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71.
差集偶广泛应用于密码学和编码理论,是构造理想序列偶的有效工具,本文利用分圆类方法构造出了3类具有较高能量效率的差集偶,其相应的序列偶主峰与副峰差值较大,并且利用构造的差集偶得到了新的最佳互补二元序列偶.  相似文献   
72.
张立超  刘忠琦 《有色矿冶》2003,19(4):58-60,64
美国为了弥补贸易逆差,发起对我国彩电业的倾销指控。针对美国指控我国彩电业的倾销行为,介绍了此案件的背景和我国彩电业出口美国的情况。分析了案件的实质。并就美国对我国彩电业采取的反倾销行为提出了应对的策略。  相似文献   
73.
介绍了邯钢采用铌铝微合金化和控制轧制工艺研制桥梁用结构钢A709—50T-2的情况,A709—50T-2钢的各项性能指标完全满足用户的使用要求。  相似文献   
74.
多FPGA设计的时钟同步   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在多FPGA设计中,时钟信号的传输延时造成了FPGA间的大时钟偏差,进而制约系统性能。为减少时钟偏差,该文提出一种多数字延迟锁相环(DLL)电路。该电路将时钟的传输电路放入DLL的反馈环路。利用DLL的延迟锁定特性,对FPGA间的时钟传输延时进行补偿,减少FPGA间的时钟偏差,解决多FPGA的时钟同步问题。  相似文献   
75.
采用多种群遗传算法的全景成像系统非球面设计   总被引:4,自引:1,他引:3  
提出了一种基于多种群遗传算法(MPGA)的折反射全景成像系统非球面元件的设计方法.结合广义科丁顿公式及几何光学原理,推导出非球面两镜系统像散表达式.在此基础上,利用MPGA,以像散作为非球面两镜系统像差评价参数,求解出满足消像散及指定透视投影关系的非球面面形方程.给出MPGA求解非球面面形的实现过程,并用遗传算法最小二乘混合优化算法得到了便于实现光线追迹和像差计算的非球面多项式.研制了一个焦距为-1.2 mm,F数为1.5 ,视场为360°×(35~90°)的折反射全景成像系统,给出了实验图像,获得了较好的成像质量.  相似文献   
76.
为了探究胡麻粕多酚的肿瘤细胞抑制活性,本研究以胡麻粕为原材料,采用超声提取法和福林-酚法提取并检测提取物中的多酚质量浓度;利用细胞克隆等实验评价胡麻粕多酚对结肠癌以及正常肠上皮细胞增殖的抑制效应;借助流式细胞术和蛋白免疫印迹技术检测胡麻粕多酚对肠癌细胞凋亡的调控;并检测胞内活性氧(reactive oxygen species,ROS)水平以分析胡麻粕多酚对结肠癌细胞内ROS产生的调节作用。结果显示:胡麻粕多酚具有明显的肿瘤细胞抑制活性,并能够促进促凋亡因子Bak和Bax蛋白的表达,抑制抗凋亡因子Bcl-2和Bcl-XL蛋白的表达,且促进细胞色素c的释放;此外,随着胡麻粕多酚质量浓度的增大,DLD1和HCT-116细胞内ROS水平升高。综上所述,胡麻粕多酚能够通过提高肠癌细胞内的ROS水平并促进其进入线粒体凋亡途径从而发挥抗肿瘤作用。  相似文献   
77.
K射线衍射仪样品装调误差分析与校正   总被引:1,自引:0,他引:1  
使用X射线衍射仪分析样品,测试角度误差的大小影响着分析结果的准确性,而样品装调误差会导致测试角度误差.本文系统分析了样品装调对测试角度误差的影响.结论是,转动误差和偏心误差对测量误差影响较大,一般需要校正;俯仰误差对测量结果影响较小,一般不用校正.实验表明,通过校正样品装调后的转动误差和偏心误差,可以将测量角度随机性误差控制在0.006°(2θ)以内,并将周期厚度为17nm左右的[Mo/Si]多层膜的测试周期厚度精确到0.1nm,为极紫外区高精度膜厚控制提供了保证.  相似文献   
78.
X射线衍射仪样品装调误差分析与校正   总被引:1,自引:0,他引:1  
使用X射线衍射仪分析样品,测试角度误差的大小影响着分析结果的准确性,而样品装调误差会导致测试角度误差.本文系统分析了样品装调对测试角度误差的影响.结论是,转动误差和偏心误差对测量误差影响较大,一般需要校正;俯仰误差对测量结果影响较小,一般不用校正.实验表明,通过校正样品装调后的转动误差和偏心误差,可以将测量角度随机性误差控制在0.006°(2θ)以内,并将周期厚度为17nm左右的[Mo/Si]多层膜的测试周期厚度精确到0.1nm,为极紫外区高精度膜厚控制提供了保证.  相似文献   
79.
柏伟  张立超  徐强强  赵超  刘铭 《红外》2021,42(4):9-14
近年来,为了满足新一代百万像元、高集成度、高性能红外焦平面探测器的发展需求,人们对高晶格质量、高表面状态InSb晶片的要求越来越高。为了提高用生长态晶体加工的InSb晶片的性能,对晶片高温热处理进行了研究。通过采用特殊设计的晶片承载装置并结合相应的晶片热处理配合方法,优化了晶体生长态遗传的固有缺陷以及由晶片加工过程引入的加工缺陷;改善了InSb晶片的化学计量比,释放了晶片内部的残余应力;提高了晶格质量,优化了晶片整片的平面度,最终提高了InSb晶片的整体质量,为制备高性能大规格红外焦平面探测器奠定了材料基础。  相似文献   
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