用于制备SOI材料的基于硅片键合和双层多孔硅剥离的薄外延硅膜转移技术

采用在阳极化反应时改变电流强度的办法 ,在高掺杂的 P型硅 (111)衬底上制备了具有不同多孔度的双层结构多孔硅层 .用超高真空电子束蒸发技术在多孔硅表面外延生长了一层高质量的单晶硅膜 .在室温下 ,该外延硅片同另一生长有热二氧化硅的硅片键合在一起 ,在随后的热处理过程中 ,键合对可在多孔硅处裂开 ,从而使外延的单晶硅膜转移到具有二氧化硅的衬底上以形成 SOI结构 .扫描电镜、剖面投射电镜、扩展电阻和霍尔测试表明 SOI样品具有较好的结构和电学性能     

努力提高煤质 创建优质高效选煤厂

本文结合云冈选煤厂的实际就健全煤质管理机构，加强技术检查工作，加强设备、工艺的技术管理等几个方面对提高煤质，创建优质高效选煤厂进行了阐述。     

双层多孔硅结构上的UHV/CVD硅外延

报道了采用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)在多孔硅层上的单晶硅外延技术.研究了两步阳极化法形成不同多孔度的双层多孔硅层及外延前对多孔硅进行长时间的低温真空预处理等工艺.对获得的外延层作了XRD、XTEM和扩展电阻等测量,测量结果表明硅外延层单晶性好,并和硅衬底、多孔硅层具有相同的晶向.硅外延层为P型,电阻率大于100Ω·cm.     

1.3μmInAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器

采用气态源分隔束外延方法及应变补偿生长工艺生长了ＩｎＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ应变补偿多量子阱激光器材料,采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制成了脊波导型１．３μｍ激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量,测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于１０ｍＡ,在２５℃至９０℃温度范围内特征温度大于９０Ｋ,并表现出较好的单纵模特性。     

AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱

用固态源ＭＢＥ技术生长了ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ多量子阱材料,研究了通过改变多量子阱ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ中的结构参数,如多量子阱中ＩｎＧａＡｓＳｂ的阱宽,ＡｌＧａＡｓＳｂ的垒宽及垒层中Ａｌ组分和阱层中的Ｉｎ组分,多量子阱中的阱数等,来提高ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ多量子阱的ＰＬ强度。     

单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器

制备了增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近０Ｖ的增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件,并在此基础上设计制作了可在１．５￣３Ｖ低电压和单电源下工作的２．５ＧＨｚ低噪声单片放大器。同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析。     

中红外半导体光源和探测器件及其应用

中红外波段(2～25 μm)的光电子器件在气体检测、红外遥感和红外对抗等领域都有重要应用.介绍了笔者近年来在中红外波段的半导体光源和光电探测器方面的工作进展,包括InP基量子级联激光器、2μm波段锑化物量子阱激光器和波长扩展InGaAs光伏型探测器的研制以及器件应用方面的工作.这些光电子器件所用高性能材料都是笔者采用分...     

浅谈过滤洗涤干燥机在无菌生产中使用注意事项及异常情况处理

总结了过滤洗涤干燥机在无菌原料药生产时干燥过程中、清洁时、灭菌时的注意事项,以及设备出现波纹管漏气、机械密封泄漏、出料门泄漏等异常情况时的处理措施。     

干式螺杆真空泵在原料药生产工艺中的应用

在原料药生产的抽滤及减压干燥工艺中应用干式螺杆真空泵替代水环式真空泵,并在干式螺杆真空泵后加装冷凝器冷凝回收挥发性有机溶剂,达到降低成本、减少废气废水的效果。     

盐水贵妃鸡加工工艺

主要介绍了以贵妃鸡为原料,通过特殊工艺,加入各种香辛料与调味料,经过传统与现代工艺相结合的方式,生产出风味独特的盐水贵妃鸡产品.