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液态铅锌间有一个很大的互不溶区域,且由于比重差别较大,易于分层。不少研究工作者测定了第三元素在这两个液态金属间的分配。本文报告用铟为第三元素的分配试验结果以及某些第四元素对分配系数的影响。实验用原料为:Pb:99.99%,Cd:99.9%,In:99.72%,Zn为无砷锌,Cu为电解铜。将铅、锌和铟置于玻璃或石英坩埚中,外套一端封闭的石英管,多次抽空并充氩气。用管炉加热,铂铑热电偶测温,温度波动范围±3℃。实验过程中在密封条件下每隔15分 相似文献
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介绍了一种在氮化镓外延片表面制备得到孔径为纳米量级的多孔结构的工艺.用电化学方法制备出孔径为纳米量级的多孔阳极氧化铝模板作为掩模,经过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制备得到纳米孔氮化镓材料.孔的大小和孔间距可以通过改变阳极氧化条件来控制,改变刻蚀时间可以控制孔深.刻蚀所用气体为氯气和惰性气体的混合物.扫描电镜照片显示,掩模图形能够很好地转移到GaN材料上.刻蚀后的材料经光荧光谱(PL Spectra)谱和Raman散射谱测试,显示出良好的光学特性,并在一定程度上释放了应力. 相似文献
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研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性。通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓。 相似文献
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67.
全息光刻和二次显影法制备柱形二维光子晶体 总被引:1,自引:1,他引:0
采用全息光刻和二次显影的方法制备了柱形二维光子晶体.在此过程中,二维点状的周期结构首先在正性光刻胶上直接形成,然后经由Si3N4硬掩模转移到衬底材料上.利用二次显影的方法,曝光强度最强和曝光强度中等区域的光刻胶能够被同时充分显影,而曝光强度最弱区域的光刻胶则可以完全被保留下来.通过调节入射角,可以方便地调节二维结构的周期.利用此方法,在相对较大的面积上制备了不同周期的二维结构,二维结构具有很好的均匀性和重复性.文章对有关的工艺参数进行了详细讨论. 相似文献
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In0.53Ga0.47As PIN光电探测器的温度特性分析 总被引:3,自引:0,他引:3
从理论和实验上分析了双异质结In0.53Ga0.47As PIN光电探测器在不同的反向偏置电压下暗电流在甚宽温度范围内的温度特性。结果表明:在反向偏置低压与高压段,产生一复合电流与隧道电流(缺陷隧道电流与带带间隧道电流)分别占主导地位,并呈现出相应的温度特性。还从理论与实验两方面探讨了噪声对探测器R0A的影响,结果表明:在低温段,产生一复合噪声起主要作用,在高温段,俄歇复合噪声起主要作用。 相似文献
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