IEGT实现的双PWM三电平变频器特性分析

针对变频器对电网造成的谐波污染及无功,在介绍功率器件IEGT及由此组成双PWM三电平变频器特点的基础上,给出了整流器五脉冲PWM调制方式与三角波PWM调制方式的谐波对比。结果表明,IEGT双PWM三电平变频器具有输入输出波形好、功率因数高、效率高等特点。     

弧焊逆变器的电子开关器件应用现状及趋势

弧焊逆变器是当前焊接电源设备发展的主流方向,而电子开关器件则是其核心之一。介绍了弧焊逆变器的基本工作原理,通过对晶闸管、晶体管、MOSFETI、GBT等传统的电子开关器件在弧焊逆变器中的应用现状分析,指出电子开关器件向大功率、模块化、高频化、全控化和多功能化的发展趋势。晶闸管、晶体管式逆变弧焊器将完全被IGBT式所代替,高频、中小容量的MOSFET式逆变器仍有一定市场,集成门极换向型晶闸管(IGCT)、电子注入增强门极晶体管(IEGT)等新型的电子开关器件将在弧焊逆变器中得到广泛应用。     

炉卷轧机主传动新型大功率IEGT逆变器

介绍了安钢炉卷轧机主传动驱动系统,主传动电机为同步电机.驱动系统选用新型大功率IEGT元件组成三电平整流器和逆变器,采用固定5脉冲分配PWM方式控制技术有效地消除了高次谐波;系统分别设置了有功电流控制器和无功电流控制器,从而实现了控制电机电流而保持逆变器输出电压的幅值不变;同GTO或]GBT变频器相比,IEGT变流装置具有外形尺寸小、集成度高、效率高,控制性能优良等优势.     

IEGT中压变频器在大功率同步电机变频调速中的应用

经过近40年的发展，现在高性能可调速传动已基本实现DC传动向AC传动的转变．本文介绍IEGT大功率变频调速装置在韶钢热轧宽板厂8000kW轧机主电机的应用．     

新型大功率开关器件IEGT及其特性

介绍了一种新型大功率开关器件IEGT的结构,原理,通态特性,开关特性,开关效率以及有关工艺特点。     

IGCT和IEGT——适用于STATCOM的新型大功率开关器件

硬驱动概念的出现极大地改进了门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）的关断性能,并导致了集成门极换向型晶闸管（ＩＧＣＴ）的出现。ＩＧＣＴ在ＧＴＯ技术的基础上,采用新技术集成了硬驱动门极驱动电路及反并联二析管。使器件不需关断吸收电路、可靠性更高、工作频率更高、易于串联工作．电子注入增强门极晶体管（ＩＥＧＴ）是东芝公司于１９９３年开发出的一代电力电子器件。它具有通态压降低、门极驱动简单、开关损耗小、串联运行容易等诸多优点。ＩＧＣＴ和ＩＥＧＴ的将逐步取代ＧＴＯ广泛应用于中等电压大容量变流器中,文中简要地介绍了ＩＧＣＴ和ＩＥＧＴ的基本结构、工作原理、性能比较,以及在静止补偿器和逆变器中的应用情况。     

NPP拓扑结构在MV7000三电平中压变频器上的应用

本文介绍了NPP拓扑结构在MV7000三电平中压变频器上的应用,重点介绍了NPP拓扑结构的工作原理,及与NPC拓扑结构相比所具有的优点,并简单介绍了采用NPP拓扑结构的MV7000三电平中压变频器。     

基于MMC柔性直流输电背靠背样机的研制

MMC型背靠背直流输电系统在世界范围内受到广泛的重视.基于南澳±160kV,200MW柔性直流输电示范工程项目,研制了MMC型背靠背大功率柔性直流输电样机.在介绍采用IEGT的MMC阀的拓扑结构的基础上,说明了该试验样机的系统构成,主要系统参数,设备中的变压器,阀电抗器和充电电阻的主要作用.对控制和保护系统的配置情况进行了介绍.对该试验样机进行了仿真分析,研究了在直流侧单极接地故障,直流侧双极短路故障和变压器二次侧故障情况下系统的暂态电压,电流波形,验证了柔性直流输电系统的理论分析和数字仿真的正确性,为相关工程应用奠定了理论基础.     

高压大容量静止同步补偿器功率开关器件选用分析

在电力电子装置中,大功率开关器件很大程度上决定设备的技术经济指标.以南方电网35 kV/±200 Mvar链式静止同步补偿器(STATCOM)工程应用为背景,介绍了电子注入增强门极晶体管(IEGT)的基本结构、工作原理和性能特性分析,并与绝缘栅双极性晶体管(IGBT)与集成门极换向晶闸管(IGCT)的参数进行对比,阐述了基于IEGT的功率相模块结构及工作原理,并对其进行了试验验证.试验结果表明IEGT具有优越性,可作为高压大容量STATCOM功率开关器件的首选.所得结论经南方电网STATCOM实际工程应用验证,可供高压大容量STATCOM设计借鉴.     

A novel optimization design for 3.3 kV injection-enhanced gate transistor

This paper introduces a homemade injection-enhanced gate transistor (IEGT) with blocking voltage up to 3.7 kV. An advanced cell structure with dummy trench and a large cell pitch is adopted in the IEGT. The carrier concentration at the N-emitter side is increased by the larger cell pitch of the IEGT and it enhances the P-i-N effect within the device. The result shows that the IEGT has a remarkablely low on-state forward voltage drop (V_CE(sat)) compared to traditional trench IGBT structures. However, too large cell pitch decreases the channel density of the trench IEGT and increases the voltage drop across the channel, finally it will increase the V_CE(sat) of the IEGT. Therefore, the cell pitch selection is the key parameter consideration in the design of the IEGT. In this paper, a cell pitch selection method and the optimal value of 3.3 kV IEGT are presented by simulations and experimental results.