数码雷管在地球物理勘探市场的应用分析

数码雷管具有非常高的安全性和精确的启爆控制时序等优点,是目前世界上技术最先进的智能雷管。虽然在国内已经广泛应用于矿山开采和定向爆破等特殊工程作业领域,但在地球物理勘探市场的应用还处于探索阶段。本文主要介绍了数码雷管的行业概况、结构原理、安全性能、使用的方便性、启爆延迟时间、延迟稳定性以及与地震仪器的适应性能等。     

射频磁控溅射法低温制备ZnO：Zr透明导电薄膜及特性研究

利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜.讨论了薄膜厚度对ZnO:Zr薄膜结构、形貌、光电性能的影响.实验结果表明,厚度对ZnO:Zr薄膜的形貌和电学性能有很大影响.SEM和XRD研究结果表明,ZnO:Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的C轴择优取向.当厚度为300nm时,薄膜的电阻率具有最小值1.77×10-3Ω·cm.所制备薄膜具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率超过92%.     

一九九九·太湖“零点达标行动”效果分析

公布对太湖流域 1999年污染源监测结果。从一九九九·太湖“零点达标行动”后的监测状况表明 ,太湖流域水质没有明显好转 ,污染指数却有所增加。指出改善和保护太湖流域水环境的任务重大而紧迫。     

太湖流域省际边界地区水资源保护问题与对策

当前太湖流域省际边界地区水资源保护工作面临的主要问题:①省界缓冲区难以发挥缓冲作用;②省际边界地区存在水污染矛盾隐患;③省际边界地区水资源保护措施不够;④省际边界地区水生态环境恶化;⑤省界监测还不能满足功能区管理的需要。提出进一步推进省界水体水资源保护的主要措施:①加强省界缓冲区监督管理;②建立完善省际边界地区水资源保护协商机制和突发污染事故预警机制;③大力推进省际边界地区水资源保护规划工作;④完善省界水体监测体系;⑤优化水资源调度等方法。     

太湖流域重金属污染亟待重视

根据 1998 ,1999年两年对太湖全流域的水质监测结果 ,认为太湖流域的重金属污染较为严重 ,分析流域内水质重金属污染的原因主要是 :废电池随便丢弃 ;工业污染源排放 ;医院废水以及城市化带来的诸多问题。对重金属的危害性作了详尽的剖析 ,最后提出防治对策。     

用U盘安装428XL Linux系统

Linux系统因其开源和稳定等特点而被越来越多地应用在地震勘探领域,其支持的系统安装方法也越来越多.U盘已经成为流行的文件存储和交换的媒介,现在几乎所有的PC和服务器都支持用U盘启动.本文介绍了一种用U盘进行安装428XL服务器Linux系统的方法,并指出了其与光盘安装的不同之处.     

溅射压强对柔性PET衬底ZnO薄膜性能的影响

利用直流磁控溅射法,在室温水冷柔性PET衬底上成功制备出了掺钛氧化锌(ZnO:Ti,TZO)透明导电薄膜。通过X射线衍射(XRD)研究了薄膜的结构,用扫描电镜(SEM)研究了薄膜的表面形貌,用四探针和紫外-可见分光光度计等仪器对薄膜的特性进行测试分析,研究了溅射压强对ZnO:Ti薄膜表面结构、形貌、力学、电学和光学性能的影响。结果表明,溅射压强对PET衬底上的TZO薄膜的性能有显著的影响,实验制备的ZnO:Ti薄膜为具有C轴择优取向的六角纤锌矿结构的多晶薄膜;当溅射压强从2Pa增加到4Pa时,薄膜的电阻率由10.87×10-4Ω.cm快速减小到4.72×10-4Ω.cm,随着溅射压强由4Pa继续增大到6Pa,薄膜的电阻率变化平缓,溅射压强为5Pa时薄膜的电阻率最小,为4.21×10-4Ω.cm;经计算得到6Pa时样品薄膜应力最小,为0.785 839GPa;所有样品都具有高于91%的可见光区平均透过率。     

缓冲层厚度对透明导电薄膜ZnO∶Zr性能的影响(英文)

利用直流磁控溅射法在有ZnO∶Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO∶Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35～208nm。利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究ZnO∶Zr薄膜的结构、形貌、电光性能。结果表明,薄膜的颗粒尺寸和电阻率对缓冲层厚度具有较强的依赖性。当缓冲层厚度从35nm增加到103nm时,薄膜的颗粒尺寸增大,电阻率减小。而当缓冲层厚度从103nm增加到208nm时,薄膜的颗粒尺寸减小,电阻率增大。当缓冲厚度为103nm时,薄膜的电阻率最小为2.96×10^-3Ω.cm,远小于没有缓冲层时的12.9×10^-3Ω.cm。实验结果表明,在沉积薄膜之前先沉积一层适当的缓冲层是提高ZnO∶Zr薄膜质量的一种有效方法。     

Influence of the sputtering pressure on the properties of transparent conducting zirconium-doped zinc oxide films prepared by RF magnetron sputtering

Transparent conducting zirconium-doped zinc oxide films with high transparency and relatively low re-sistivity have been successfully prepared on water-cooled glass substrate by radio frequency magnetron sputtering at room temperature. The Ar sputtering pressure was varied from 0.5 to 3 Pa. The crystallinity increases and the electri-cal resistivity decreases when the sputtering pressure increases from 0.5 to 2.5 Pa. The cystallinity decreases and the electrical resistivity increases when the sputtering pressure increases from 2.5 to 3 Pa. When the sputtering pressure The deposited films are polycrystalline with a hexagonal structure and a preferred orientation perpendicular to the substrate.     

p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的研究

以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试.系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相对介电常数、电学性能及界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiN薄膜中的Si/N比影响薄膜的性能,在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值.