辉光放电质谱仪测定超纯锗中23种痕量杂质元素

本文报导了一种用辉光放电质谱仪VG9000在无标准样品的情况下对超纯半导体材料锗中23种痕量杂质元素的直接而快速的定量测定方法。该方法具有10ppt量级的检测极限，是鉴定起统金属或半导体材料纯度（8N）的理想手段。     

SOI基外延纯Ge材料的生长及表征

利用超高真空化学气相沉积系统采用低温-高温两步法外延Ge材料.我们先在低温下生长硅锗作为过渡缓冲层利用其界面应力限制位错的传播,然后在低温下生长的纯锗层,接着高温生长纯锗,最后在SOI基上成功的外延出了高质量的纯锗层,测试结果表明厚锗层的晶体生长质量很好,芯片表面也很平整,表面粗糙度5.5nm.     

光纤材料锗缺氧中心与环结构特性研究

利用密度泛函理论(DFT)研究光纤材料中锗缺氧中 心(Ge-DDC)与环 结构特性,建立基于三环结构的Si-O-Si结构模型和Ge-ODC模型;同时,通过紫外可见光 (UV-Vis)吸收与拉曼测试分析研究光纤材料的微结构 特性。理论分析结果表明:对于未掺杂Ge的光纤材料,其带隙为8.36eV左右;而对于掺杂Ge元素的光纤材料,其带隙为 5.0eV左右,会在242nm波长处形成一个吸收 中心,并且它与Ge-ODC缺陷中心的吸收中心相 对应。在Ge-ODC缺陷结构中,其三环 Si-O-Si结构与Ge原子之间存在紧密联系。当掺Ge的光纤材料经辐照处理后,光纤材料中 容易产生GeE′和SiE′缺陷中心。光纤材 料受到不同剂量辐照后,光纤材料中的三环结构数量随着剂量的增加而减少。研究结果表明 ,石英材料中Ge-ODC缺陷结构容易产生 于环结构周围,并容易受到外界能量的影响。Ge-ODC与环结构特性的理论研究,对 超低损耗石英光纤的制备与设计具有重要的实际应用意义。     

氧化铝模板法制备Ge纳米线

采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径约为 30 nm,长度超过 6 0 0 nm.对 Ge纳米线的生长机理进行了探讨 .     

高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究

报道了分别采用剂量为1e1 6 ,1e1 7,5e 1 7和1e1 8cm- 2的高剂量Ge离子注入,不需退火即可在Si O2中直接形成Ge纳米晶的新现象.采用掠入射X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析.结果表明,高剂量Ge离子注入可在SiO2 薄膜中直接形成Ge纳米晶(nc- Ge) ;非晶态Ge向晶态Ge发生相变的阈值剂量约为1e1 7cm- 2 ,离子注入直接形成的nc- Ge内部具有较大压应力,随着注入剂量的提高,nc- Ge的尺寸和含量均有提高.对纳米晶形成机理的研究认为,在Ge离子注入剂量达到阈值,此时膜中Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和,新入射的     

低本底反康普顿高纯锗γ谱仪

本文介绍的谱仪采用铅-石蜡-铅为主的复合物质屏蔽。HPGe探测器对~(60)Co的1332keV γ射线的相对效率为25％,能量分辨率好于1.75keV。在阱型反符合屏蔽下,系统对放在HPGe端面的~(137)Cs点状薄膜源的峰康比可达800:1;测量时间1000min,置信度95％时,对~(137)Cs点源探测灵敏度好于5.6mBq;谱议在100—2000keV能区内的积分本底好于8.7±0.1次/min,与无反符合屏蔽时相比,压缩倍数为6.6。     

大体积同轴型锗(锂)探测器的半经验效率刻度法

本工作测定了136cm~3同轴型锗(锂)探测器在不同能量下的全能峰绝对效率。在引入有效作用深度后,用半经验参数法对实测的绝对效率值作了非线性最小二乘拟合。拟合值与实验值符合良好。     

^68Ge—^68Ga发生器的研制—硅胶柱上^68Ge与Ga,Cu,Zn的分离

测量了硫酸介质中Ｇｅ在硅胶上的分配比及Ｇａ、Ｃｕ、Ｚｎ在硅胶上的吸附。研究了硫酸浓度、Ｇａ浓度及原始溶液中Ｇｅ载体量对Ｇｅ分配比的影响。实验结果表明：用１０ｍｍ×３０ｍｍ硅胶柱，上柱料液为５０ｍＬ０．４μｇ／ｍＬＧｅ－０．２８ｍｏｌ／ＬＧａ－９ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４溶液，淋洗液为３０ｍＬ９ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４，流速为０．８５ｍＬ／ｃｍ２·ｍｉｎ时，Ｇｅ的穿透率为０．３９％，Ｇａ、Ｃｕ、Ｚｎ的去污系数分别为１．８×１０６、５．０×１０６、２．６×１０６。     

高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理

研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制．实验中利用不加磁分析器的离子注入机，采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge+和Ge2+双电荷离子并存的单束双能离子注入方法，制备了1e16～1e18cm－2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品．用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在，并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量．通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸．用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布，与实验结合，得到纳米晶形成的物理机制，即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge＋和Ge2＋相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关．     

Rapid thermal chemical vapor deposition of in-situ boron doped polycrystalline SIxGe1-x

In-situ doped polycrystalline Si_xGe_1-x (x = 0.7) alloys were deposited by rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD) using the reactive gases SiH₂Cl₂, GeH₄ and B₂H₆ in a H₂ carrier gas. The depositions were performed at a total pressure of 4.0 Torr and at temperatures 600° C, 650° C and 700° C and different B₂H₆ flow rates. The conditions were chosen to achieve high doping levels in the deposited films. Our results indicate negligible effect of B₂H₆ flow on the deposition rate. The depositions follow an Arrhenius type behavior with an activation energy of 25 kcal/mole. Boron incorporation in the films was found to follow a simple kinetic model with higher boron levels at lower deposition rates and higher B₂H₆ flow rates. As-deposited resistivities as low as 2 mΩ-cm were obtained. Rapid thermal annealing (RTA) in the temperature range 800-1000° C was found to reduce the resistivity only marginally due to the high levels of boron activation achieved during the deposition process. The results indicate that polycrystalline Si_xGe_1-x films can be deposited by RTCVD with resistivities comparable to those reported for in-situ doped polysilicon.