一种96×64彩色OLED显示驱动电路的设计

OLED是一种新型平板显示器件,文章设计了一种应用于96×64彩色PM-OLED的显示驱动芯片。该芯片能实现256级对比度调节和65k色彩显示。芯片为高压、大电流的数模混合电路,内部包括数字控制电路,片内SRAM,片内振荡器,DC-DC升压电路,行驱动电路,高压基准电流源电路,以及电流精确可调的列驱动电路。该芯片是一种电流驱动型电路,列驱动电路采用PAM方式实现灰度调制,以及大电流预充的方式对PM-OLED屏幕像素进行预充。全芯片已通过Nanosim仿真,并进行了部分测试。仿真和测试结果验证了设计的正确性。     

含分布式电源的配电网动态无功优化调度方法

提出一种含分布式电源(DG)的配电网动态无功优化调度方法,以解决其中的时空耦合性问题。该方法首先对电网进行静态优化计算,根据电容器投切容量增量大小制订预动作时刻表;然后对电网进行动态分区,根据分区结果以及预动作时刻表,对负荷数据进行相应处理;以系统能量损耗最小为目标,并以投入的电容器补偿量为控制变量进行动态无功优化计算,得到电容器调度方案;最后,对电网中DG的无功出力进行优化,得到含DG的配电网无功调度方案。利用IEEE 33节点系统进行仿真,并与现有方法进行对比,验证了所述方法的合理性和有效性,且降损效果比现有方法更优。     

阀门试验用螺纹密封件模具设计

根据螺纹密封件的结构特点及功能要求,设计了一副低温真空绝热截止阀试验所使用的侧向抽芯结构塑料模具。模具采用了一模二腔的平衡式型腔分布、矩形侧浇口进料的浇注系统、斜导柱侧向抽芯,合理设计了由整体嵌入式凹模、整体式凸模、侧螺纹型环滑块组成的成型零部件、导向机构、推出机构、冷却系统等模具结构,阐述了模具的动作过程。该设计简化了模具结构,提高了生产效率。     

高铬铸铁的冲蚀磨损性能研究

利用自制射流式气固冲蚀磨损实验机研究了耐磨材料高铬铸铁的冲蚀磨损性能。对该材料的组织和冲蚀磨损后的形貌采用扫描电镜(SEM)进行表征。分析了冲蚀角、冲蚀时间和冲蚀石英砂粒径对其冲蚀磨损性能的影响,研究了该高铬铸铁的冲蚀磨损机理。结果表明:60°冲击角作用下,冲蚀磨损最严重。随着冲蚀磨损时间的延长,冲蚀粒径的增大,高铬铸铁的磨损均加剧。     

微孔加工技术展望

该文主要阐述微孔加工的分类及应用,介绍传统加工方法存在问题,引出超声波加工、电子束加工、激光加工、电火花加工、电化学腐蚀方法的技术原理,分析各种方法的特点及优劣,提出应用前景。     

多通道神经刺激器设计

提出了一种通过测试验证可稳定工作的多通道神经刺激器系统.该系统除实现根据不同控制信号产生不同的刺激电流脉冲,驱动不同组合电极的功能外,还综合考虑了芯片面积、功耗等方面的优化;介绍了该系统的电路结构和工作原理,给出了测试方案和测试结果,重点介绍了无线传输系统中的数据及能量恢复电路.     

1V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源

阐述了电源电压为1V的非线性补偿CMOS电压带隙基准源,该基准源具有很高的温度稳定性.基准源电路中运用了rail-to-rail运算放大器(OPA).根据测试结果,室温下的输出电压为351.9mV,当温度在15～100℃变化时,输出电压在351.5～352.0mV之间变化,温度系数约为16.7ppm/℃.电路的功耗为0.16mW,芯片面积是0.18mm2.     

人工耳蜗专用植入刺激芯片设计

设计了一个人工耳蜗专用植入刺激芯片.芯片为17个刺激电极提供精确的电流脉冲刺激,同时具有一定的数据检错能力,可以满足各种不同的语音编码算法的需要.芯片为一数模混合电路,采用0.35 μm嵌入式EEPROM工艺设计制造,使用双工作电压,高压电源12 V,常压电源3.3 V,芯片总面积9 mm2,最大功耗小于10 mW.详细介绍了该芯片的结构和基准源、数字控制模块、压控电流源等关键模块的具体实现方式,部分模块以及芯片整体的最终测试结果.     

一种应用于能量攫取系统的低功耗的工作于亚阈值区域的基准电压源的设计

We propose a bandgap reference, which works in sub-threshold regions to the reduce power consumption in applications such as those in energy harvesting systems that stimulate the development of power management for low power consumption applications.Measurements shows that the supply current of the proposed bandgap reference is only 6.87 μA, including a voltage buffer consuming 3.6 μA of supply current, when the supply voltage is 5 V.The supply voltage can vary from 3 to 11 V and the line regulation of the proposed bandgap reference output voltage is 0.875 mV/V at room temperature.The temperature coefficiency is 88.9 ppm from 10 to 100° C when the supply voltage is 5 V.