分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-Al_xGa_(1-X)As异质结中的二维电子气

<正> 本所分子束外延组制备了选择性掺杂的 GaAs/N-AlGaAs异质结,它的结构如下:在掺Cr半绝缘(100)GaAs的衬底上,先外延生长1微米厚的未掺杂的 GaAs层,再生长厚度 60A|°左右的未掺杂的Al_xGa_(1-x)As隔离层,其上是厚度为 1000A|°的掺Si的 N-     

GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的荧光特性

本文报道了4—300K温度范围内量子阱宽度分别为20、40、90和130A的GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的光荧光特性。我们考虑量子尺寸对载流子子能带的影响和弹性应变引起带隙的移动,计算了量子阱中本征激子发光的能量位置,计算值与实验结果基本吻合。还研究了荧光峰强度随阱宽的变化以及不同温度下荧光峰的半高宽度。     

吊挂式高楼清洗机

安全可靠的高楼清洗设备设计已成为当前重要课题。由于高空作业要求安全、稳定、贴墙、行走、平衡等,文章突破吊栏等传统结构,采用双钢丝吊挂式设计,从材料选用到自带电、液结构等方面,对高楼清洗机进行了优化设计,保证高楼清洗机的安全、轻便与简洁。     

动态仿真技术在山地自行车设计中的应用

分析了采用双弹簧减振元件的某型山地自行车在骑行过程中后悬架机构出现异常的现象,并找出了原因.同时采用正交试验方法,应用动态分析与仿真软件ADAMS(Automatic Dynamic Analysis of Mechnical System)再现了机构运动状态,并给出了在一定负载条件下双弹簧连接件的结构尺寸与弹簧刚度间的匹配关系,以及不同匹配条件下山地车所能承受的最大载荷.同时,结合国标ISO2631-1中人体对振动反应的评价标准,得到了该车型在给定不同设计条件下的骑行舒适性相对指标,为该车型设计参数及零部件的合理选择提供了理论依据.     

船用高强钢薄板焊接成形研究

探究了不同焊接工艺对3 mm船用高强钢薄板焊接成形质量的影响.结果表明:3 mm对接试板经不同方法焊接后均呈马鞍形变化.焊条电弧焊和手工气保焊焊接的试板变形严重,且两者变形量和残余应力基本相当,药芯焊丝CMT(cold metal transfer)自动焊接试板的焊缝内部存在夹渣缺陷.利用实心焊丝CMT自动焊接试板的焊缝均匀、内部无缺陷,焊缝中心残余应力明显降低,其变形量平均值比焊条电弧焊减小37.8%,且线能量仅为焊条电弧焊的22.4%.焊接试板变形量与其线能量大小的变化趋势一致.     

用石膏模型浇注铝合金模

<正> 利用石膏模型直接浇注复杂型腔的液态成型工艺,我们先后制造出塑料制品的铝合金吸塑模、吹塑模和注射模。现以瓶子容器的吹塑模为例,将该方法作一概括介绍。     

GaAs/AlGaAs量子阱的输运特性

本文研究了低迁移率GaAs/AlGaAs量子阱的散射机制。由电导测量和Shubnikov de-Haas振荡曲线分别得到输运散射时间τ_0和弛豫时间τ_q(量子散射时间)。在GaAs/AlGaAs量子阱中,τ_0≈τ_q;而在调制掺杂的异质结中,τ_0》τ_q。用量子阱、异质结中起支配作用的散射机构不同很好地解释了实验结果。本文还研究了弱磁场下量子阱的负磁阻效应,这是磁场抑制了电子局域态的结果。     

单道多层电弧增材制造成形控制理论分析

文中采用冷金属过渡（CMT）技术,围绕船用高强钢的电弧增材制造（WAAM）开展研究. 分析不同比例的保护气体对单道单层形貌尺寸的影响. 结果表明,单道单层的润湿铺展能力随着保护气中CO₂含量的增加而提高,并建立了能够准确预测80%Ar + 20%CO₂混合气体保护下单道单层截面轮廓的全周期余弦函数模型. 依据单道多层电弧增材的成形特点,利用面积关系并根据几何形貌建立了单道多层抬升量h的预测模型,抬升量h预测值的相对误差不超过3.50%. 通过建立抬升量预测模型,为单道多层的电弧增材成形控制提供了理论支撑.     

激光立体成形K465高温合金的组织研究

采用激光立体成形技术制备了K465镍基高温合金试样,研究了晶粒、γ′强化相及碳化物等组织的特征及演化规律。结果表明:试样中心区域内晶粒粗大,顶部边缘区域晶粒细小;试样内枝晶呈现明显的沿沉积方向外延生长特点,在接近试样底部的部分,熔覆层顶部由于重熔不完全而出现转向枝晶区;熔覆层交界处的γ′相尺寸略大于层内的γ′相,枝晶间的γ′相尺寸略大于枝晶干上的γ′相;MC碳化物呈现多种形貌,底部存在分叉发达的花瓣状MC碳化物,中部有较多短棒状MC碳化物,顶部存在棒状和八面体状的MC碳化物。     

GaAs／AlGaAs单量子阱中界面粗糙度散射

对三种不同生长条件、不同质量的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱进行了输运性质和光致发光谱的研究．在低迁移率的样品中，界面粗糙度对二维电子气的散射起主导作用．我们的研究也表明了：采用（ＧａＡｓ）４／（ＡｌＡｓ）２超晶格代替常规的ＡｌＧａＡｓ层，或在异质结界面生长过程中的停顿，都能有效地减少界面粗糙度．