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用二次离子质谱对As+注入Si(1-x)Gex的快速退火行为进行了研究.Si(1-x)Gex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43.As+注入剂量为2×10(16)cm(-2),注入能量为100keV.快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒.实验结果表明,Si(1-x)Gex中As的扩散与Ge组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快.对于Ge组分较大的Si1-xGex样品,As浓度分布呈现“盒形”(box-shaped),表明扩散与As浓度有关.Si1-xGex样品中As的快 相似文献
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综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究。介绍了关于量子点成核和形态的热力学理论、量子点生长过程的计算机模拟及Ge/Si(001)和InAs/GaAs(001)量子点生长和形态的实验观察。鉴于InAs/GaAs(001)体系的复杂性,把对InAs量子点的观察和研究分为"微观"和"宏观"两种。微观研究对象包括量子点原子尺度上的结构、量子点表面小晶面的晶体学的精确取向等,这些性质可能受热运动的影响比较大,在一定程度上是随机的,它们代表了量子点生长行为的复杂性;宏观研究的对象是指量子点密度、纳米尺度形态等大量粒子统计意义上的集体行为,这些性质和行为可能更具有实际意义。因此作者认为,目前研究量子点生长和形态更为有效的方法应该是探寻以量子点宏观行为所表征的简单性。重点介绍中科院半导体所半导体材料重点实验室最近所做的对InAs/GaAs(001)量子点生长过程的实验观察。结果表明,在一般生长条件下(富As,500℃,0.1ML/s),InAs量子点成核和生长应该都是连续的,没有经历被普遍认为的不连续(一级)相变。按照作者的观察,把InAs量子点成核看作是连续(二级)相变更为贴切。 相似文献
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本文对不同条件下扩铜HB、SI-LEC体GaAs和VPE、LPE-GaAs样品与铜相关的光致发光谱(1.36 eVPL带,束缚激子Co(1.5026eV)和F_0(1.4832eV)等)的行为进行了全面、系统的研究,并对前人的结果做了评述。首次报道了扩铜条件及其扩铜后的淬火过程和热处理条件对PL谱线的影响,其主要结果如下:(1)在Ga-GaAs溶液中扩铜,仅能观察到 相似文献
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对分子束外延(MBE)自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜(AnD对量子点形貌观察的结果,分析了InAlAs量子点生长过程中尺寸、密度和均匀性的改变,并研究了三维岛的结构对拉曼谱线的影响。对InAlAs淀积厚度不同样品的拉曼谱分析表明,岛状结构的尺寸横纵比与类GaAsLO模和类AlAs LO模的半高全宽有密切关系。不同偏振下的拉曼实验证实了该结构中的光学声子在Z(X,X)Z偏振条件下为非拉曼活性。 相似文献
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