基于硅悬臂梁谐振器的新型气体传感器

研究了一种基于硅悬臂梁谐振器的新型气体传感器.该传感器在敏感环境中,可同时获得敏感膜电导率和质量变化,测量被测气体分子的荷质比,具有高灵敏度和高选择性.根据这一原理,针对气体传感器的需求,设计了硅悬臂梁谐振器化学传感器结构,进行了仿真优化,并采用MEMS表面牺牲层工艺制备该器件,激光频率仪测量验证了该微型谐振梁的谐振频率.     

风景园林规划设计及植物配置微探

围绕风景园林规划设计与植物配置展开探讨,介绍了风景园林设计的规划要点,简述了其设计原则,并提出完善设计水平的有效途径,以期推动城市园林的建设发展。     

一种用于RF MEMS移相器及开关可变电容的复合微桥膜结构

提出了一种基于微机械工艺的新型复合微桥膜结构，由低应力SiN／SiO2(0.5μm／50nm)及Cr／Au(30nm／1μm)构成。相应的工艺流程较为简单。对影响其特性的因素进行了理论分析，并提出了3种桥膜的平面结构；利用静电／力耦合有限元法分析了各种结构的静电驱动特性以及各阶模态，结果得到了令人满意的驱动和机械性能；通过有限元高频仿真软件对桥膜结构与共面波导形成的可调电容结构进行了分析，结果表明其具有良好的射频／微波性能。该桥膜结构适用于RF MEMS开关、移相器及开关式可调电容和滤波器等。     

硅膜厚度和背栅对SIMOX／SOI薄膜全耗尽MOSFET特性影响的研究

本文报道了薄膜ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ材料上全耗尽ＭＯＳＦＥＴ的制备情况，并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较．实验结果表明，全耗尽器件完全消除了＂Ｋｉｎｋ＂效应，低场电子迁移率典型值为６２０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，空穴迁移率为２１０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，泄漏电流低于１０－１２Ａ；随着硅膜厚度的减簿，器件的驱动电流明显增加，亚阈值特性得到改善；全耗尽器件正、背栅之间有强烈的耦合作用，背表面状况可以对器件特性产生明显影响．该工作为以后薄膜全耗尽ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ电路的研制与分析奠定了基础．     

VLSI多层互连可靠性第一部分 电迁移失效（二）

4．几何形状导线的几何形状一尺寸、转角数目、台阶覆盖以及同一条线上宽度的变化对电迁移特性也有重要的影响。其中尺寸的影响在前面已经讨论过了，下面就其它几个方面进行讨论。转角会使电迁移寿命减小，图14显示了MTF与转角个数关系的实验结果。实验还发现，失效多出现在转角的上游（即电子流流来的方向））1～3pm处。早期认为，这种现象是由于在转请处出现电流聚集（crow山叩），使局部电流密度加大，进而使离子流散度加大造成的。但F．Jeuland等人通过计算机模拟发现”’‘，在转角处出现的是局部冷点而不是局部热点（如因15）。这是…     

空心阴极离子淀积TiN薄膜特性研究

本文用空心阴极离子淀积系统,在氮和氩的混合气体中淀积了TiN薄膜.X射线衍射方法、俄歇电子谱(AES)和电学测量等方法用来研究分析了TiN薄膜的结构、组分和薄膜电阻率.该TiN薄膜有很低的电阻率,其电阻率约为25μΩcm.Al/TiN/Si金属化系统经550℃、30分钟热退火后,卢瑟富背散射(RBS)分析结果表明,没有发现互扩散现象,说明TiN在硅集成电路中是一种良好的扩散势垒材料.     

VLSI多层互连可靠性第一部分：电迁移失效（一）

一、引言电迁移是指导电材料在电流的作用下产生的物质输运现象，它是引起集成电路失效的一种重要机制。在大电流密度下，由于电迁移作用，可能出现下列导致电路失效的现象：1互连导线中形成空洞，使电阻增加。2空洞贯穿导线的横截面，使电路开路。3形成晶须造成线间或层间短路。4晶须穿破钝化层，形成腐蚀隐患。在电迁移研究中面临着许多难题，影响电迁移的因素十分复杂，其中包括金属的种类、金属股形成条件和结晶结构；金属层间介质和钝化层的种类及淀积条件；电路工作时的电流密度和环境温度；衬底表面形貌；合金效应和尺寸效应等。其次…     

测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法

介绍了一种测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法.硅各向异性腐蚀速率三维分布可由一系列晶面上的二维腐蚀速率分布表示.利用深反应离子刻蚀技术(DRIE)在{0mn}硅片上制作出侧壁垂直于硅片表面的矩形槽,测量槽宽度在腐蚀前后的变化,就可测定各{0mn}面上的二维腐蚀速率分布.将二维腐蚀速率分布组合在一起就得到了三维腐蚀速率分布.由于DRIE制作的垂直侧壁深度大,可耐受较长时间的各向异性腐蚀,所以只需使用一般的显微镜就能得到准确的结果.实验得到了40%KOH和25%TMAH中{n10}和{n11}晶面的腐蚀速率分布数据.     

Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性

研究了溅射 Ti/ Al/ Ti/ Au四层复合金属与 Al Ga N / Ga N的欧姆接触特性 ,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究 .试验证实 :溅射的 Ti/ Al/ Ti/ Au与载流子浓度为 2 .2 4× 10 1 8cm- 3的 Al Ga N之间在室温下无需退火即可形成欧姆接触 .随快速退火温度的升高接触电阻降低 .快速退火时间 30 s已可实现该温度下最佳欧姆接触 .当工作温度不高于 30 0℃时接触电阻几乎不受温度的影响