超低比导通电阻SOI双栅槽型MOSFET

本文提出了超低比导通电阻(Ron,sp) SOI双栅槽型MOSFET(DG Trench MOSFET)。此MOSFET的特点是拥有双栅和一个氧化物槽：氧化物槽位于漂移区,一个槽栅嵌入氧化物槽,另一个槽栅延伸到埋氧层。首先,双栅依靠形成双导电沟道来减小Ron,sp;其次,氧化物槽不仅折叠漂移区,而且调制电场,从而减小元胞尺寸,增大击穿电压。当DG Trench MOSFET的半个元胞尺寸为3μm时,它的击穿电压为93V,Ron,sp为51.8mΩ?mm2。与SOI单栅MOSFET(SG MOSFET)和SOI单栅槽型MOSFET(SG Trench MOSFET)相比,在相同的BV下,DG Trench MOSFET的Ron,sp分别地降低了63.3%和33.8%。     

一种具有衬底n型电荷区的高压LIGBT

本文基于4μm漂移区厚度提出一种具有衬底浮空n型电荷区的新型LIGBT（NR-LIGBT）。由于n型电荷区的电场调制作用,器件的纵向击穿特性得到加强,击穿电压得到明显的提高。由于高的单位微米平均电场,因此新器件具有面积成本低、电流能力强和关断时间短的特点。模拟结果表明：在相同的100μm漂移区长度下,新结构的击穿电压比常规结构（C-LIGBT）提高了58％。并且,在相同的阻断能力下,新结构的关断时间短于常规器件。     

一种应用于RFID标签的新型功率放大器设计

A novel matching method between the power amplifier (PA) and antenna of an active or semi-active RFID tag is presented. A PCB dipole antenna is used as the resonance inductor of a differential power amplifier. The total PA chip area is reduced greatly to only 240 × 70 μm² in a 0.18 μm CMOS process due to saving two on-chip integrated inductors. Operating in class AB with a 1.8 V supply voltage and 2.45 GHz input signal, the PA shows a measured output power of 8 dBm at the 1 dB compression point.     

基于N型工艺的基准电压源设计

针对传统互补型带隙基准电压源在只有N型有源器件工艺中的局限性,采用运放反馈的闭环控制方法来产生基准电压,设计了一种可以集成于只有N型有源器件和无源元件工艺中的基准电压源产生电路。为只存在N型MOS或者NPN型晶体管、没有P型器件、难以用传统的带隙电压源结构来产生精确参考电压的特定工艺,提供了一种具有良好的电源抑制比特性和有效地补偿N型器件结压降变化的负温度系数的基准电压源电路;并提出了提高反馈回路稳定性的措施。     

无光耦合器的100V隔离型单片反激式稳压器在-55～150°C的结温范围内工作

凌力尔特公司推出新的高可靠性(MP级)版本LT3512,该器件是一款高压隔离型单片反激式稳压器,可在-55~150°C的结节温范围内工作。这款器件简化了隔离型DC/DC转换器的设计。LT3512无需光耦合器、第3个绕组或信号变压器以实现     

用于DDR电源及终端的高效率、双通道、±3A同步降压型稳压器符合DDR/DDR2/DDR3标准

凌力尔特公司推出一款高效率、双通道、单片式、同步降压型开关稳压器LTC3618,该器件能够为DDR/DDR2/DDR3及未来需要供应和吸收电流的标准存储器应用产生电源电压和总线终端电压。第一个降压型稳压器的输出提供了一个高准确度的VDDQ电源,该电源能输送±3 A输出。一个内部电阻分压器负责将VTT DDR终端电源和VTTR基准电压设定为等于施加至VDDQIN输入端之电压的一半,并在VTT和VTTR上分别提供了±3 A(供应/吸收)和±10 mA的输出电流能力。VTT输出可在低至0.5 V的电压条件下运作,以支持所有DDR标准。     

36V输入双通道800mA微功率降压型稳压器

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出双通道800 mA、36 V输入降压型开关稳压器LT3688,该器件具双通道上电复位定时器和一个看门狗定时器。     

NBX系列增加的新产品

ON Semiconductor进一步扩充其硅晶体振荡器(XO)时钟模块产品阵容。NBX系列新增的6款器件具有双电压能力和同类领先的总频率稳定度(低至±20 ppm),提供高性价比、高精度的参考时钟方案。这些新器件符合路由器、交换机、服务器及基站等应用中最新2.5 V/3.3 V低压正射极耦合逻辑(LVPECL)设计的时钟产生要求。     

基于可重构SoC电路的验证和应用

文章介绍了一款新型可重构SoC电路,较详细地描述了它的内部结构和特点,并制定应用方案,分别重构SPI和DDS模块,对该电路进行验证.应用方案中,利用SPI与VS1003连接,通过该SPI接口控制并发送歌曲数据给VS1003,VS1003对数据进行解码处理,最后驱动功放播放歌曲.利用DDS模块产生信号数据,经过D/A转换...     

一种高性能双极工艺带隙基准电压源的设计

模拟电路一般包含电压基准和电流基准,这种基准是直流量,它与电源和工艺参数的关系很小,但与温度的关系是密切的.产生基准的目的是建立一个与电源和工艺无关、具有确定温度特性的直流电压或电流.文章提出了一种基于2 μm双极工艺设计的高性能的带隙基准参考源.该电路结构简单、性能好.用模拟软件进行仿真,其温度系数为30×10-6/...