电话自动挂机电路

日常生活中、尤其是有小孩的家庭，经常会遇到电话机未挂好、外线要不进来的情况。只要连接本电路，再出现这种情况时就会自动模拟挂机。     

反渗透膜碳酸钙污染过程模拟以及膜清洗研究

采用氯化钙和碳酸氢钙配置原水,模拟反渗透膜使用环境,测定膜污染后膜性能的变化趋势,并对膜进行了清洗,对比了不同阶段膜通量的恢复情况,并比较了不同清洗温度下膜通量的恢复情况。结果表明:在本实验条件下,膜通量随着膜污染的加剧呈现出先快后慢的下降趋势,而脱盐率呈先慢后快的下降趋势;污染的膜经过酸洗后,膜性能恢复到初始的98.6%;清洗温度越高,膜通量恢复越好。     

Room-temperature electroluminescence of p-ZnxMg（1-x）O：Na/n-ZnO p-n junction light emitting diode

p-ZnxMg1-xO：Na/n-ZnO p-n junction light emitting diode （LED） was produced on n-ZnO （0001） single-crystal substrate using pulsed laser deposition. The realization of band gap engineering was achieved by the incor-poration of Mg in ZnO layers and was confirmed by photoluminescence spectrum. The p-type ZnxMg1-xO：Na film with low resistance was obtained at 500 ℃ and in which, Na has taken effect evidenced by Hall and X-ray photo-electron spectroscopy measurements. The current-voltage curve of LED showed a rectifying behavior and obvious electroluminescence was realized by feeding a direct current up to 40 mA. Furthermore, its structural and electric characters are discussed as well.     

Al掺杂ZnO薄膜原子力显微图像的多重分形研究

用原子力显微镜观察溶胶-凝胶法制备Al掺杂znO薄膜的表面形貌,运用多重分形理论研究Al掺杂ZnO薄膜的原子力显微图像,多重分形谱可以很好地定量表征薄膜的表面形貌.结果显示:Al掺杂量为0.5 at.%的ZnO薄膜经550℃退火处理后,rms粗糙度为1.817,Al掺杂量为1.0 at.%的ZnO薄膜经600℃退火处理后,rms粗糙度增大到4.625,相应的分形谱宽△α从0.019增大到0.287,分形参数△f由-0.075变为0.124.     

IC反应器处理马铃薯淀粉生产废水的试验研究

试验采用超滤-IC反应器-MBR工艺处理马铃薯淀粉生产废水,重点研究了IC反应器处理马铃薯淀粉废水的工艺参数。结果表明,在常温下,当进水COD的质量浓度为6000～9000mg/L、HRT为5h、容积负荷为23.62kg[COD]/(m3·d)时,IC反应器对COD的去除率为91.43%。采用该工艺处理马铃薯淀粉生产废水完全可以达到废水回用的目的。     

含预制裂纹的脆性岩石单轴压缩下渐进性破坏过程的试验研究

对含预制裂纹的花岗岩进行单轴压缩试验研究预制裂纹倾角α对脆性岩石渐进性破坏过程的影响。首先对破坏过程的轴向应力-横向应变曲线进行总结和讨论,然后分析预制裂纹与加载方向夹角α对岩石的应力门槛值：裂纹起始应力σci、裂纹扩展应力σcd、峰值强度σf,由应变片记录的应力-应变曲线和试样的表面裂纹扩展情况的影响机制。结果表明,含有预制裂纹的岩石试样进行加载试验过程中,预制裂纹倾角α的变化成了决定脆性岩石破裂方式的主要因素。故在对含节理、裂隙的脆性岩石的工程应用上,通过对岩体的轴向应力-横向应变曲线进行分析,可以对地下开挖工程起到指导设计开挖方式及支护形式的作用。     

Cu含量对Zn1-xCuxO薄膜光学性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备CuxZn1-xO薄膜,用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪研究薄膜的微结构、表面形貌、透射谱和光致发光谱,结果表明:薄膜均呈六角纤锌矿结构,随着Cu含量增加,薄膜平均晶粒尺寸先增大后减小,表面RMS粗糙度先减小后增大,紫外吸收边发生蓝移,薄膜在可见光波段范围内的平均透过率在80％左右.未掺杂ZnO薄膜中出现一个相对较弱紫光发射带和一个很强的绿光发射带,其它薄膜中出现一个紫光发射和一个蓝光发射带;紫光发射归因于导带以下的局域能级与价带之间的电子跃迁,绿光发射来自于氧空位缺陷能级与价带之间的电子跃迁.     

AZO薄膜用于GaN基LED透明电极的性能研究

采用脉冲激光沉积法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜, 研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能。当沉积压强为0.1 Pa时, AZO薄膜光电性能最优。将该薄膜用于GaN基LED透明电极作为电流扩展层, 在20 mA正向电流下观察到了520 nm处很强的芯片发光峰, 但芯片工作电压较高, 约为10 V, 芯片亮度随正向电流的增大而增强。二次离子质谱测试表明, AZO薄膜与GaN层界面处两种材料导电性能的变化以及钝化层的形成是导致芯片工作电压偏高的原因。     

纳滤淡化高氟苦咸水示范工程

甘肃庆阳的纳滤淡化高氟苦咸水示范工程规模5 m3/h,系统操作压力1.2 MPa.运行结果表明,纳滤工艺可有效去除苦咸水中的氟离子及其他有害离子,处理后淡化水F-≤0.11 mg/L,符合<生活饮用水卫生标准>(GB 5749-2006)要求.系统长期运行稳定,产水量基本保持恒定.     

高温气冷堆燃料元件基体石墨的SiC/SiO2抗氧化涂层研究

提高高温气冷堆用石墨的抗氧化性能对改进高温气冷堆的安全性具有重要意义.通过热力学分析确认了SiC/SiO2,复合涂层在高温气冷堆正常服役条件和事故条件下均能保证其长期热稳定性.结合气相反应扩散法、泥浆浸渗法和高温氧化法,在高温气冷堆燃料元件基体石墨表面制备出SiC/SiO2复合涂层;对涂覆SiC/SiO2复合涂层的高温气冷堆燃料元件基体石墨在各种氧化条件下的氧化行为进行了分析.结果表明在高温气冷堆用石墨可能遇到的多种氧化条件下,SiC/SiO2复合涂层均能够保持长期稳定并显著改善基体石墨的抗氧化性能.