桂林大圩古镇走特色小镇之路的可行性分析

桂林大圩古镇是一个具有千年历史的文化古镇,已被列入第一批广西特色小镇开发名单中。其独特的历史文化背景和环境依托政策和经济的支持,小镇正被全方位地综合开发。为此,以该镇为调查研究对象,就旅游业开发、经济增长等方面论证其走特色小镇发展的可行性。     

多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT

研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料.研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT器件,其性能为:β=60@VCE/IC=9V/300μA,β=100@5V/50mA,BVCBO=22V,ft/fmax=5.4GHz/7.7GHz@10指,3V/10mA.多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻,与CMOS工艺兼容且(因多晶发射极)无需发射极外延层的生长,这些优点使其适合于商业化生产.利用60指和120指的SiGe HBT制作了微波锗硅功率放大器.60指功放在900MHz和3.5V/0.2A偏置时在1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE＝22dBm/11dB/26.1%.120指功放900MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE＝33.3dBm (2.1W)/10.3dB/33.9%@11V/0.52A.     

CG441型硅微波线性晶体管

本文分析了影响晶体管线性的主要因素及提高其线性的主要途径.介绍了CG441型硅线性晶体管的设计和工艺.采用浅结薄基区扩散、亚微米光刻和PtSi-Ti-W-Pt-Au多层金属溅射等技术获得了预期的器件性能.2GHz下,功率增益Gp≥10dB、1分贝压缩点输出功率P_(-1)≥20dBm、线性动态范围-20dBm～+10dBm及较小的三阶互调关真IMD_3.     

硅微波单片集成电路

本文介绍了一种结构简单、性能优良的硅微波宽带放大单片集成电路,对电路的指标进行了比较全面的分析计算,给出了计算机辅助分析方法。“浅结薄基区”扩散工艺使该电路的制造得以实现,获得了1分贝带宽为1～500MHz、1～1000MHz、1～1500MHz等多种宽带放大电路,增益分别为18dB、10dB和8.5dB,噪声系数分别为3.8dB、6.8dB和7dB,1分贝压缩点输出功率为15～19dBm,电压驻波比为2～2.5。上述品种已有部分正式定型,在国民经济和国防建设中开始发挥了经济效益。     

难熔的WN栅自对准GaAs MESFET工艺及其在门阵列集成电路中的应用

研究了在 n 型 GaAs 上反应溅射的 WN 接触的电性能。当混合气体中含有6%的 N_2时,得到了大的势垒高度(0.84eV)和低的电阻率(75μΩ·cm)。对于1.5μm WN 栅自对准 GaAs MESFET,它的典型跨导是150mS/mm。利用 WN 栅自对准工艺,已经成功地制造出1k 门 GaAs DCFL。在无载和有载的条件下(扇出=3,内连线的长度=2mm)传播延迟时间分别为49ps/门和200ps/门,其耗散功率为0.39mW/门。     

用于无线通信的SiGe异质结双极型晶体管AB类功率放大器

报道了一种性能良好的SiGe功率放大器,具有用于无线通信的前景.在B类模式下工作时,输出功率可以达到30dBm.在AB类模式下,电源电压为4V工作时,1dB压缩点输出功率(P1dB)为24dBm,输出功率三阶交截点(TOI)为39dBm.最大的功率附加效率(PAE)和在1dB压缩点的功率附加效率分别达到34%和25%.处理CDMA信号时的邻道功率抑制超过42dBc,符合IS95标准.     

多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT

研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE50 0 ,并生长了器件级SiGeHBT材料.研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT器件,其性能为:β=60 @VCE/IC=9V/ 30 0 μA ,β=1 0 0 @5V/ 50mA ,BVCBO=2 2V ,ft/ fmax=5 4GHz/ 7 7GHz @1 0指,3V/ 1 0mA .多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻,与CMOS工艺兼容且(因多晶发射极)无需发射极外延层的生长,这些优点使其适合于商业化生产.利用60指和1 2 0指的SiGeHBT制作了微波锗硅功率放大器.60指功放在90 0MHz和3 5V/ 0 2A偏置时在1dB压缩     

用于无线通信的SiGe异质结双极型晶体管AB类功率放大器

报道了一种性能良好的SiGe功率放大器,具有用于无线通信的前景.在B类模式下工作时,输出功率可以达到30dBm.在AB类模式下,电源电压为4V工作时,1dB压缩点输出功率(P1dB)为24dBm,输出功率三阶交截点(TOI)为39dBm.最大的功率附加效率(PAE)和在1dB压缩点的功率附加效率分别达到34%和25%.处理CDMA信号时的邻道功率抑制超过42dBc,符合IS95标准.     

YIG调谐宽带硅单片电路振荡器研究

本文对2～6GHz YIG调谐宽带晶体管振荡器的工作原理和设计方法进行了讨论。采用一种新型的Si MMIC单片作为有源器件,并使用紧凑型磁路结构提供调谐磁场,借助CAD技术获得了研究结果。选用单级振荡电路在1.8～5.7GHz频率范围内达到如下指标:输出功率0.1～3.5mW,非线性度小于0.25％。     

一种低噪声SiGe微波单片放大电路

介绍了一种利用SiGe技术制作的低噪声SiGe微波单片放大电路(MMIC)。该电路以达林顿结构的形式级联,由两个异质结双极型晶体管(HBT)和4个电阻组成;HBT采用准自对准结构,其SiGe基区为非选择性外延。在1 GHz频率下,电路噪声为1.59 dB,功率增益为14.3 dB,输入驻波比为1.6,输出驻波比为2.0。