3B1束线上LIGA掩模的设计研究

BSRF中的3B1光束线与LIGA实验站过去使用的3W1光束线相比,其同步辐射X光光谱较软、光强较弱,但可实现专用光和兼用光两用.现在LIGA实验站移到3B1光束线,为此必须进行新的LIGA掩模设计、制作.结合此研究目的,本文通过使用XOP和Origin两个软件进行设计、计算,分别得到了专用和兼用时3B1光束线在传输过程中的各级能谱图和传输、吸收数据,并针对这两种不同的用光情况分别设计、研究了两种不同组合的掩模:Au-PI组合和Au-Si组合.     

利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法

提出了一种解决大高宽比SU8结构的新方法.该方法是将SU8胶涂在一块掩模上,紫外光从掩模的背面照射,这样SU8胶的曝光将从底部开始,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量,从而很容易控制曝光剂量和SU8胶结构的内应力.实验结果表明,该方法能够得到高宽比为32的SU8结构,而文献报道的SU8胶结构的高宽比最大仅为18.     

基于LIGA技术的微细电火花加工优化研究

比较了活动掩膜法与固定掩膜法得到的PMMA胶结构,实验表明固定掩膜法更适合于多次曝光.结合LIGA技术和微细电火花加工的优点,用LIGA技术制备出具有复杂形状的铜微细工具电极,再用该工具电极进行微细电火花加工,在不锈钢上加工出异形微细孔.并通过进一步调整电火花加工工艺参数,优化了加工尺寸精度和表面粗糙度.     

折叠波导行波管铪栅极退火温度及其性能

在充分考虑电子枪栅极的工作环境后,对铪(Hf)栅极进行了800、900和1000℃的真空退火处理,对其组织、织构特点进行了分析,并利用离子束辅助沉积技术在Ba-W阴极表面分别沉积金属钼膜和铪膜,以模拟栅控行波管中钼栅极和铪栅极表面吸附阴极蒸发物质时的表面状态,测试了这两种栅极表面“热电子发射”能力和“二次电子发射”系数.结果表明,随着退火温度的升高,铪(Hf)栅极的结晶度、晶粒尺寸增加,织构减少,铪的最佳退火温度为900℃,铪栅极表面吸附的阴极发射物质要远少于钼栅极,用金属铪作栅极材料能有效抑制栅电子发射.     

LIGA技术制备正电子慢化体的实验研究

LIGA技术是具有加工精度高、深宽比大、表面平整、应用领域广等优点，是一种先进的微细加工方法，实验中将LIGA技术的优点用于正电子慢化体的制作中，能获得传统加工方法无法制作出的薄壁网状多孔镍结构，满足新型正电子慢化体的制备要求。本文报道了用LIGA技术制作正电子慢化体的实验研究。     

利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究

SU 8光刻胶优异的性能在MEMS技术的发展重得到了广泛的应用 ,已经成为MEMS研究中必不可少的方法之一。SU 8光刻胶能够进行厚度达毫米的结构研究工作 ,另一方面SU 8结构具有很好的侧面垂直结构 ,通过控制工艺参数 ,能够获得满意的SU 8胶结构。SU 8光刻胶已应用于LIGA技术的标准化掩模制造工艺和一些器件的研究工作。在SU8胶研究过程中 ,克服了许多技术难题 ,使得这一技术能够应用到实际的需要中。     

微流路生物芯片的研制

运用光刻、刻蚀技术在载玻片上刻蚀出条宽 70 μm、深 30 μm、长 7cm的沟槽 ,与另一载玻片键合 ,形成一微流路沟道 ,研制出了用于生物电泳技术的微流路生物芯片。在该芯片的研制中 ,克服了湿法腐蚀、断线、键合等技术难题。该芯片已经交付合作单位使用 ,能够满足应用中的基本性能要求     

X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用

阐述了X射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室X射线光刻装置上，采用本文研制的X射线镂空硅掩模获得胶厚为30～40μm、侧壁很陡、边缘很直的X射线深层光刻胶图形。     

LIGA技术的掩模制造

ＬＩＧＡ技术是近几年才发展起来的一门新的技术，包括光刻、电铸和塑铸。由于要进行深度Ｘ光曝光，所用的同步辐射Ｘ光较硬，这一曝光条件相应就需要Ｘ光掩模吸收全有较大厚度和较高的加工精度，这样才能够阻档住Ｘ光，同时保证较高的光刻精度。