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61.
以C3H6为源气体,N2为稀释气,在800℃~1200℃温度范围内,SiC纤维上进行了热解碳的沉积.研究了沉积温度、系统压力和PN2/PC3H6对热解碳沉积速率和沉积层形貌的影响.结果表明:在沉积温度低于900℃,系统总压小于1 KPa条件下,沉积速率低,难以进行热解碳的沉积.随着沉积温度、系统压力升高,沉积速率升高,沉积层形貌发生改变.过低的PN2/PC3H6导致不均匀的热解碳沉积形貌,局部有碳颗粒的生成.沉积温度为1000℃、系统总压10 KPa左右、PN2/PC3H6为2:1的条件下可获得均匀致密的热解碳沉积层.反应热力学和动力学条件随工艺参数的改变而改变,这是热解碳沉积层形貌改变的主要原因. 相似文献
62.
采用传统陶瓷烧结工艺制备了(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiNbO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的结构、烧结特性及电性能特征.制备的(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷为单一的钙钛矿结构,室温下其相结构随LiNbO3含量增加逐渐由正交相向四方相转变,显微结构也由于LiNbO3含量的不同而表现出很大差异.与(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷相比,(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷的烧结温度降低,烧结特性得到改善. (K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷表现出优越的压电性能,其中0.94(K0.5Na0.5)NbO3-0.06LiNbO3(x=0.06)陶瓷的压电常数d33达到205pC/N,机电耦合系数kp为40.3%,kt达到49.8%. 相似文献
63.
1987年至2000年8月《工程索引》月刊共收录西北工业大学123篇收录在24行以上的论文 总被引:1,自引:0,他引:1
在年至年月这年个月期间 西北工业大学共有位第一作者获得EI月刊介绍在行以上的论文。这位作者中 有位作者不止篇:郑修麟篇;李淼泉吕宝桐各篇;殷金其林超强张克实各篇;王伟伦尹大川刘庆斌刘更孟亮支希哲储双杰周万城刘波吴诗陈保兴张贵锋徐永东各篇。这篇中 介绍在行以上者共篇:杨合行李淼泉行王伟伦行尹大川行李淼泉行刘庆斌行刘庆斌行杨保安行吕宝桐行郑修麟行刘斌行。位第一作者中 有位女作者各有 《西北工业大学学报》2001,19(1):64
在1987年至2000年8月这14年8个月期间,西北工业大学共有92位第一作者获得EI月刊介绍在 24行以上的论文。这92位作者中,有19位作者不止1篇:郑修麟7篇;李淼泉、吕宝桐各4篇 ;殷金其、林超强、张克实各3篇;王伟伦、尹大川、刘庆斌、刘更、孟亮、支希哲、储双 杰、周万城、刘波、吴诗、陈保兴、张贵锋、徐永东各2篇。这123篇中,介绍在32行以上 者共11篇:杨合47行、李淼泉40行、王伟伦36行、尹大川35行、李淼泉34行、刘庆斌34行、 刘庆斌34行、杨保安34行、吕宝桐33行、郑修麟32行、刘斌32行。92位第一作者中,有11位 女作者各有1篇:李葆萱31行、顾媛娟29行、Wang Yan 27行、田丽27行、安锦文27行、张勤 珍27行、富立26行、刘晓坤25行、林撷仙25行、桂业英25行、刘萍24行。123篇中有56篇发 表在西北工业大学学报上。
胡沛泉
2001年1月5日 相似文献
64.
纳米Si/C/N复相粉体的制备及其在不同基体中的微波介电特性 总被引:1,自引:1,他引:0
以六甲基二硅胺烷((Me3Si)2NH)(Me:CH3)为原料,用双反应室激光气相合成纳米粉体装置制备了纳米Si/C/N复相粉体.研究了纳米Si/C/N复相粉体在不同基体中8.2~12.4GHz的微波介电特性,纳米粉体介电常数的实部(ε’)和虚部(ε”)随频率增大而减小,介电损耗(tgδ=ε”/ε’)较高·纳米Si/C/N复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子,在纳米Si/C/N复相粉体中形成大量的带电缺陷;极化弛豫是吸收电磁波的主要原因. 相似文献
65.
Si2ON2 /LAS纳米复合材料的制备与性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了Si2ON2/LAS纳米复合材料的制备和性能。结果表明,纳米β-Si3N4可在较低温度下与玻璃热压烧结制备出Si2ON/LASX纳米复合材料,材料的力学性能与生成的纳米Si2ON2含量有关,Si2ON2的含量在20%时材料的抗弯强度和断裂韧性达量高值,分别比未加Si2ON2的材料提高31%和88%。纳米Si2ON2的含量超过20%时,材料的力学性能急剧下降,其原因是材料的致密度迅速降低。 相似文献
66.
SiC(N)/LAS吸波材料吸波性能研究 总被引:8,自引:2,他引:6
研究了由SiC(N)纳米吸收剂制备的SiC(N)/LAS吸波材料的介电性能,对影响介电性能的吸收剂的含量、吸波材料烧结温度和碳界面层等因素进行了较为全面的研究。结果表明,在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷介电常数的影响较小;在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小,对陶瓷介电常数的影响较大,吸波材料介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异,这种差异是吸波材料制备过程中纳米级的SiC(N)促进了碳界面层形成,导致了在较高温度烧结时吸波材料介电常数对温度的敏感性,使吸波材料介电常数的实测值与计算值之间出现了很大的差异,形成的碳界面层复介电常数的虚部较高,使吸波材料对电磁波的损耗进一步升高,从而使吸波材料的吸波性能得到增强。 相似文献
67.
为了研究光输出高、衰减时间短、密度高、抗辐射的新型闪烁体,进行了把有机激活剂掺入高密度、低熔融温度玻璃中来制备高性能闪烁玻璃的探索。研究表明,对三峡苯可以掺入铅-锡-氟磷酸盐玻璃中并稳定存在,其捅入对其质玻璃的密度和特征温度没有明显影响。掺杂对三一的闪烁玻璃的荧光光谱是一个覆盖420-700nm的宽谱带,最大峰值在545nm左右,在γ射线激发下玻璃可以发光,其衰减时间在5-10ns之间,研究表明, 相似文献
68.
CVD法水蒸气条件下制备SiC块体 总被引:2,自引:1,他引:1
以三氯甲基硅烷(MTS)为原料,在无水蒸气和有水蒸气加入的条件下采用化学气相沉积(CVD)法制备出SiC块体材料,在950~1200℃的范围内,水蒸气水温20~80℃时由Ar鼓泡引入反应器中进行沉积,得到的产物基属β-SiC,其中混有少量的二氧化硅。结果表明,无水蒸气时SiC的沉积速率随沉积速率湿度升高而略有升高,通过 入水蒸气后SiC的沉积速率有所提高,当水蒸气的引入温放为20℃、沉积温度为1050℃时,沉积速率大达到0.9mm/h;随水蒸气引入量的增加,SiC的沉积速率呈降低趋势,同沉积反应的机理进行了初步分析。 相似文献
69.
以氧化铝为填料,硅溶胶为粘结剂,碳化硅纤维布为增强纤维,使用层压法制备SiCf/Al2O3复合材料,并对该复合材料做了抗弯性能试验。结果显示,随处理温度的升高,基体缓慢释放出的结合水会对纤维造成氧化损伤,使试样的抗弯性能下降,但是材料始终表现出非脆性断裂行为,这与基体与纤维之间未形成强结合有关;包裹氧化硼玻璃后在空气中对SiCf/Al2O3进行处理后,氧化硼玻璃能有效阻止空气与纤维的接触,防止了纤维在高温下被氧化,分析表明在600、700、800℃保温0.5、1、1.5、2 h后,抗弯强度变化不大。 相似文献
70.