛基硫醚-氯仿溶液萃取,有机相作Ge(Li)γ谱分析,用相对比较法求出样品中银含量。化学产额为92％。分析了水系沉积物、岩石和土壤标样,测得银的含量范围为0.023-4.35ppm,实际样品的测定精密度在±15％以内。     

Ge(Li)γ谱本底的直接扣除法

本文介绍了一种直接扣除峰下本底的技术,这个技术已在《SPAN Ge(Li)γ谱分析程序》中得到成功的应用。这个方法是积分峰本底技术的完善和发展,它对于十分复杂的包含有多重峰的Ge(Li)γ谱也能得出合理的本底线,并且能从γ谱中直接扣除。     

高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理

研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制．实验中利用不加磁分析器的离子注入机，采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge+和Ge2+双电荷离子并存的单束双能离子注入方法，制备了1e16～1e18cm－2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品．用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在，并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量．通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸．用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布，与实验结合，得到纳米晶形成的物理机制，即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge＋和Ge2＋相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关．     

GaAs/Ge solar cell AC parameters under illumination

The ac parameters of GaAs/Ge solar cell were measured under illumination at different cell temperatures using impedance spectroscopy technique. They are compared with the dark measurements. It is found that the cell capacitance is higher and cell resistance is lower under illumination than in dark for all cell terminal voltages. The cell capacitances at the corresponding maximum power point voltage (terminal) do not vary with temperature where as the cell resistance decreases. The cell capacitance under illumination is estimated from the dark cell capacitance and it is in good agreement with the measured illumination data.     

Study of Ge2Sb2Te5 Film for Nonvolatile Memory Medium

The amorphous Ge2Sb2Te5 film with stoichiometric compositions was deposited by co-sputtering of separate Ge, Sb, and Te targets on SiO2/Si (100) wafer in ultrahigh vacuum magnetron sputtering apparatus. The crystallization behavior of amorphous Ge2Sb2Te5 film was investigated by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and differential scanning calorimetry (DSC). With an increase of annealing temperature, the amorphous Ge2Sb2Te5 film undergoes a two-step crystallization process that it first crystallizes in face-centered-cubic (fcc) crystal structure and finally fcc structure changes to hexagonal (hex) structure. Activation energy values of 3.636±0.137 and 1.579±0.005 eV correspond to the crystallization and structural transformation processes, respectively. From annealing temperature dependence of the film resistivity, it is determined that the first steep decrease of the resistivity corresponds to crystallization while the second one is primarily caused by structural transformation from     

光子计数探测器感应位敏阳极的电子云扩散

针对基于感应位敏阳极的光子计数成像探测器中非晶态Ge(α-Ge)膜的方块电阻对探测器成像性能的影响,研究了方块电阻的选配范围和方法。由于方块电阻的大小会影响Ge膜上的电子云的扩散特性从而影响探测器的计数率和分辨率,故本文根据菲克(Fick)扩散定律分析了吸收边界条件下非晶态薄膜上电子云的扩散特性。确定了电子云扩散时间与Ge膜方块电阻之间的数学关系,推导获得了探测器高质量成像时非晶态Ge膜方块电阻的阻值为30～2 700MΩ/□。采用具有不同方块电阻的感应位敏阳极进行了实际成像实验,结果表明:当Ge膜方块电阻在上述范围时,光子计数探测器在计数率为53kc/s时分辨率可以达到0.5mm。实验结果证明了推导得出的方块电阻选配范围的正确性。     

电沉积法制备加速器生产~(68)Ge用镓镍固体靶

68Ge主要用于制备68Ge-68Ga发生器以及正电子发射型计算机断层显像(positron emission computed tomography)的校正放射源。采用69Ga(p,2n)68Ge反应制备68Ge,本研究建立了制备镓镍合金靶件的方法,以利用现有的回旋加速器生产68Ge。在酸性条件下通过电沉积法制备镓镍固体靶件,优化镀液组分以及电沉积条件,确定了电沉积工艺,制备了镓含量75%的镓镍固体靶件。经过三次辐照实验表明,此靶件可以生产68Ge。此工艺简便易行,制备的靶件质量稳定,可应用于回旋加速器生产68Ge。     

金锗合金中锗含量标准分析方法浅析

介绍了行业标准——金锗合金化学分析方法两个标准分析方法的制定过程。第1部分,锗量的测定采用电感耦合等离子体发射光谱法,测定范围为0.5%~5%;第2部分锗量的测定新采用碘酸钾电位滴定法,测定范围为5%~30%。     

电沉积乙炔黑 / 锗材料及其性能研究

目的提高锂离子电池锗基材料的电化学性能。方法采用电泳和离子液体电沉积制备乙炔黑/锗负极材料,用SEM,Raman和充放电循环等手段表征其结构和性能。结果乙炔黑/锗负极材料在0.2C倍率下循环100次,比容量依然可达到600 m Ah/g以上。结论乙炔黑/锗负极材料的电化学性能明显优于单独锗材料和碳材料。     

Si_3N_4/Si表面Ge生长过程的STM研究

利用STM和LEED分析了Ge在Si3 N4 /Si(111)和Si3 N4 /Si(10 0 )表面生长过程的结构演变。在生长早期 ,Ge在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇 ,这些团簇的大小均在几个纳米范围内 ,并在高温退火时体积增大。当生长继续时 ,Ge的晶体小面开始显现。在晶态的Si3 N4 (0 0 0 1) /Si(111)表面 ,Ge的 (111)晶向的小面生长比其他方向优先。最后在大范围内形成以 (111)方向为主的晶面。相反 ,在非晶的Si3 N4 表面 ,即Si3 N4 /Si(10 0 ) ,Ge晶体的高指数侧面生长较顶面快 ,最终形成金字塔形的岛结构。对这样的表面生长过程进行了探讨并给出了合理的物理解释