基于图神经网络的用户轨迹分类

针对现有轨迹用户链接(TUL)算法对轨迹信息提取不充分、计算成本过高等问题,该文提出了一种新的基于图神经网络(GNN)的TUL算法。首先,利用轨迹中的签到点构建签到图;其次,在签到图的基础上使用图神经网络学习签到图中的节点嵌入,保存签到点的位置信息和用户的访问偏好信息;最后,利用循环神经网络(RNN)构建轨迹序列的向量表示,并使用全连接网络对轨迹进行用户分类,实现轨迹与用户链接。实验结果表明,相比于传统的用户轨迹分类算法,该方法能更有效地挖掘用户轨迹的潜在移动规律,显著提高了两个数据集上的链接准确性和学习效率。     

利用MOVPE选区外延生长InGaAsP

研究了利用低压MOVPE宽条(15μm)选区外延生长InGaAsP的性质.研究了生长速率、厚度增强因子、带隙调制、组分调制随着生长条件如掩模宽度、生长压力、Ⅲ族源流量的变化规律,给出了合理的解释.同时研究了不同Ⅴ/Ⅲ比下选择性生长InGaAsP表面尖角的性质.     

多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法

提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB LD集成器件(EML)耦合效率的对接生长方法.采用LP MOCVD外延方法,制作了对接方法不同的三种样片,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面.制作出相应的三种EML管芯,从测量所得到的出光功率特性曲线,计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率.实验结果表明,这种对接生长方案,可以获得光滑的对接界面,显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率(从常规的17%提高到78% )及EML器件的外量子效率(从0 0 3mW /mA提高到0 15mW /mA) .     

多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法

提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB-LD集成器件(EML)耦合效率的对接生长方法.采用LP-MOCVD外延方法,制作了对接方法不同的三种样片,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面.制作出相应的三种EML管芯,从测量所得到的出光功率特性曲线,计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率.实验结果表明,这种对接生长方案,可以获得光滑的对接界面,显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率(从常规的17%提高到78%)及EML器件的外量子效率(从0.03mW/mA提高到0.15mW/mA).     

湖南电网A标准自动发电系统适应CPS标准的试验研究

湖南电网现有自动发电系统(AGC)是参照A标准建设的,鉴于华中电网采用了基于CPS标准的联络线控制标准,通过进行A标准AGC适应CPS标准的试验研究,得出了现有AGC不适应CPS标准的结论,指出了进行CPS改造的必要性和技术要点,并针对过渡时期可以采取的临时措施进行了讨论。     

选择外延技术研制1.5μm DFB激光器和自对准模斑转换器集成器件

利用选择外延技术研制了1.5μm DFB激光器和自对准模斑转换器单片集成器件.激光器的上限制层与垂直方向上楔型波导的模斑转换器同时选择性生长 ,这样的方法不仅可以分别优化有源区和模斑转换器的材料,同时可以降低选择性生长对接结构的难度.所研制集成器件的阈值为4.4mA,在49.5mA下的输出功率为10.1mW,边模抑制比为33.2dB,垂直方向和水平方向上的远场发散角分别为9°和15°,1dB偏调容差分别为3.6μm和3.4μm.     

完全混合活性污泥法的设计参数

一、BOD负荷 BOD负荷以F与M之比作为设计控制性参数的主要优点,是把作为污水处理的主体——微生物及其代谢对象——有机杂质之间建立了联系。在给定的条件下,一定质量的微生物可以处理多少有机杂质,这是设计、运行管理人员最感兴趣的问题之一。但是,由于下述一些原因,BOD负荷并不是描述活性污泥法过程特征的合适的参数。 1.研究表明,活性污泥的组成是极为复杂的,而现代科学技术还不能直接测定污泥中活性细胞重量(以M_α或X_α表示),而只能间接求得。这就使得以F/M作为参数来控制运行变得极为困难。虽然可用VSS来代替活性细胞的浓度(以M_v或X_v表示),但VSS     

强增益耦合DFB激光器单片集成自对准模式变换器

提出并成功制作出一种新型的强增益耦合DFB激光器与自对准模式变换器单片集成器件.采用三次外延实现上述器件.采用强增益耦合DFB激光器,获得了高单模成品率和大边模抑制比器件;采用自对准模式变换器,得到了近圆形的远场图样.     

半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器

研究了低压ＭＯＣＶＤ下生长压力和Ｆｅ源／Ｉｎ源摩尔流量比对半绝缘ＩｎＰ电阻率的影响．得到了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长掺Ｆｅ半绝缘ＩｎＰ的优化生长条件．在优化生长条件下得到的Ｆｅ－ＩｎＰ的电阻率为２．０×１０８Ω·ｃｍ,击穿电场４×１０４Ｖ／ｃｍ．用半绝缘Ｆｅ－ＩｎＰ掩埋１．５５μｍ多量子阱激光器,激光器的高频调制特性明显优于反向ｐｎ结掩埋的激光器,３ｄＢ调制带宽达４．８ＧＨｚ．     

负载贵金属催化剂在挥发性有机物氧化反应中的应用

挥发性有机物(VOCs)是大气污染的主要来源,危害人体健康。催化氧化法是消除挥发性有机物的有效手段,其核心是高效催化剂,新型、高活性、高稳定性催化剂的研发具有重要意义。简要综述近年来负载Au、Pd和Pt贵金属催化剂对VOCs氧化消除的催化性能,分析VOCs氧化在典型催化剂表面形成的活性物种及其对催化活性的影响,并展望VOCs催化氧化的未来发展趋势。