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961.
本文以云南鲁甸高硅低铝硅比型铝土矿为研究对象,通过正浮选阶段磨矿阶段选别、两段脱硅工艺流程获得了较好的铝土矿精矿,浮选指标良好。原矿含Al2O360.78%、Si O220.84%,铝硅比(A/S)为2.92,主要脉石矿物为白云母、石英等。通过在粗磨条件下进行一段浮选脱硅,粗精矿再磨再选后进行二段浮选脱硅,产出合格精矿。粗精矿再磨后进行五次精选,闭路试验获得精矿产率为64.74%、Al2O370.83%,Si O28.40%、A/S为8.43、Al2O3回收率为75.83%的良好指标。  相似文献   
962.
采用不同电流和脉冲宽度对硅质量分数为50%的高硅铝合金盒体和硅质量分数为27%的硅铝合金盖板进行了封焊实验,对封焊后焊缝表面形貌和壳体气密性能进行了研究与分析。在此基础上,获得了优化的激光参数,使高硅铝壳体激光封焊后气密性能满足并优于GJB 548B—2005的要求,对铝硅材料的工程应用具有一定的指导意义。  相似文献   
963.
信息动态     
太赫兹频段缺少有效的有源器件模型是制约硅基太赫兹集成电路快速发展主要阻碍.介绍了微环谐振器的工作原理及分析方法,研究了耦合系数和损耗系数与微环传输特性的关系,使用硅基材料设计了一种串联三微环结构的硅基太赫兹谐振器模型,通过改变微环的传输损耗系数、耦合系数,运用有限差分数值计算方法模拟得到微环谱线和延迟特性曲线,分析其对传输特性的影响,优化微环谐振器的参数设计,得到高性能的硅基太赫兹集成器件.  相似文献   
964.
综述了近年来各种硅微纳结构的特征和制备技术,介绍了其在新型太阳电池中的应用现状与前景.首先,阐述了硅微纳结构在传统p-n结、新型径向p-n结以及异质结太阳电池结构设计中的研究进展;其次,从光吸收增强、表面修饰及钝化的角度,分析了硅微纳结构太阳电池的增效措施;最后,提出了柔性硅微纳结构太阳电池开发的新思路.  相似文献   
965.
提出了一种应用于硅基有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)微显示驱动芯片的新型像素单元电路,具有三个MOSFET和一个存储电容。相比传统的电压驱动像素单元电路,增加的一个MOSFET,可以根据输入数据的变化,自动调节其等效电阻,降低像素单元的最小输出电流。本像素电路能够在较宽的OLED公共阴极电压范围内维持很大的电流比率。该电路采用SMIC 0.35μm 2P4M混合信号工艺进行设计,目前已成功应用于一款分辨率为800×600,像素节距为15μm×15μm的硅基OLED驱动芯片,经测试验证,输出电流范围为280pA~65nA,可以同时满足OLED阵列高亮度和高对比度的要求。  相似文献   
966.
介绍了横向PIN二极管及其在硅基等离子天线方面的应用,用一维理论分析了载流子大注入情况下横向PIN二极管本征区载流子浓度分布.对横向PIN二极管进行了物理建模,仿真分析了本征区长度、二氧化硅埋层、电极长度、结区掺杂浓度及表面电荷对横向PIN二极管本征区载流子浓度的影响,总结了横向PIN二极管的一般设计规则.  相似文献   
967.
设计了一种新的3D硅像素探测器的器件结构以简化制造工艺.该结构仅包含一种掺杂类型的柱状电极.通过工业级TCAD仿真对这种结构的电学特性进行了深入研究,阐述了它的技术优势及潜在缺陷.同时研究了制造这种3D硅像素探测器的特殊工艺流程和相关关键工艺,并给出了主要工艺结果.  相似文献   
968.
与平面硅相比,黑硅对0.25~2.5μm波长光具有高吸收特性.为了提高硅光敏二极管的近红外灵敏度和响应时间,采用金属辅助刻蚀在光敏二极管探测器背面制作了黑硅微结构.在1 064 nm波长,探测器红外响应达到0.518 A/W,比常规探测器量子效率提高了65%.  相似文献   
969.
为了实现微米尺度扑翼微飞行器的加工,运用了加工材料范围广的紫外激光切割技术,以及碳纤维预浸料的真空袋高温高压固化工艺,通过合理安排工艺流程,实现了一种适于微米尺度复杂机械结构、可采用材料广泛且可以小批量快速加工的加工技术.并将其应用于扑翼微飞行器的加工,得到了一个翼展3 cm,最小尺寸为80 μm的飞行器样机.  相似文献   
970.
《现代电子技术》2015,(18):106-109
采用理论分析与电磁仿真结合的方法,对硅上多层金属构成的螺旋电感进行电性能研究,优化并获得一种适用于射频电路集成的硅基射频高Q电感。对于影响电感Q值的多种损耗机制,重点研究了趋肤效应对电感的影响。并通过结构参数及金属层叠优化后,硅上电感的Q值可以达到60以上,自谐振频率可以达到10 GHz以上,可以较好地应用于射频系统中的滤波选频及匹配等网络。  相似文献   
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