Research and Development of Electronic and Optoelectronic Materials in China

A review on the research and development of electronic and optoelectronic materials in China, including the main scientific activities in this field, is presented. The state-of-the-arts and prospects of the electronic and optoelectronic materials in China are briefly introduced, such as those of silicon crystals, compound semiconductors, synthetic crystals, especially nonlinear optical crystals and rare-earth permanent magnets materials, etc. , with a greater emphasis on Chinese scientist's contributions to the frontier area of nanomaterials and nanostructures in the past few years. A new concept of the trip chemistry proposed by Dr. Liu Zhongfan from Peking University has also been described. Finally the possible research grants and the national policy to support the scientific research have been discussed.     

N型GaN的持续光电导

本文报道了金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导（ＰｅｒｓｉｓｔｅｎｔＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ——ＰＰＣ）．在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为．实验结果表明,未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷,这些缺陷可以是ＶＧａ空位、ＮＧａ反位或者ＶＧａ－ＳｉＧａ络合物．和未人为掺杂样品Ａ相比,样品Ｂ中因Ｓｉ的并入导致ＧａＮ中的深能级缺陷增加,提高了ＧａＮ中黄光发射,使持续光电导衰变减慢,但实验未发现黄光的加强和光电导衰变特     

界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响

本文利用高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的直流输出分析模型,首次定量地分析了界面态对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ直流输出特性的影响．考虑界面态的作用,详细分析了不同界面态密度对ＨＥＭＴ的ＩＶ特性和器件跨导的影响．我们的研究结果表明随着界面态密度的增加,栅极电压对电流的控制能力减小,从而使器件的跨导减小．     

基于SPC3的PROFIBUS—DP智能从站的设计

本文介绍了PROFIBUS现场总线的标准和PROFIBUS—DP总线通信协议芯片SPC3的结构和功能,分析了SPC3的状态机,给出了使用SPC3实现PROFIBUS—DP智能从站的软硬件设计方法     

In(Ga)As量子点红外探测器

讨论了量子点红外探测器的工作原理、性能参数、暗电流形成机理及其优势,介绍了In(Ga)As量子点红外探测器的主要结构、性能和取得的最新结果,最后探讨了如何进一步提高量子点红外探测器的性能。指出要实现量子点红外探测器的优势,必须优化量子点生长条件,让量子点更小、更均匀和密度更大;必须提高量子点的掺杂控制和掺杂水平,实现每个量子点中有1～2个电子;必须降低量子点生长中引入的应力,增加量子点有源区的层数;此外,还必须寻求新的量子点红外探测器结构。     

量子点超辐射发光管研究进展(续)

3 SLD应用及其性能要求 SLD具有高亮度、宽光谱、弱时间相干性、低噪声、高光纤耦合效率等优点,被广泛应用于光纤陀螺仪(FOG)[40-42]、光学相干断层成像术(OCT)[43-44]、光纤通信[45-46]、光时域反射计[47]、波长可调谐激光器[48]等领域,展示了广阔的军用、民用应用前景和重要的实用价值.     

超短工作面悬移支架放顶煤开采技术

分析了超短工作面悬移支架放顶煤开采的可行性, 在生产实践中,研究解决了超短工作面放顶煤中矿压、顶煤回收及瓦斯、煤尘治理等问题。     

解理面预处理方法对二次外延的影响

利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在OaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理面上进行二次外延.实验结果显示超晶格解理面的预处理方法对二次外延有重大影响,其中择优腐蚀比自然氧化更有利于量子线的定位生长,过高温度的脱氧除气会导致解理面的GaAs部分出现坑状结构,表明(110)面上的Ga原子容易脱附.同时,Ga原子在(110)面上的迁移长度比较大,原子的择优扩散方向为[001]方向.     

InAs/GaAs量子点光致发光光谱多峰结构发光本质

研究了InAs/GaAs量子点光致发光光谱中出现的多峰结构.观察到随着激发功率的增加光谱中发光峰的数目逐渐增多并且部分发光峰的峰位随激发功率的增加向高能量方向移动.解释了各发光峰的来源并结合量子点能级结构的特点,计算了量子点中电子和空穴各子带间的能级间距.     

基于粒子系统与OpenGL实现喷泉效果

阐述了粒子系统方法的基本原理,基于粒子系统方法,运用物体动力学分析了现实中喷泉的运动,设计并实现了一个基于VC 和OpenGL的喷泉粒子系统.为增强喷泉的真实效果,运用了伪粒子粘度的方法.实验结果表明粒子系统是模拟喷泉等不规则物体的有效方法.